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    • 1.隧穿場效應(yīng)晶體管是什么
    • 2.隧穿場效應(yīng)晶體管的工作原理
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隧穿場效應(yīng)晶體管

2021/03/22
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隧穿場效應(yīng)晶體管(Tunnel Field-Effect Transistor, TFET)是一種新型的場效應(yīng)晶體管,在未來電子器件中具有潛在的重要應(yīng)用價(jià)值。

1.隧穿場效應(yīng)晶體管是什么

隧穿場效應(yīng)晶體管(TFET)是一種基于量子力學(xué)隧穿效應(yīng)工作的開關(guān)半導(dǎo)體器件。和傳統(tǒng)的MOSFET相比,TFET可以實(shí)現(xiàn)更高效的電流控制,并且可顯著減少功耗,提高集成度。

2.隧穿場效應(yīng)晶體管的工作原理

TFET的主要部件包括源極、漏極和柵極。與MOSFET不同的是,TFET的柵極不是用于改變電荷分布,而是用于控制源-漏之間的載流子注入。當(dāng)柵電壓變化時(shí),會調(diào)節(jié)源-漏之間pn結(jié)區(qū)域的耗盡層寬度,從而影響載流子的隧穿穿透率和注入濃度。通過這種方式,TFET可以實(shí)現(xiàn)電流的高效控制。

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