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學(xué)子專區(qū)—ADALM2000實(shí)驗(yàn):源極跟隨器(NMOS)

2021/11/08
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目標(biāo)
本次實(shí)驗(yàn)的目的是研究簡(jiǎn)單的NMOS源極跟隨器,有時(shí)也稱為共漏極配置。

材料

  • ADALM2000主動(dòng)學(xué)習(xí)模塊
  • 無(wú)焊面包板
  • 一個(gè)2.2 kΩ電阻(RL)
  • 一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(M1采用增強(qiáng)模式CD4007或ZVN2110A)

說(shuō)明

面包板連接如圖1和圖2所示。波形發(fā)生器W1的輸出連接至M1的柵極端子。示波器輸入1+(單端)也連接至W1輸出。漏極端子連接至正極(Vp)電源。源極端子連接至2.2 kΩ負(fù)載電阻和示波器輸入2+(單端)。負(fù)載電阻的另一端連接至負(fù)極(Vn)電源。要測(cè)量輸入-輸出誤差,可以將2+連接至M1的柵極,2–連接至源極,以顯示示波器通道2的差值。

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圖1.源極跟隨器

硬件設(shè)置

波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測(cè)量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測(cè)量輸入-輸出誤差時(shí),應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

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圖2.源極跟隨器面包板電路

程序步驟

配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖3所示。

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圖3.源極跟隨器的輸入和輸出波形

源極跟隨器的增益(VOUT/VIN)理想值為1,但總是略小于1。增益由以下公式1計(jì)算得出:

從公式可以看出,要獲得接近1的增益,我們可以增大RL或減小rs。也可以看出,rs是ID的函數(shù),ID增大,rs會(huì)減小。此外,從電路可以看出,ID與RL相關(guān),如果RL增大,ID會(huì)減小。在簡(jiǎn)單的電阻負(fù)載發(fā)射極跟隨器中,這兩種效應(yīng)相互抵消。所以,要優(yōu)化跟隨器的增益,我們需要找到能在不影響另一方的情況下降低rs或增大RL的方法。需要注意的是,在MOS晶體管中,ID = Is (IG = 0)。

其中,K = μnCox/2,λ可以認(rèn)為是與工藝技術(shù)相關(guān)的常數(shù)。

從另一個(gè)角度來(lái)看,因?yàn)榫w管Vth本身的DC偏移,在預(yù)期的擺幅內(nèi)輸入和輸出之間的差值應(yīng)是恒定的。受簡(jiǎn)單的電阻負(fù)載RL影響,漏電流ID會(huì)隨著輸出上下擺動(dòng)而升高和降低。我們知道ID是VGS的函數(shù)(平方關(guān)系)。以+1 V至-1 V的擺幅為例,最小ID = 1 V/2.2 kΩ或0.45 mA,最大ID = 6 V/2.2 kΩ或2.7 mA。因此VGS會(huì)發(fā)生明顯變化。根據(jù)這些實(shí)驗(yàn)結(jié)果,我們能從一個(gè)方面改善源極跟隨器。

現(xiàn)在可以使用先前學(xué)子專區(qū)實(shí)驗(yàn)中的電流鏡來(lái)代替源負(fù)載電阻,以使放大器晶體管的源極電流固定不變。電流鏡能在寬電壓范圍內(nèi)獲取較為恒定的電流。晶體管中這種較為恒定的電流會(huì)導(dǎo)致VGS相當(dāng)恒定。從另一個(gè)角度來(lái)看,電流鏡中極高的輸出電阻可以有效提高RL,但rs保持為電流設(shè)定的低值。

加強(qiáng)源極跟隨器

附加材料

  • 一個(gè)3.2 kΩ電阻(將1 kΩ和2.2 kΩ電阻串聯(lián))
  • 一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(M1采用ZVN2110A)
  • 兩個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(M2和M3采用CD4007)

說(shuō)明
面包板連接如圖4和圖5所示。

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圖4.加強(qiáng)源極跟隨器。

硬件設(shè)置
波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為0。示波器通道2的單端輸入(2+)用于測(cè)量源極的電壓。示波器配置為連接通道1+以顯示AWG發(fā)生器輸出。在測(cè)量輸入-輸出誤差時(shí),應(yīng)連接示波器的通道2,以顯示2+和2–之間的差值。

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圖5.加強(qiáng)源極跟隨器面包板電路

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程序步驟

配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖6所示。

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圖6.加強(qiáng)源極跟隨器波形

源極跟隨器輸出阻抗

目標(biāo)
源極跟隨器的一個(gè)重要方面是提供功率或電流增益,即從高電阻(阻抗)級(jí)驅(qū)動(dòng)低電阻(阻抗)負(fù)載。因此,測(cè)量源極跟隨器的輸出阻抗具有指導(dǎo)意義。

材料

  • 一個(gè)4.7 kΩ電阻
  • 一個(gè)10 kΩ電阻
  • 一個(gè)小信號(hào)NMOS晶體管(M1采用CD4007或ZVN2110A)

說(shuō)明
圖7和圖8中的電路配置增加了一個(gè)電阻R2,將來(lái)自AWG1的測(cè)試信號(hào)注入M1的發(fā)射極(輸出)。輸入端(M1的基極)接地。

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圖7.輸出阻抗測(cè)試

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圖8.輸出阻抗測(cè)試面包板電路

硬件設(shè)置
波形發(fā)生器配置為1 kHz正弦波,峰峰值幅度為2 V,偏移為減去M1的VGS(約為–V)。這會(huì)將±0.1 mA (1 V/10 kΩ)電流注入M1的源極。示波器輸入2+測(cè)量源極電壓的變化。

程序步驟
繪制在源極處測(cè)得的電壓幅度。配置示波器以捕獲所測(cè)量的兩個(gè)信號(hào)的多個(gè)周期。產(chǎn)生的波形如圖9所示。

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圖9.輸出阻抗測(cè)試波形

問(wèn)題:

您能簡(jiǎn)要描述兩種提高源極跟隨器增益(接近1)的方法嗎?

您可以在學(xué)子專區(qū)博客上找到問(wèn)題答案。

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