華虹半導(dǎo)體：第二季8英寸產(chǎn)能爆滿

全球半導(dǎo)體市場(chǎng)不斷釋放出復(fù)蘇訊號(hào)，中國(guó)市場(chǎng)表現(xiàn)強(qiáng)勁，市場(chǎng)低點(diǎn)已經(jīng)過(guò)去。

2020 年 8 月 11 日，華虹半導(dǎo)體發(fā)布 2020 年第二季財(cái)報(bào)，營(yíng)收和毛利率雙雙超過(guò)預(yù)期。在 IGBT、超級(jí)結(jié)、MCU 和 CIS 等多項(xiàng)產(chǎn)品的市場(chǎng)需求推動(dòng)下，公司第二季度營(yíng)收達(dá)到了 2.254 億美元，環(huán)比實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，達(dá) 11%。與此同時(shí)，得益于產(chǎn)能利用率的提升以及產(chǎn)品組合結(jié)構(gòu)的改善，毛利率達(dá)到了 26%，環(huán)比提升 4.9 個(gè)百分點(diǎn)。

本期凈利為 126 萬(wàn)美元，相比 2019 年第二季的 4990 萬(wàn)美元同比下滑 97.5%，相比 2020 年第一季度的 270 萬(wàn)美元環(huán)比下滑 54%；本期凈利率 0.6%，創(chuàng)上市以來(lái)的新低。

相信第二季財(cái)報(bào)受無(wú)錫基地影響更甚，下面我們先來(lái)看看無(wú)錫基地的情況。

無(wú)錫 12 英寸生產(chǎn)基地

華虹無(wú)錫 12 英寸生產(chǎn)基地給人喜憂參半。

2020 年第二季度營(yíng)收為 950 萬(wàn)美元，是第一季度的 4 倍多；付運(yùn) 12 英寸晶圓達(dá) 10000 片，是第一季度的 7 倍。
 

無(wú)錫基地 12 英寸致力于打造多元化、綜合化的客戶解決方案，基地發(fā)展開(kāi)始提速。在穩(wěn)步推進(jìn)多個(gè)技術(shù)平臺(tái)的認(rèn)證工作的同時(shí)，也實(shí)現(xiàn)了高良率出貨。截止 2020 年第二季度，無(wú)錫基地 12 英寸生產(chǎn)線交付客戶的產(chǎn)品包括智能卡芯片、功率器件和 CIS 產(chǎn)品；在下半年超結(jié)產(chǎn)品也將開(kāi)始出貨，以滿足新能源汽車等新興市場(chǎng)的需求。
 

值得注意的是，華虹無(wú)錫基地的 12 英寸晶圓平均售價(jià)為 1250 美元。但本季呈現(xiàn)斷崖式下滑，由 2019 年第四季度的 1850 美元下滑至本季的 950 美元。
 

目前無(wú)錫基地處于產(chǎn)能爬坡階段，用部分低價(jià)格產(chǎn)品來(lái)填補(bǔ)產(chǎn)能一大舉措，使得本季產(chǎn)能利用率得到提升，達(dá) 38.3%，是上季 6.9%的 5 倍多；也比 2019 年第四季的 31.6%高出 20%。

華虹半導(dǎo)體第二季度財(cái)報(bào)分析

從工藝節(jié)點(diǎn)來(lái)看，0.35um 及以上工藝和 0.13um 及以下工藝的營(yíng)收是公司營(yíng)收主力，占比 49.20%和 33.90%；0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收占比 15.10%；0.25um 工藝營(yíng)收占比 1.8%。具體來(lái)看，來(lái)自 0.35um 及以上工藝營(yíng)收 1.11 億美元，同比下滑 14%，受益于超結(jié)產(chǎn)品、智能卡芯片和模擬產(chǎn)品減少；來(lái)自 0.13um 及以下工藝營(yíng)收 7600 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 3.4%，得益于 MCU 的增長(zhǎng)，但智能卡需求減少；來(lái)自 0.15um/0.18um 工藝營(yíng)收為 3400 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 35%，主要由于 MCU 產(chǎn)品需求增長(zhǎng)；來(lái)自 0.25um 工藝營(yíng)收為 400 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 88%，主要是由于邏輯產(chǎn)品需求增長(zhǎng)。

