Vishay推出最新第四代600 V E系列MOSFET器件， RDS(ON)*Qg FOM僅為2.8 Ω*nC

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 溝道SiHK045N60E導(dǎo)通電阻比前一代600?V E系列MOSFET低27 %，為通信、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源應(yīng)用提供了高效解決方案，同時實(shí)現(xiàn)柵極電荷下降60 %。從而使其柵極電荷與導(dǎo)通電阻乘積在同類器件中達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平，該參數(shù)是600 V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的關(guān)鍵指標(biāo)（FOM）。

Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各種新型電子系統(tǒng)。隨著SiHK045N60E的推出以及即將發(fā)布的第四代600 V E系列產(chǎn)品，公司可在電源系統(tǒng)架構(gòu)設(shè)計初期滿足提高能效和功率密度的要求——包括功率因數(shù)校正和硬切換AC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。

SiHK045N60E采用Vishay最新高能效E系列超級結(jié)技術(shù)，10 V下典型導(dǎo)通電阻僅為0.043 Ω，超低柵極電荷下降到65 nC。器件的FOM為2.8 Ω*nC，比同類接近的MOSFET競品器件低3.4 %。SiHK045N60E有效輸出電容Co(er) 為117 pF，有助于改善開關(guān)性能。這些性能參數(shù)意味著降低了傳導(dǎo)和開關(guān)損耗，從而達(dá)到節(jié)能效果。SiHK045N60E結(jié)殼熱阻RthJC為0.45 C/W，比接近的競品器件低11.8 %，具有更加出色的熱性能。

該器件采用PowerPAK? 10x12封裝，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，無鹵素，可承受雪崩模式下過壓瞬變，并保證極限值100 %通過UIS測試。

SiHK045N60E現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。