深耕功率器件，發(fā)力電動(dòng)汽車，華虹宏力10天獲雙獎(jiǎng)

2019 年 4 月 9 日，華虹集團(tuán)旗下上海華虹宏力半導(dǎo)體制造有限公司（“華虹宏力”）在 CITE 2019 上，公司的“高壓大功率雙溝槽型超級(jí)結(jié)工藝平臺(tái)”獲得中國(guó)電子信息博覽會(huì)創(chuàng)新應(yīng)用金獎(jiǎng)。

 

 

2019 年 4 月 18 日，在“2019 中國(guó)國(guó)際新能源汽車功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)論壇”上，華虹宏力憑借其在絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）代工領(lǐng)域的技術(shù)底蘊(yùn)與創(chuàng)新能力，獲得了 PSIC2019 中國(guó)新能源汽車用 IGBT“最具發(fā)展?jié)摿ζ髽I(yè)”獎(jiǎng)。

 

 

10 天內(nèi)，華虹宏力憑借在功率半導(dǎo)體器件領(lǐng)域深耕 20 年的經(jīng)驗(yàn)，獲得兩項(xiàng)大獎(jiǎng)，這表明業(yè)界對(duì)華虹宏力的功率器件工藝的肯定。

 

華虹宏力從 2002 年開(kāi)始自主創(chuàng)“芯”路，是全球第一家提供功率器件代工服務(wù)的 8 英寸純晶圓代工廠。2002 年到 2010 年，陸續(xù)完成先進(jìn)的溝槽型中低壓 MOSFET/SGT/TBO 等功率器件技術(shù)開(kāi)發(fā)；2010 年，高壓 600V ~700V 溝槽型、平面型 MOSFET 工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段；2011 年第一代深溝槽超級(jí)結(jié)工藝進(jìn)入量產(chǎn)階段，同年 1200V 溝槽型 NPT IGBT 工藝也完成研發(fā)進(jìn)入量產(chǎn)階段；2013 年，第 2 代深溝槽超級(jí)結(jié)工藝推向市場(chǎng)，同時(shí) 600V~1200V 溝槽型場(chǎng)截止型 IGBT（FDB 工藝）也成功量產(chǎn)。

 

2018 年，功率器件在各終端市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景更加多樣，公司功率器件營(yíng)收同比增長(zhǎng) 41%。作為全球首家提供場(chǎng)截止型 FS-IGBT 量產(chǎn)技術(shù)的 8 英寸純晶圓代工廠，華虹宏力擁有領(lǐng)先技術(shù)，支持并推動(dòng)綠色能源、新能源汽車、工業(yè)自動(dòng)化等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

 

華虹宏力具備多年成功量產(chǎn)汽車電子芯片的經(jīng)驗(yàn)和獨(dú)具特色的工藝能力，建立了零缺陷管理系統(tǒng)，并通過(guò)了 IATF 16949 汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證和多家客戶的 VDA 6.3（德國(guó)汽車質(zhì)量流程審計(jì)標(biāo)準(zhǔn)）過(guò)程質(zhì)量審核的 A 級(jí)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證。

 

華虹宏力戰(zhàn)略、市場(chǎng)與發(fā)展部李健日前在深圳參加論壇時(shí)表示，以 IGBT 為例，對(duì)電動(dòng)汽車中功率器件的規(guī)模進(jìn)行了介紹，他說(shuō)一臺(tái)電動(dòng)車總共需要 48 顆 IGBT 芯片，其中前后雙電機(jī)共需要 36 顆，車載充電機(jī)需要 4 顆，電動(dòng)空調(diào) 8 顆。同時(shí)后裝維修零配件市場(chǎng)按 1：1 配套。如果 2020 年國(guó)內(nèi)電動(dòng)汽車銷量達(dá)到 200 萬(wàn)臺(tái)，國(guó)內(nèi)市場(chǎng)大約需要每月 10 萬(wàn)片 8 英寸車規(guī)級(jí) IGBT 晶圓產(chǎn)能（按每片晶圓容納 120 顆 IGBT 芯片折算）?；趪?guó)內(nèi)電動(dòng)車市場(chǎng)占全球市場(chǎng)的 1/3，2020 年全球汽車市場(chǎng)可能需要超過(guò)每月 30 萬(wàn)片 8 英寸 IGBT 晶圓產(chǎn)能！

 

華虹宏力正在實(shí)行“8+12”的戰(zhàn)略布局。8 英寸的戰(zhàn)略定位是“廣積糧”，重點(diǎn)是“積”。華虹宏力有近 20 年的特色工藝技術(shù)積累，是業(yè)內(nèi)首個(gè)擁有深溝槽超級(jí)結(jié)(Deep Trench Super Junction，DT-SJ)及場(chǎng)截止型 IGBT(Field Stop，F(xiàn)S IGBT)工藝平臺(tái)的 8 英寸代工廠，公司現(xiàn)已推出第三代 DT-SJ 工藝平臺(tái)。在 IGBT 方面讓客戶產(chǎn)品能夠比肩業(yè)界主流的國(guó)際 IDM 產(chǎn)品。12 英寸的戰(zhàn)略定位是“高筑墻”，重點(diǎn)是“高”。華虹宏力將通過(guò)建設(shè) 12 英寸生產(chǎn)線，延伸 8 英寸特色工藝優(yōu)勢(shì)，拓寬護(hù)城河，提高技術(shù)壁壘，拉開(kāi)與身后競(jìng)爭(zhēng)者的差距。

 

我們也祝福華虹宏力未來(lái)更輝煌！