DDR5來了，這些新內(nèi)存技術(shù)你掌握了嗎？

什么是 DDR5?

打開百度百科，你會(huì)發(fā)現(xiàn)對(duì)于 DDR5 的描述十分“簡(jiǎn)陋”：“DDR5 是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)存規(guī)格”。這種定義沒問題，卻不具體，下面跟著與非網(wǎng)一起來深入了解一下吧。

DDR5 是第五代 DDR SDRAM 的簡(jiǎn)稱，DDR SDRAM 是英文 Double Data Rate SDRAM 的縮寫，中文譯為雙倍速率 SDRAM，而 SDRAM 又是 Synchronous Dynamic Random Access Memory 的縮寫，譯為同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，同步對(duì)象是系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。因此，組起來講，DDR5 就是第五代雙倍速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器的意思。

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圖源：Andy Lock

從字面上也不難發(fā)現(xiàn) DDR5 與 SDRAM 是有血緣關(guān)系的，沒錯(cuò)，準(zhǔn)確的說 DDR5 是 SDRAM 的改進(jìn)版第五代子嗣，而 DDR 的作用除了暫存 CPU 運(yùn)算數(shù)據(jù)之外，還肩擔(dān)著與硬盤等外部存儲(chǔ)器交換數(shù)據(jù)的使命，因此不僅需要滿足高速讀寫的要求，還需要擁有無限次讀寫的功能，當(dāng)然了，無限次是個(gè)理論值，受限于材料等因素的影響，其壽命通常為十年以上。

SDRAM 技術(shù)發(fā)展歷程

在講 SDRAM 發(fā)展史之前先普及一個(gè)分類概念，從 RAM 說起，RAM（Random Access Memory）即隨機(jī)存儲(chǔ)器可分為兩類，一類是動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM，DRAM），另一類是靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM，SRAM）。由于 DRAM 具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、高集成度、低功耗、低制造成本等優(yōu)點(diǎn)，被大量地應(yīng)用在計(jì)算機(jī)內(nèi)存中。

同樣的，DRAM 又可根據(jù)工作原理中是否與系統(tǒng)時(shí)鐘同步，分為同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 SDRAM 和異步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 EDO DRAM。

其實(shí)，在 EDO DRAM 之前還出現(xiàn)了一種優(yōu)于 DRAM 的 486 年代“新形式”，現(xiàn)在早已淡出人們的視野，它就是快速頁(yè)面模式的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（Fast Page Mode DRAM，FPM DRAM），配置基本是 30 線 /72 線、5V 電壓、帶寬 32bit、基本速度 60ns 以上，典型時(shí)序是 6-3-3-3。

按照邏輯，我下面要說的就是EDO DRAM了。在上世紀(jì)九十年代出現(xiàn)的 586 電腦大家還記得不？就是后來被稱為“奔騰”的那個(gè)，當(dāng)時(shí)的 8M 內(nèi)存配備的就是 72 線的 EDO DRAM，屏幕馬賽克是如此地清晰可見。不過它也不是沒有優(yōu)點(diǎn)，在 FPM DRAM 的對(duì)比之下，EDO DRAM 的性能提升了 20%~40%，這得益于它的工作機(jī)制，即在輸出一組數(shù)據(jù)時(shí)，同時(shí)進(jìn)行下一組數(shù)據(jù)的預(yù)處理，也就是所謂的預(yù)處理機(jī)制。

再后來，就有了 SDRAM，對(duì)比前面的產(chǎn)品，無論從尺寸還是頻率上，都有了質(zhì)的飛躍，SDRAM 的歷史從此開啟。截至 2020 年初，SDRAM 大體上經(jīng)歷了 5 個(gè)主流發(fā)展階段：SDRAM、DDR、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5，而目前市場(chǎng)上大量使用的還是 DDR4，伴隨著少量樣片的面世，DDR5 的最終國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)還在進(jìn)一步制定之中。