從技術(shù)平臺(tái)來(lái)看，分立器件平臺(tái)繼續(xù)成為保持最大營(yíng)收來(lái)源，占比 38.5%；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收第二，占比 34.1%；模擬與電源管理平臺(tái)占比 14%；邏輯與射頻平臺(tái)占比 11.9%；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)占比 1.4%；其他 0.1%。具體來(lái)看，盡管 IGBT 有所增長(zhǎng)，但由于超結(jié)產(chǎn)品的減少，分立器件平臺(tái)營(yíng)收同比下滑 6.2%，為 8680 萬(wàn)美元；嵌入式非易失性存儲(chǔ)器平臺(tái)營(yíng)收為 7690 萬(wàn)美元，同比減少 3.4%，分析原因是主要由于智能卡芯片的需求減少，但 MCU 產(chǎn)品的需求有增加；模擬與電源管理平臺(tái)營(yíng)收 3160 萬(wàn)美元，同比減少 5.4%，主要由于 LED 照明和模擬產(chǎn)品的需求減少，但電源管理需求有所增加；獨(dú)立非易失性存儲(chǔ)器營(yíng)收 320 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 16.5%，主要由于 EEPROM 產(chǎn)品的需求增加。

從應(yīng)用領(lǐng)域來(lái)看，消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域?yàn)?59.3%，工業(yè)及汽車領(lǐng)域?yàn)?24.90%，通訊領(lǐng)域 12.20%，計(jì)算機(jī)領(lǐng)域?yàn)?3.60%。本季消費(fèi)電子產(chǎn)品領(lǐng)域依舊是公司第一大營(yíng)收來(lái)源，但由于智能卡的需求減少，營(yíng)收下滑至 1.33 億美元，同比減少 9.1%；工業(yè)及汽車領(lǐng)域營(yíng)收 5600 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 26.6%，盡管超結(jié)產(chǎn)品下滑，但模擬和 IGBT 有所增長(zhǎng)；通訊領(lǐng)域營(yíng)收 2750 萬(wàn)美元，同比下滑 2.4%，受益于邏輯產(chǎn)品的需求增加；計(jì)算機(jī)領(lǐng)域營(yíng)收 810 萬(wàn)美元，同比減少 22.3%，主要是通用 MOSFET 產(chǎn)品減少。

從地區(qū)營(yíng)收來(lái)看，中國(guó)大陸的營(yíng)收達(dá) 61%；美國(guó)營(yíng)收占比 15%，亞洲地區(qū)（不含中國(guó)大陸、日本）營(yíng)收占比 12.7%，歐洲地區(qū)占比占比 8.5%，日本占比占比 2.8%。具體來(lái)看，來(lái)自中國(guó)營(yíng)收 1.38 億美元，同比增長(zhǎng) 8%，分析原因主要是由于邏輯產(chǎn)品需求增長(zhǎng)；由于通用 MOSFET 和超結(jié)產(chǎn)品的需求減少，來(lái)自美國(guó)營(yíng)下滑 3380 萬(wàn)美元，同比減少 19.7%；來(lái)自日本的營(yíng)收達(dá) 640 萬(wàn)美元，同比大減 56%，分析原因是主要是 MCU 和邏輯產(chǎn)品的需求減少；受益智能卡產(chǎn)品的增長(zhǎng)，來(lái)自歐洲的營(yíng)收為 1910 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 4.6%；來(lái)自亞洲地區(qū)（不含中國(guó)大陸、日本）的營(yíng)收 2860 萬(wàn)美元，同比增長(zhǎng) 1.9%，分析原因是主要是由于 MCU 產(chǎn)品需求增長(zhǎng)，但 MOSFET 產(chǎn)品的需求有所減少。

從產(chǎn)能來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期總產(chǎn)能約當(dāng) 8 英寸 603 萬(wàn)片，和上季持平。產(chǎn)能利用率由上季的 82.4%升到 93.4%，相比去年同期是 93.2%。其中 8 英寸產(chǎn)能利用率達(dá) 100.4%，而 12 英寸的產(chǎn)能利用率僅 38.3%

從晶圓付運(yùn)量來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本季晶圓付運(yùn)量為約當(dāng) 8 英寸 52.3 萬(wàn)片，較上季約當(dāng) 8 英寸 46.3 萬(wàn)片增長(zhǎng) 13%，較去年同期約當(dāng) 8 英寸 48.9 萬(wàn)片增長(zhǎng) 7%。

從晶圓銷售單價(jià)來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本季約當(dāng) 8 英寸售價(jià)為 431 美元，較上季 438 美元下降 7 美元。

從資本支出來(lái)看，華虹半導(dǎo)體本期支出達(dá) 1.78 億美元。主要是用于無(wú)錫基地，本季無(wú)錫基地支出達(dá) 1.44 億美元。