強茂SGT MOSFET第一代系列：創(chuàng)新槽溝技術車規(guī)級60 V N通道 突破車用電子的高效表現(xiàn)

隨著汽車產(chǎn)業(yè)加速朝向智慧化以及互聯(lián)系統(tǒng)的發(fā)展，強茂推出最新車規(guī)級60 V N通道MOSFETs系列，采用屏蔽柵槽溝技術(SGT)來支持汽車電力裝置。此系列產(chǎn)品具備卓越的性能指標(FOM)、超低導通電阻(RDS(ON))以及最小化的電容，能有效提升汽車電子系統(tǒng)的性能與能源效率，降低導通與切換的損耗，提供更卓越的電氣性能。

強茂的60 V N通道SGT-MOSFETs提供多種緊密且高效的封裝選擇，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、TO-252AA以及TO-220AB-L，為各類電力電子應用提供更為可靠的解決方案。這些MOSFETs皆通過AEC-Q101之認證，具備優(yōu)異的導通和切換特性，在車用領域中是電源轉換、驅動與控制應用的理想選擇。此外，可承受結溫高達175°C，為現(xiàn)代電子產(chǎn)品提供最佳的設計彈性。

最重要的是強茂在SGT-MOSFETs的產(chǎn)品研發(fā)上，不僅推動電動/燃油汽車技術的發(fā)展，還致力于促進整個汽車產(chǎn)業(yè)鏈的持續(xù)成長與發(fā)展，服務廣泛涵蓋各終端之應用。此外，強茂的產(chǎn)品皆采用符合IEC 61249和EU RoHS 2.0標準的綠色材質(zhì)，體現(xiàn)了強茂致力于為客戶提供高性能、可靠和環(huán)保產(chǎn)品的承諾。

什么是屏蔽柵槽溝SGT-MOSFET呢？

屏蔽柵槽溝MOSFETs (Shielded Gate Trench-SGT)

多使用于中壓MOSFETs，被廣泛應用于電源供應、工業(yè)系統(tǒng)以及汽車設備等高性能的應用領域中，作為核心的電力控制元件。通過加深槽溝深度，其獨特的電荷耦合結構可涵蓋水平與垂直的耗盡區(qū)域，從而在相同的摻雜濃度下提升擊穿電壓的卓越性能。 相較于傳統(tǒng)槽溝式MOSFETs的特性，SGT-MOSFETs在柵極電極下增加了一個屏蔽電極并與源極相連，使屏蔽柵極在漂移區(qū)內(nèi)減少米勒效應帶來的切換損耗。此外，此設計還降低了漂移區(qū)的臨界電場，使總柵極電荷（Qg, @RDS(on) 3 mΩ）降低了57％，并顯著提升了性能指標（FOM）。

主要特性

• 屏蔽柵槽溝技術 (SGT)

提升效率和性能，滿足嚴苛的電力需求。

• AEC-Q101認證

確保在嚴格的汽車和工業(yè)應用中具備卓越的耐用性。

• 超低導通電阻

將功率損耗降至最低，最大化功率敏感設計的能源效率。

• 高功率密度封裝

緊湊的設計提供強大的功率輸出，是多種應用的首選。

• 可承受高結溫

支持在極端環(huán)境中穩(wěn)定運行，能承受高達175℃的溫度。

產(chǎn)品應用

• 汽車電子

先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)

車身控制器 (BCU)

冷卻風扇

影音娛樂 / 儀表板

• 電源供應

發(fā)動機控制器

執(zhí)行器/促動器

電池管理系統(tǒng) 服

務器嵌入式系統(tǒng)

LED照明

馬達泵

車載充電器

傳感器

USB充電器 / USB集線器

無線充電器

• 工業(yè)電子

工業(yè)電腦

太陽能逆變器 / 控制器

電風扇

焊接機

60 V N通道第一代SGT系列表

產(chǎn)品推薦

PJQ5560A-AU

這款60 V N通道的增強型MOSFET具備優(yōu)異的FOM (Qg, VGS@10 V, ID@20 A<82 nC) 以及低導通電阻 (RDS(ON), VGS@10 V, ID@20 A<2.6 mΩ)，采用DFN5060-8L封裝。該產(chǎn)品符合AEC-Q101認證，并設計為邏輯電平驅動，非常適合用于汽車應用中的先進駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、車身及舒適系統(tǒng)，以及汽車信息娛樂系統(tǒng)。

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