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刻蝕工藝

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把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。

把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路制造過(guò)程中，經(jīng)過(guò)掩模套準(zhǔn)、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復(fù)印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產(chǎn)生圖形，然后把此圖形精確地轉(zhuǎn)移到抗蝕劑下面的介質(zhì)薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，制造出所需的薄層圖案。刻蝕就是用化學(xué)的、物理的或同時(shí)使用化學(xué)和物理的方法，有選擇地把沒(méi)有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。 刻蝕技術(shù)主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應(yīng)氣體與等離子體進(jìn)行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學(xué)試劑與被刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)進(jìn)行刻蝕。收起

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  • 什么是原子層刻蝕（ALE）？
    學(xué)員問(wèn)：聽(tīng)說(shuō)過(guò)ALD，但是很少聽(tīng)過(guò)ALE，麻煩講解下ALE的原理ALE，英文名Atomic Layer Etching，中文名原子層刻蝕。是和ALD相對(duì)的，均是自限性反應(yīng)，一個(gè)是沉積一個(gè)是刻蝕。ALD是每個(gè)循環(huán)只沉積一層原子，ALE是每個(gè)循環(huán)只刻蝕一層原子。
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    學(xué)員問(wèn)：用ICP-RIE刻蝕接觸孔工藝中中，側(cè)壁的角度與射頻功率關(guān)系大不大？如何通過(guò)調(diào)節(jié)功率來(lái)調(diào)節(jié)側(cè)壁角度？什么是刻蝕的側(cè)壁角度？
  • 干法刻蝕的原理、工藝流程、評(píng)價(jià)參數(shù)及應(yīng)用
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    RIE干法刻蝕技術(shù)憑借其優(yōu)越的各向異性刻蝕能力和良好的選擇比控制，已成為半導(dǎo)體制造中不可或缺的核心工藝。
  • 面試 | 光刻工藝,晶圓制造,CMP,PIE工程師面試問(wèn)題合集
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    本篇匯集了關(guān)于光刻工藝、晶圓制造相關(guān)崗位，以及FPGA工程師面試時(shí)的常見(jiàn)問(wèn)題。且在持續(xù)更新中……? 切記收藏哦！
  • 刻蝕工藝面試小結(jié)
    刻蝕工藝的基本原理：刻蝕是通過(guò)物理、化學(xué)或物理化學(xué)的方法去除材料的一部分，通常是在曝光、顯影之后，將掩膜圖形轉(zhuǎn)移到基底材料上的過(guò)程。刻蝕可以分為干法刻蝕和濕法刻蝕。干法刻蝕通過(guò)等離子體或離子束去除材料，而濕法刻蝕使用化學(xué)溶液進(jìn)行材料的選擇性去除。
  • 晶圓制造刻蝕工藝面試常見(jiàn)問(wèn)題
    晶圓制造刻蝕工藝面試常見(jiàn)問(wèn)題
    請(qǐng)解釋刻蝕工藝的基本原理以及在半導(dǎo)體制造中的重要性。在選擇刻蝕工藝時(shí)，如何確定是使用干法刻蝕還是濕法刻蝕？請(qǐng)描述RIE（反應(yīng)離子刻蝕）工藝的工作原理和應(yīng)用場(chǎng)景。
  • 干法刻蝕工藝中DC自偏壓的作用？
    學(xué)員問(wèn)：DC自偏壓是如何產(chǎn)生的？有什么作用？如何測(cè)量？
  • 為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    為刻蝕終點(diǎn)探測(cè)進(jìn)行原位測(cè)量
    介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進(jìn)的刻蝕設(shè)備和技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的微縮與先進(jìn)技術(shù)的開(kāi)發(fā)。隨著半導(dǎo)體器件尺寸縮減、工藝復(fù)雜程度提升，制造工藝中刻蝕工藝波動(dòng)的影響將變得明顯。刻蝕終點(diǎn)探測(cè)用于確定刻蝕工藝是否完成、且沒(méi)有剩余材料可供刻蝕。這類終點(diǎn)探測(cè)有助于最大限度地減少刻蝕速率波動(dòng)的影響。 刻蝕終點(diǎn)探測(cè)需要在刻蝕工藝中進(jìn)行傳感器和計(jì)量學(xué)測(cè)量。當(dāng)出現(xiàn)特定的傳感器測(cè)量結(jié)果或閾值時(shí)，可指示刻蝕設(shè)備停止刻蝕操作。如
