什么是寬帶隙半導(dǎo)體 寬帶隙半導(dǎo)體材料有哪些

寬帶隙半導(dǎo)體指的是能帶寬度大于 2電子伏特(eV)的半導(dǎo)體材料。這種材料因為具備比常見的硅(Si)和鍺(Ge)等材料更大的電子運動性能，在高功率器件、發(fā)光二極管和太陽能電池等領(lǐng)域都有廣泛應(yīng)用。

1.什么是寬帶隙半導(dǎo)體

寬帶隙半導(dǎo)體相較于窄帶隙半導(dǎo)體，其狹義的定義為在溫度為 0K 時能帶寬度大于 2eV 的半導(dǎo)體。

因此，寬帶隙半導(dǎo)體主要包括：氮化鎵 (GaN)、碳化硅 (SiC)、氧化鋅 (ZnO) 等材料。

2.寬帶隙半導(dǎo)體材料有哪些

現(xiàn)代電子學(xué)中，廣泛采用的寬帶隙半導(dǎo)體材料包括：

1. GaN（氮化鎵）：應(yīng)用于耐壓電力設(shè)備、高頻控制器以及藍光LED等領(lǐng)域。
2. SiC（碳化硅）：應(yīng)用于汽車配件、太陽能電池和發(fā)電機技術(shù)等領(lǐng)域。
3. ZnO（氧化鋅）：應(yīng)用于透明導(dǎo)電薄膜、激光二極管以及光電子器件等領(lǐng)域。