羅姆的產(chǎn)品和戰(zhàn)略先前筆者已經(jīng)有所介紹(詳見(jiàn)《羅姆:“四大戰(zhàn)略”謀局未來(lái)》),這次的深圳高交會(huì)電子展,同樣也看到了羅姆的身影。展位很大,來(lái)的工作人員也很多,從這點(diǎn)也可以看出羅姆對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的重視。展出的產(chǎn)品涉及汽車(chē)電子、LED照明、傳感器等多個(gè)領(lǐng)域,其中羅姆的功率器件、電源管理芯片、MEMS器件以及羅姆傳統(tǒng)強(qiáng)項(xiàng)各種世界最小分立器件都有所展示,簡(jiǎn)單為大家介紹之。
功率器件
羅姆的SiC器件筆者已經(jīng)多次提及,這次看到各個(gè)產(chǎn)品線的陣容有大大豐富。
SiC肖特基勢(shì)壘二極管:低Vf、高速恢復(fù)、開(kāi)關(guān)損耗大幅降低,這些優(yōu)點(diǎn)已多次提及。目前量產(chǎn)產(chǎn)品提供VR 650V、1200V系列,封裝形式有LPTL(D2-PAK)、TO-220鐵封塑封、TO-247;
SiC-MOSFET:優(yōu)點(diǎn)同樣是Si器件無(wú)法比擬的高耐壓、低開(kāi)關(guān)損耗、高速恢復(fù)。量產(chǎn)的產(chǎn)品中有耐壓最高達(dá)1200V、電流35A,后續(xù)會(huì)做1700V的產(chǎn)品;另外溝槽型工藝的SiC-MOSFET明年春天也會(huì)量產(chǎn),產(chǎn)品的耐壓更高電流更大,比如650V/100A、1200V/90A,1200V/90A產(chǎn)品明年三四月份開(kāi)始量產(chǎn);
SiC功率模塊:目前有兩個(gè)規(guī)格,1200V/120A,1200V/180A。120A規(guī)格有內(nèi)置SiC續(xù)流二極管,180A規(guī)格的只有自己的寄生二極管;
???? 羅姆SiC產(chǎn)品系列展示
Si器件部分有看到羅姆的混合型MOSFET- Hybrid MOS展示,結(jié)合了IGBT、Super Junction MOS兩種產(chǎn)品的優(yōu)勢(shì),Hybrid MOS在大電流,高溫工作,并聯(lián)設(shè)計(jì),高開(kāi)關(guān)頻率,低電流等工作環(huán)境下的特性有比較好的平衡。
IGBT、Super Junction MOS、Hybrid MOS特性比較
亞洲首家EnOcean Alliance發(fā)起人
EnOcean技術(shù)號(hào)稱無(wú)線、無(wú)電池、無(wú)局限,與該領(lǐng)域的其他技術(shù)相比,EnOcean技術(shù)最大特點(diǎn)是無(wú)需電池,通過(guò)能量采集模塊采集周?chē)h(huán)境產(chǎn)生的能量,為超低功耗的無(wú)線通訊模塊供電。羅姆本身的傳感器技術(shù)、能量采集方案以及LAPIS Semiconductor超低功耗MCU也非常契合EnOcean的技術(shù)要求,所以羅姆成為亞洲首家EnOcean Alliance發(fā)起人也是情理之中。展位上基于羅姆技術(shù)的無(wú)線控制開(kāi)關(guān)、門(mén)禁等產(chǎn)品都有展示。
???? 羅姆EnOcean產(chǎn)品介紹
世界最小的羅姆產(chǎn)品RASMID(ROHM Advanced Smart Micro Device)
相信大部分人認(rèn)識(shí)羅姆是從電阻開(kāi)始的,此次羅姆帶來(lái)了世界上最小封裝的貼片電阻器03015(0.3*0.15mm),該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn),更小封裝的0201(0.2*0.1mm)(開(kāi)發(fā)中)這次也上了展臺(tái),相信很快也能量產(chǎn)。
羅姆最小封裝電阻器0201(0.2*0.1mm)(開(kāi)發(fā)中)展示
當(dāng)然此次展出的不僅僅是電阻,世界最小的肖特基勢(shì)壘二極管:0402封裝(0.4*0.2mm,t=0.12)(開(kāi)發(fā)中),世界最小的晶體管:0806封裝(0.8*0.6mm,t=0.36)(新產(chǎn)品),世界最小的鉭電容器:1005封裝(1.0*0.5mm,t=0.55Max.)(開(kāi)發(fā)中)……像沙粒一樣的器件,讓人嘆為觀止。
未來(lái)羅姆還將繼續(xù)側(cè)重在消費(fèi)、車(chē)載、工控等領(lǐng)域,借助自身在半導(dǎo)體生產(chǎn)上的優(yōu)勢(shì)繼續(xù)為客戶提供高性能器件產(chǎn)品。