內(nèi)存的發(fā)展很大程度上是與 CPU 處理器捆綁式進(jìn)步的，下面我們一代一代來理一下：

• SDRAM

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圖源：sohu

隨著英特爾賽揚(yáng)處理器和 AMD K6 處理器以及相關(guān)的主板芯片組的推出，EDO DRAM 的性能已經(jīng)無法滿足其需求，而得益于輸入輸出信號(hào)與系統(tǒng)外頻同步的特性，以及存 64bit 的總線寬度正好和處理器的數(shù)據(jù)總線寬度對(duì)應(yīng)所產(chǎn)生的便捷性，使得 SDRAM 很快取代了 EDO DRAM。值得一提的是，在這個(gè)迭代時(shí)期，由于英特爾和 AMD 的頻率之爭(zhēng)，CPU 處理器的外部總線頻率迅速?gòu)?100MHz 上升為 133MHz，內(nèi)存規(guī)范也跟著從 PC66 發(fā)展到 PC100、PCIII、PC133 以及不太成功的 PC600、PC700 和 PC800。

• DDR

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圖源：ssyer

2000 年，在沒有大幅增加生產(chǎn)成本的基礎(chǔ)上（據(jù)悉，大概為 1.3 倍左右），DDR SDRAM（以下簡(jiǎn)稱“DDR”）的速度是 SDRAM 的 2 倍，也就是雙倍速率 SDRAM，DDR 之名由此得來。而為何 DDR 可以實(shí)現(xiàn)雙倍速率呢？這是因?yàn)?，DDR 采用了 DLL 延時(shí)鎖定回路技術(shù)和一個(gè)數(shù)據(jù)濾波信號(hào)，使 DDR 控制器可進(jìn)行有效、精確的數(shù)據(jù)定位。簡(jiǎn)單來說就是，DDR 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都能夠進(jìn)行讀數(shù)據(jù)，因此才能進(jìn)行雙倍速率工作。此外，由于 DDR 采用了的 SSTL2 標(biāo)準(zhǔn)的 2，5V 電壓，低于 SDRAM 的 LVTTL 標(biāo)準(zhǔn)下的 3.3V 電壓，因此功耗更低。

當(dāng)然，技術(shù)之外，規(guī)范先行。這個(gè)時(shí)期內(nèi)存規(guī)范從 PC133 發(fā)展到了支持 266MHz 帶寬的 PC266、DDR333、DDR400 和用于超頻方案的 DDR533 規(guī)范。

• DDR2

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圖源：pconline

隨著 CPU 處理器前端總線帶寬的不斷提高和高速率局部總線的出現(xiàn)，DDR 的性能成了制約處理器性能的鎖喉技術(shù)，因此 2003 年英特爾公布了 DDR2 SDRAM（以下簡(jiǎn)稱“DDR2”）的開發(fā)計(jì)劃。

相比于 DDR，DDR2 的最大亮點(diǎn)是降低了功耗，這得益于工作電壓的降低，即從 2.5V 下降到 1.8V，同時(shí)提升了工作頻率。要問提升了多少？DDR2 的工作頻率大概是 DDR 的兩倍，因?yàn)?DDR2 的預(yù)讀取能力是 4bit，而 DDR 的存預(yù)讀取能力是 2bit，也就是 2 倍的關(guān)系，這使得 DDR2 突破了 DDR 內(nèi)存的 400MHz 的限制。其次，DDR2 采用了內(nèi)外時(shí)鐘不同的機(jī)制，具體來說內(nèi)部時(shí)鐘是外部時(shí)鐘的 1/2，而 DDR 內(nèi)外是相同的，這也解釋了 DDR2 內(nèi)存擁有 400、533、667MHz 等不同時(shí)鐘頻率，容量密度為 512MB 的原因。最后一點(diǎn)要說的就是 DDR2 舍棄了 TSOP，開啟了內(nèi)存 FBGA 封裝之門，減少了寄生電容和阻抗匹配問題，增加了穩(wěn)定性。

• DDR3

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圖源：攝圖網(wǎng)

2007 年，JEDEC 協(xié)會(huì)正式推出 DDR3 SDRAM（以下簡(jiǎn)稱“DDR3”）規(guī)范，DDR3 開始走向舞臺(tái)。

