東芝推出面向更高效工業(yè)設備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導通電阻，可顯著降低開關損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開始出貨。

新產(chǎn)品的單位面積導通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導通損耗與開關損耗間關系的重要指標。這樣可以將開關損耗減少大約20%[5]，同時降低導通電阻和開關損耗。因此，新產(chǎn)品有助于提高設備效率。

東芝將進一步壯大其功率器件產(chǎn)品線，強化生產(chǎn)設施，并通過提供易于使用的高性能功率器件，努力實現(xiàn)碳中和經(jīng)濟。

• 應用：

開關電源（服務器、數(shù)據(jù)中心、通信設備等）

電動汽車充電站

光伏變頻器

不間斷電源（UPS）

• 特性：

單位面積導通電阻低（RDS(ON)A）

低漏源導通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）

低二極管正向電壓：VDSF＝-1.35V（典型值）@VGS＝-5V

• 主要規(guī)格：

（除非另有說明，Ta＝25℃）

注：

[1] 通過采用為第二代SiC MOSFET開發(fā)的內(nèi)置肖特基勢壘二極管的架構，東芝開發(fā)出一種可降低單位面積導通電阻（RDS(ON)A），同時降低JFET區(qū)域反饋電容的器件架構。

[2] MOSFET：金屬氧化物半導體場效應晶體管。

[3] 當?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)A被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

[4] 當?shù)诙鶶iC MOSFET的RDS(ON)*Qgd被設為1時，與新款1200V SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。

[5] 新款1200V SiC MOSFET和第二代SiC MOSFET比較。東芝調(diào)研。