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p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件

2021/12/16
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硬件型號(hào):AO4606低內(nèi)阻P溝道MOS管

系統(tǒng)版本:場(chǎng)效應(yīng)管系統(tǒng)

p溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件為Ug< Us、Ugs< Ugs(th), N溝道m(xù)os管導(dǎo)通條件為Ug> Us、Ugs> Ugs(th)??傊?,MOS管導(dǎo)通條件為|Ugs|>|Ugs(th)|。

MOS管,是MOSFET的縮寫。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。

一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。G:gate 柵極;S:source 源極;D:drain 漏極。MOS管的source(源極)和drain(耗盡層)是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數(shù)情況下,這個(gè)兩個(gè)區(qū)是一樣的,即使兩端對(duì)調(diào)也不會(huì)影響器件的性能。這樣的器件被認(rèn)為是對(duì)稱的。

場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管(P溝道型)和NMOS(N溝道型)管,屬于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。

MOS集成電路特點(diǎn):

制造工藝比較簡(jiǎn)單、成品率較高、功耗低、組成的邏輯電路比較簡(jiǎn)單,集成度高、抗干擾能力強(qiáng),特別適合于大規(guī)模集成電路。

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