相比于 DDR2，得益于生產(chǎn)工藝的精進(jìn)，DDR3 的工作電壓從 1.8V 降到 1.5V 和 1.35V（DDR3L），進(jìn)一步降低了功耗，減少了發(fā)熱量，并采用了根據(jù)溫度自動(dòng)自刷新、局部自刷新等功能，在一定程度彌補(bǔ)了 DDR3 延遲時(shí)間較長(zhǎng)的缺點(diǎn)。同時(shí)，DDR3 的速度從 800MHz 起跳，最高可以達(dá)到 1600MHz，幾乎是 DDR2 的 2 倍速。這是怎么實(shí)現(xiàn)的呢？因?yàn)?DDR3 可以在 1 個(gè)時(shí)鐘周期輸出 8bit 的數(shù)據(jù)，而 DDR2 是 4bit，因此其單位時(shí)間內(nèi)的數(shù)據(jù)傳輸量是 DDR2 的 2 倍。此外 DDR3 的預(yù)讀取能力為 8bit，是 DDR2 的 2 倍，使得 DDR3 的內(nèi)核工作頻率僅有外部頻率的 1/8。

• DDR4

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圖源：攝圖網(wǎng)

2014 年底，起跳頻率為 2133MHz 的 DDR4 內(nèi)存產(chǎn)品紛紛上市，這標(biāo)志著 DDR4 時(shí)代的到來，截至今天，DDR4 仍舊占領(lǐng)著市場(chǎng)主流地位。

與 DDR3 相比，功耗方面，DDR4 的工作電壓從 1.5V 降到 1.2V 和 1.05V（DDR4L），這意味著更省電，發(fā)熱量更小了。速度方面，從 2133MHz 起跳，最高速度可達(dá) 4266MHz，接近 DDR3 的三倍。這是如何達(dá)到的呢？首先來講講傳輸機(jī)制，DDR4 除了可支持傳統(tǒng) SE 信號(hào)外，還引入了差分信號(hào)技術(shù)，換句話說，這是進(jìn)化到了雙向傳輸機(jī)制階段；其次，DDR4 采用了點(diǎn)對(duì)點(diǎn)的設(shè)計(jì)，簡(jiǎn)化了內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)，更容易實(shí)現(xiàn)高頻化；最后，DDR4 在采用了三維堆疊封裝技術(shù)，增大了單位芯片的容量的同時(shí)，還采用了溫度補(bǔ)償自刷新、溫度補(bǔ)償自動(dòng)刷新和數(shù)據(jù)總線倒置技術(shù)，在降低功耗方面起到了很好的效果。

• DDR5

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圖源：AnandTech

英特爾和 AMD 的核戰(zhàn)爭(zhēng)越演愈烈，現(xiàn)在的臺(tái)式機(jī)開始 6 核起跳，可以預(yù)見，馬上內(nèi)存的性能又將成為新的瓶頸。因此 JEDEC 協(xié)會(huì)早在 2017 年就開始和各大 SDRAM 廠商協(xié)作，著手起草 DDR5 標(biāo)準(zhǔn)，2018 年公布了 DDR5 技術(shù)規(guī)范草案，2019 年 2 月 19 日，JEDEC 又公布了 LPDDR5 的更新標(biāo)準(zhǔn)，不過至今還未推出正式版本。因此“DDR5 為何遲遲不普及？”的聲音越來越多，這個(gè)我會(huì)在下面的章節(jié)中給大家解釋的。我們現(xiàn)在還是先從技術(shù)的角度來看看 DDR5 到底有何不同？

