國宏中宇牽頭起草的團體標準《碳化硅單晶片X射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》啟動會成功召開

中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟團體標準《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》起草工作啟動會于 2020 年 11 月 11 日上午在國宏中晶集團總部會議室順利召開。

《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團體標準由國宏中宇科技發(fā)展有限公司（下稱“國宏中宇”）牽頭，邀請?zhí)炜坪线_半導體股份有限公司和北京聚睿眾邦科技有限公司參與起草，聯(lián)盟副秘書長鄭紅軍女士、國宏中宇王錫銘副總工程師、聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士、國宏中宇高級技術(shù)主管劉素娟、天科合達工程師王大軍等 7 人參加了此次啟動會。會議由團體標準項目負責人國宏中宇王錫銘副總工程師主持。?

啟動會現(xiàn)場

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首先王錫銘副總工程師向大家簡單介紹了公司的基本情況，以及公司在碳化硅材料產(chǎn)業(yè)化方面取得的一些進展。鄭紅軍副秘書長向大家介紹了聯(lián)盟團體標準的建設(shè)情況及意義。國宏中宇高級技術(shù)主管劉素娟向大家匯報了團體標準工作小組的情況，以及項目的實施情況。會議針對《碳化硅單晶片 X 射線雙晶搖擺曲線半高寬測試方法》團體標準立項項目的內(nèi)容進行了討論，參加人員對這項標準的內(nèi)容提出自己的想法和修改建議。通過討論，明確了標準的內(nèi)容和實施細節(jié)，并制定了團體標準的實施計劃。會后，王錫銘副總工程師和鄭紅軍副秘書長與聚睿眾邦總經(jīng)理閆方亮博士就襯底和外延的產(chǎn)業(yè)驗證相關(guān)檢測技術(shù)問題進行了更深入的交流。

碳化硅材料作為新一代半導體材料，具有很廣泛的應(yīng)用前景，所以，制定碳化硅材料和器件相關(guān)的標準具有重要意義，希望有更多的單位能夠參與到標準的起草工作中來。