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    傳統(tǒng)的邊緣刻蝕技術(shù)往往面臨著精度不高、能耗大、工藝周期長(zhǎng)等諸多問(wèn)題。而瑞豐恒高功率紫外激光器，作為一種創(chuàng)新的切割工具，以其在薄膜太陽(yáng)電池邊緣刻蝕中的卓越表現(xiàn)而備受矚目。首先，精準(zhǔn)切割能力。其獨(dú)特的短脈沖寬度和高能量密度，能夠精確掌握對(duì)薄膜太陽(yáng)電池邊緣的切割過(guò)程。通過(guò)使用這一先進(jìn)的激光工具，操作者可以輕松實(shí)現(xiàn)高度精細(xì)的邊緣刻蝕，確保薄膜表面的一致性和平整度，從而提高整體光吸收效率。
  • 科研前線 | 刻蝕深淺知否？IBM工藝研發(fā)新成果
    IBM工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)通過(guò)先進(jìn)算法與機(jī)器學(xué)習(xí)結(jié)合傳統(tǒng)儀器測(cè)量發(fā)放，實(shí)現(xiàn)不通過(guò)對(duì)整個(gè)光學(xué)模型解析的計(jì)算求解路徑，相關(guān)研究成果先行刊載于IEEE Transactions on Semiconductor Manufacturing。
  • 智能刻蝕帶來(lái)突破性的生產(chǎn)力提升
    增加電路密度而不必移動(dòng)到新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的優(yōu)勢(shì)使得垂直擴(kuò)展成為半導(dǎo)體行業(yè)的強(qiáng)大驅(qū)動(dòng)力。但它也有一系列挑戰(zhàn)，其中關(guān)鍵的挑戰(zhàn)便是刻蝕能力。
  • 高深寬比刻蝕和納米級(jí)圖形化推進(jìn)存儲(chǔ)器的路線圖
    隨著市場(chǎng)需求推動(dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)向更高密度、更優(yōu)性能、新材料、3D堆棧、高深寬比 (HAR) 刻蝕和極紫外 (EUV) 光刻發(fā)展，泛林集團(tuán)正在探索未來(lái)三到五年生產(chǎn)可能面臨的挑戰(zhàn)，以經(jīng)濟(jì)的成本為晶圓廠提供解決方案。
  • 加速特征相關(guān)(FD)干法刻蝕的工藝發(fā)展
    SEMulator3D中可視刻蝕特征提供了一種模擬與現(xiàn)實(shí)刻蝕腔室接近的刻蝕速率的方法。
  • 不吹上天，不扁入地，還原真實(shí)的“中國(guó)刻蝕機(jī)之父——尹志堯”
    “剛剛，這位中國(guó)老人，突然回國(guó)，美國(guó)人徹底慌了！” “是他，讓中國(guó)半導(dǎo)體技術(shù)彎道超車，趕超美日！是他，讓‘中國(guó)芯’實(shí)現(xiàn)中國(guó)制造，突破外企獨(dú)霸！” “中國(guó)再一次在核心領(lǐng)域突破技術(shù)‘無(wú)人區(qū)’，彎道超車，率先掌握5 納米半導(dǎo)體技術(shù)！” 尹志堯本人在回復(fù)科大微電子學(xué)院院長(zhǎng)劉明院士時(shí)表示他已不堪其擾：希望媒體能夠做到事實(shí)報(bào)道，不要夸大其詞。
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    1評(píng)論
    2019/11/16
  • 中微半導(dǎo)體已掌握5nm刻蝕機(jī)技術(shù)，這個(gè)彎道超車漂亮
    不鳴則已一鳴必驚人！揚(yáng)眉吐氣、創(chuàng)造歷史！中國(guó)再一次在核心領(lǐng)域突破技術(shù)“無(wú)人區(qū)”，彎道超車，率先掌握5 nm半導(dǎo)體技術(shù)！
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    3評(píng)論
    2017/04/06
  • 刻蝕工藝
    刻蝕工藝是一種重要的微納加工技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體制造、光學(xué)器件制造、集成電路生產(chǎn)等領(lǐng)域。通過(guò)控制化學(xué)溶液或等離子體對(duì)材料表面的侵蝕或剝離，實(shí)現(xiàn)對(duì)微細(xì)結(jié)構(gòu)的加工和制備?？涛g工藝在現(xiàn)代科技和工程中扮演著至關(guān)重要的角色，對(duì)微電子器件、傳感器、光學(xué)元件等的制造起著關(guān)鍵作用。
  • 濕法刻蝕
    濕法刻蝕是一種常見(jiàn)的微納加工技術(shù)，用于在半導(dǎo)體制造和微電子領(lǐng)域中對(duì)材料表面進(jìn)行精確的刻蝕。通過(guò)將待刻蝕的材料浸泡在化學(xué)溶液中，利用化學(xué)反應(yīng)來(lái)去除或改變材料表面的特定區(qū)域，實(shí)現(xiàn)微結(jié)構(gòu)的制作。本文將介紹濕法刻蝕的定義、原理、應(yīng)用、優(yōu)缺點(diǎn)以及相關(guān)安全措施。

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