DDR5 有什么技術(shù)新特性？

容量更大、速率更高、新功能、新特性的出現(xiàn)是 DDR5 SDRAM（以下簡(jiǎn)稱“DDR5”）有別于 DDR4 最明顯的進(jìn)步。

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圖源：美光

表征篇

根據(jù) JEDEC 推出的草案，容量方面，單顆 DDR5 的容量從 8Gb 到 64Gb；速率方面，DDR5 從 3.2Gbps 起跳，到 6.6Gbps，最高可擴(kuò)展到 8.4Gbps，預(yù)取數(shù)據(jù)能力從 DDR4 的 8n 上升為 16n，突發(fā)數(shù)據(jù)長(zhǎng)度變?yōu)?16；功耗方面，DDR5 的工作電壓從 DDR4 的 1.2V 降低為 1.1V；此外，功能方面，DDR5 除了沿襲了激活、讀寫、預(yù)充電、刷新、自刷新、節(jié)電模式、ZQ 校準(zhǔn)等基本功能外，還增加了不少新功能，或者說是新特性，這也是本章節(jié)中重點(diǎn)想要描述的。話不多說，跟著與非網(wǎng)盤起來：

技術(shù)分析篇

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圖源：ssyer

• 命令和地址信號(hào)共用 CA 總線

DDR5 是內(nèi)存技術(shù)史上第一次將命令和地址信號(hào)合成一條 CA 總線，對(duì)比 DDR4 及以前的內(nèi)存產(chǎn)品中命令和地址信號(hào)管腳的各自獨(dú)立特性，DDR5 的解析方式有很大的區(qū)別。具體來說，DDR4 及以前的內(nèi)存產(chǎn)品在工作時(shí)，在片選信號(hào)有效的前提下，上升沿來臨時(shí)，DRAM 命令接收器將采樣所有命令信號(hào)，來解析當(dāng)前的命令，并根據(jù)需要采樣地址信號(hào)來獲取地址信息，這意味著所有操作可以在一個(gè)時(shí)鐘周期完成。而 DDR5 由于采用了 CA 總線，很多命令需要兩個(gè)時(shí)鐘周期才能完成，及在第一個(gè)上升沿來臨之時(shí)，先采樣 CA 信號(hào)來解析命令，再在第二個(gè)上升沿來臨之時(shí)，采樣另一個(gè) CA 信號(hào)來解析地址。

從表面上看，似乎這波操作是增加了解析的復(fù)雜性，說實(shí)在的，這也算是無奈之舉。由于容量和速率的提高，地址信號(hào)數(shù)量也會(huì)增加，這個(gè)不難理解，就像工人多了，總要多提供幾個(gè)宿舍一樣。當(dāng)然，還不止于此，你還要給工人提供更多的生活保障，映射到內(nèi)存中來，考慮到高速傳輸?shù)囊?，DDR5 的內(nèi)存模組中金手指的數(shù)量也會(huì)跟著 VDD 管腳的增加而增多，來滿足最短電流返回路徑的要求。大家試想一下，金手指一增多，是不是尺寸就要增加？這又違背了電子產(chǎn)品小型化的趨勢(shì)定理，因此無奈之下選擇了 CA 總線。于是原來的 300 多個(gè)金手指管腳需求一下縮減到了 14 個(gè) CA 管腳，從此就可以很任性地與 DDR4 保持管腳數(shù)量和焊球數(shù)一致了。

• 2N 模式

什么是 2N 模式？不要想復(fù)雜了，其實(shí)就是為了匹配上面所說的需要連續(xù)兩個(gè)周期才能完成的命令輸入方式，因此采用 2N 模式控制位來確定具體的 CA 總線采樣間隔。

• 增加判決反饋均衡器 DFE

為何要在 DQ 接收器中引入判決反饋均衡器 DFE？我們要牢記，只有出了問題才會(huì)要去解決問題，而在解決問題的過程中往往需要做一些增加、減少的變動(dòng)。這里也不例外，當(dāng)數(shù)據(jù)速率超過 3.2Gbps 后，碼間串?dāng)_ ISI 就會(huì)加劇，信噪比的降低可能會(huì)導(dǎo)致 DRAM 焊球處的眼圖完全閉合。而 DDR5 的最高數(shù)據(jù)速率可達(dá) 8.4Gbps，因此必須采取某種手段來解決這個(gè)問題，目前采用的方式就是增加某種均衡器來改善該眼圖，比如 DDR5 規(guī)范草案中提出的由 1 個(gè)增益放大器、1 個(gè) DFE 加法器、4 個(gè) DQ slicer 和 1 個(gè)參數(shù)乘法器構(gòu)成的四抽頭 DFE。

