英飛凌推出業(yè)界首款用于太空應用的QML認證512 Mbit抗輻射加固設計NOR閃存

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出業(yè)界首款用于太空和極端環(huán)境應用的512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR閃存 。這款半導體器件采用快速四串行外設接口（133 MHz），具有極高的密度、輻射和單次事件效應（SEE）性能，是一款完全通過QML認證的非易失性存儲器，可與太空級FPGA和微處理器配合使用。

512 Mbit抗輻射加固設計QSPI NOR閃存

這款新器件由美國空軍研究實驗室太空飛行器局（AFRL）資助，并與Microelectronics Research Development Corporation（Micro-RDC）共同開發(fā)而成。它基于英飛凌經(jīng)過實際驗證的SONOS（硅襯底-隧穿氧化層-電荷存儲層氮化硅-阻擋氧化層-多晶硅柵極）電荷柵阱技術(shù)，運行速度較低密度替代品提高多達30%。

AFRL太空電子技術(shù)項目經(jīng)理Richard Marquez 表示：“下一代太空級系統(tǒng)的設計者對高可靠性、高密度存儲器的需求不斷增長。我們與英飛凌、Micro-RDC 等行業(yè)領導者合作，共同開發(fā)出一種集高密度、高數(shù)據(jù)傳輸速率與優(yōu)于替代品的輻射性能于一身的技術(shù)解決方案?！?/p>

Micro-RDC總裁Joseph Cuchiaro表示：“英飛凌的抗輻射加固設計NOR閃存很好地補充了Micro-RDC的極端應用環(huán)境解決方案系列。隨著512 Mbit密度器件的推出，設計者能夠設計出性能卓越的系統(tǒng)，以滿足比以往更廣泛任務類型的嚴格要求?！?/p>

英飛凌科技航空航天與國防業(yè)務副總裁Helmut Puchner表示：“此次英飛凌512 Mbit NOR閃存家族擴展到抗輻射加固存儲器產(chǎn)品組合，進一步證明了我們致力于提供高度可靠的高性能存儲器來滿足下一代太空需求。與AFRL和Micro-RDC的合作推動了行業(yè)領先技術(shù)的發(fā)展，通過采用提高關鍵衛(wèi)星功能性能的技術(shù)，來應對空間應用中遇到的極端環(huán)境。”

英飛凌的 SONOS 技術(shù)獨特地結(jié)合了密度和速度，以及先進的輻射性能，具有高達 10000 P/E 的出色耐用性和長達10年的數(shù)據(jù)保存期。該產(chǎn)品的133 MHz QSPI接口為太空級FPGA和處理器提供了高數(shù)據(jù)傳輸速率，并采用占板面積1” x 1”的陶瓷 QFP（QML-V），以及占板面積更小的 0.5” x 0.8”塑料 TQFP（QML-P）兩種封裝。此外，該器件還為太空FPGA引導代碼解決方案提供了最高密度的TID/SEE性能組合。其QML-V/P封裝獲得DLAM認證，能夠滿足最嚴格的行業(yè)資格認證要求。

該器件的典型用例包括太空級FPGA的配置映像存儲和太空級多核處理器的獨立啟動代碼存儲。

供貨情況

新型英飛凌512 Mbit QML認證NOR閃存現(xiàn)已上市。