場效應管

場效應管（Field-Effect Transistor，F(xiàn)ET）是一種半導體器件，其工作原理基于在半導體材料中施加控制電壓產(chǎn)生電場，從而改變載流子密度和導電性質。場效應管廣泛應用于放大、開關和穩(wěn)壓等電路以及運算放大器和振蕩器等電子設備中。

1.場效應管工作原理

場效應管的主要部分是由一個P型或N型半導體構成的溝道，該溝道位于兩個異性摻雜的區(qū)域之間，這兩個區(qū)域有多個接觸端，通常被稱為源極、漏極和柵極。當給柵極施加電壓時，形成沿著溝道方向的電場，并在溝道內形成反向的PN結，限制了源漏電流的通路。

由于溝道中已經(jīng)存在載流子（即電子或空穴），柵極施加的電場可以控制溝道中載流子的濃度，進而改變整個器件的電阻。而且，因為控制電場只與柵極相關，因此場效應管的電容非常小，使得其可用于高頻應用。

2.場效應管接線圖

場效應管的接線圖如下：

3.場效應管作用

場效應管可以用來放大信號或將它們從一個電路中切換到另一個電路中。在放大應用中，輸入信號被加到柵極上，輸出信號在源和漏之間測量。當推動柵極電壓時，引起導通溝道電荷密度的變化。這個變化使溝道中的電阻發(fā)生變化，從而造成源漏電流的變化。

在開關應用中，場效應管常用于代替開關管；例如，在音頻放大器中用于控制音量。