硬件型號(hào):RisymAO3400
系統(tǒng)版本:半導(dǎo)體系統(tǒng)
場(chǎng)效應(yīng)管的參數(shù)有:開(kāi)啟電壓UT (MOSFET)、夾斷電壓UP (JFET)、飽和漏極電流IDSS (JFET)、直流輸入電阻RGS、跨導(dǎo)Gm和最大漏極功耗。
1、開(kāi)啟電壓UT (MOSFET)
通常將剛剛形成導(dǎo)電溝道、出現(xiàn)漏極電流ID時(shí)對(duì)應(yīng)的柵一源電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓,用UGS(th)或UT表示。開(kāi)啟電壓UT是MOS增強(qiáng)型管的參數(shù)。當(dāng)柵一源電壓UGS小于開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管不能導(dǎo)通。
2、夾斷電壓UP (JFET)
當(dāng)UDS為某一固定值(如10V),使ID等于某一微小電流(如50mA)時(shí),柵一源極間加的電壓即為夾斷電壓。當(dāng)UGS=UP時(shí),漏極電流為零。
3、飽和漏極電流IDSS (JFET)
飽和漏極電流IDSS是在UGS =0的條件下,場(chǎng)效應(yīng)管發(fā)生預(yù)夾斷時(shí)的漏極電流。IDSS型場(chǎng)效應(yīng)管所能輸出的最大電流。
4、直流輸入電阻RGS
直流輸入電阻RGS是漏一源短路,柵一源加電壓時(shí)柵一源極 之間的直流電阻。結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管:RGS》107ΩMOS管:RGS》109~1015Ω。
5、跨導(dǎo)Gm
漏極電流的微變量與柵一源電壓微變量之比,即gm=△ID/△UGS。它是衡量場(chǎng)效應(yīng)管柵一源電壓對(duì)漏極電流控制能力的一個(gè)參數(shù)。gm相當(dāng)于三極管的hFE。
6、最大漏極功耗
最大漏極功耗PD=UDSID,相當(dāng)于三極管的PCM。