• 低功耗

功耗一直是內(nèi)存的性能重點(diǎn)，誰(shuí)想要花錢買一個(gè)“熱得快”啊。對(duì)于 DDR5 來說，它沿襲了很多 LPDDR4 的特性，比如將模式寄存器擴(kuò)展到 256 個(gè)，增加模式寄存器讀命令 MRR 和多用途命令 MPC，從而實(shí)現(xiàn)接口初始化、訓(xùn)練（劃重點(diǎn)：讀訓(xùn)練、讀先導(dǎo)訓(xùn)練、CA 訓(xùn)練、片選訓(xùn)練、寫訓(xùn)練 和 VrefCA 訓(xùn)練）、周期性校準(zhǔn)等功能。

• 環(huán)回模式

同樣是高速率惹的禍，才促使了環(huán)回模式的誕生，那為何不在功耗之前講呢？這是由于環(huán)回模式主要應(yīng)用于測(cè)試中，用來測(cè)試誤碼率，從而來判別接收器的性能好壞。學(xué)過軟件的小伙伴都知道我們通常采用寫 ->讀的方式來測(cè)試接收器，但當(dāng)速率高達(dá) 8.4Gbps 時(shí)，DRAM 內(nèi)部的空間就會(huì)不夠用，測(cè)試時(shí)間也會(huì)拉的很長(zhǎng)。為了提高測(cè)試穩(wěn)定性和測(cè)試效率，技術(shù)人員提出了一種環(huán)回模式，即允許 DDR5 將內(nèi)存控制器或測(cè)試設(shè)備的驅(qū)動(dòng)器發(fā)來的測(cè)試數(shù)據(jù)直接返回給其接收器，省去了單獨(dú)讀寫的命令。但所有事情都是要付出代價(jià)的，增加 LBDQS（單端 DQS 信號(hào)）、LBDQ（DQ 信號(hào)）管腳和模式寄存器就是 DDR5 所需要付出的，前者用于環(huán)回模式下將接收到的數(shù)據(jù)返回到對(duì)端，后者用于控制將 DDR5 對(duì)應(yīng)管腳收到的數(shù)據(jù)返回到發(fā)送端。

• 其他

介于篇幅的原因，此處沒有將 DDR5 所有的新技術(shù)特性都列出來，比如片內(nèi) ECC、寫模式命 令、DQS 內(nèi)部振蕩器等。若小伙伴們感興趣，可在文末留言，或者自行查詢 JEDEC 規(guī)范草案。

DDR5 現(xiàn)況與 DRAM 行情

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圖源：美光

首先來回答一下“DDR5 為何遲遲未普及？”這個(gè)問題，說實(shí)在話，這個(gè)問題可能更多的是由等待更新?lián)Q代的用戶提出來的，因?yàn)樗麄冋跒榈刃乱淮?DDR5 還是入手成熟的 DDR4 而憂愁。但是從內(nèi)存的平均生命周期角度來看，目前這種樣片測(cè)試成功、量產(chǎn)指日可待還是符合正常推陳出新的規(guī)律的。畢竟，建立一條完整的生產(chǎn)線價(jià)格不菲，有哪一家 SDRAM 廠家會(huì)在沒有措不及防的內(nèi)存戰(zhàn)的情況下提前選擇建造、啟用新的生產(chǎn)線呢？那都是錢啊，如同摩爾定律的內(nèi)推力量一樣，資本家們可是會(huì)把每一代產(chǎn)品中的利潤(rùn)最大化后才會(huì)收手進(jìn)入下一關(guān)卡的，因此跟著主核走才是最明智的。

其次，我們從市場(chǎng)總量的角度來看 DRAM 的行情，在內(nèi)存市場(chǎng)跌跌不休一年之后，2019 年 3 季度似乎出現(xiàn)了拐點(diǎn)。根據(jù)集邦科技旗下的半導(dǎo)體研究中心 DRAMxchange 的 Q3 季度報(bào)告顯示，雖然內(nèi)存價(jià)格還在下滑，Q3 季度環(huán)比依然跌了將近 20%，但是內(nèi)存產(chǎn)值達(dá)到了 154.5 億美元，環(huán)比增長(zhǎng)了 4.1%。這給我們傳達(dá)了兩方面的消息，一方面由于市場(chǎng)供給量大，推動(dòng)價(jià)格不斷走低；另一方面也說明了除了中美貿(mào)易戰(zhàn)帶來的加大備貨以外，智能手機(jī)、服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)內(nèi)存的需求在加大。

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圖源：TrendForce

而在 2019 年 12 月份以來，由于終端 ODM/OEM 廠、手機(jī)廠、系統(tǒng)廠的庫(kù)存水位下降，買房開始擴(kuò)大采購(gòu)量，DRAM 價(jià)格出現(xiàn)了反彈回升的態(tài)勢(shì)。據(jù)悉，目前 8Gb DDR4 標(biāo)準(zhǔn)版 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)已漲至 3.5 美元左右，1 月以來漲幅超過 10％，而 4Gb DDR4 標(biāo)準(zhǔn)版 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)漲至 2 美元以上，1 月以來漲幅已達(dá) 17％左右。

另就DDR5 市場(chǎng)占有率方面，SK Hynix 預(yù)測(cè)，DDR5 模塊的銷量將在 2020 年占 RAM 市場(chǎng)的 25%，2021 年占 44%。但也有分析師表示盡管市面上已經(jīng)有部分 DDR5 RDIMM 樣品，但大規(guī)模使用將要到 2022 年底和 2023 年初才能實(shí)現(xiàn)。

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圖源：攝圖網(wǎng)

最后，我們從市場(chǎng)分布的角度來看，制造商主要有三星、SK 海力士、美光以及中國(guó)臺(tái)灣的南亞科技、華邦電子、力晶科技，中國(guó)大陸板塊相對(duì)落后，不過隨著第一座 300 毫米晶圓廠在合肥的建成和投產(chǎn)，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)將生產(chǎn)國(guó)產(chǎn)第一代 10nm 工藝級(jí) 8Gb DDR4 內(nèi)存芯片，從此中國(guó)大陸即將告別無 DRAM 內(nèi)存廠的時(shí)代，該晶圓廠每月產(chǎn)量為 20000 晶圓，到 2020 年第二季度產(chǎn)量將提升到 40000 晶圓 / 月，大概能占到全球內(nèi)存產(chǎn)能的 3%。

從內(nèi)存設(shè)計(jì)市場(chǎng)來看，中國(guó)也在 DDR4 時(shí)代有了質(zhì)的飛躍，科創(chuàng)板上市的瀾起科技的 DDR4 全緩沖“1+9”架構(gòu)，最終被 JEDEC 國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)采納。同時(shí)，在 DDR5 即將到來之際，瀾起科技在布局研發(fā) DDR5 存接口芯片方面也有所建樹，據(jù)其內(nèi)部消息稱，其新一代產(chǎn)品能夠有效支持 DDR5 的高速、低功耗等要求，預(yù)計(jì)在三年內(nèi)完成第一代 DDR5 內(nèi)存接口芯片的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。

寫在最后

說了這么多，作為一名硬件工程師，還是從系統(tǒng)的角度來談?wù)剬?duì) DDR5 到來的幾點(diǎn)想法吧。對(duì)于大多數(shù)硬件設(shè)計(jì)人員來講，大家近幾年一直在使用 DDR4，因此對(duì)于 DDR 的更新?lián)Q代，免不了有些焦慮，比如 DDR5 的配套系統(tǒng)升級(jí)器件的選型、串行鏈路濾波技術(shù)的升級(jí)、系統(tǒng)原型的構(gòu)建與仿真、系統(tǒng)成本的壓力等等。不過，我相信我的戰(zhàn)友們，他們可以像人肉均衡器一樣，在這些關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上做出最恰當(dāng)?shù)倪x擇，然后繼續(xù)前進(jìn)。

Ps：多說一句，疫情當(dāng)前，我輩更需努力，用團(tuán)結(jié)與智慧，在 DDR5 到來之時(shí)，走出一條“中國(guó)內(nèi)存之路”。

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