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    • (一)多家國產(chǎn)存儲廠商業(yè)績大漲
    • (二)國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)消息不斷
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我國存儲市場春又來

09/12 17:35
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存儲行業(yè)被稱為半導體產(chǎn)業(yè)“風向標”。邁過了2022年至2023年的行業(yè)低谷,從去年年末開始至今年二季度,存儲國產(chǎn)存儲廠商財報逐漸有了起色。

受益于AI浪潮,以及消費電子、汽車、工控等領(lǐng)域驅(qū)動,今年多家存儲廠商半年報數(shù)據(jù)普遍增長,新技術(shù)新產(chǎn)品陸續(xù)開出。另外,近期存儲市場動態(tài)不斷,包括兆易創(chuàng)新擬向子公司增資8億元,增加DRAM募投項目實施主體和地點。

(一)多家國產(chǎn)存儲廠商業(yè)績大漲

首先來看兆易創(chuàng)新、瀾起科技、佰維存儲、德明利、普冉半導體、聚辰股份的半年報財報。

兆易創(chuàng)新方面,2024年上半年,兆易創(chuàng)新實現(xiàn)營業(yè)收入36.09億元,同比增長21.69%,歸屬于上市公司股東的凈利潤5.17億元,同比增長53.88%。經(jīng)歷2023年市場需求低迷和庫存逐步去化后,2024年上半年消費、網(wǎng)通市場出現(xiàn)需求回暖,帶動公司存儲芯片的產(chǎn)品銷量和營收增長。

汽車市場,公司車規(guī)閃存產(chǎn)品出貨量保持良好增長。車規(guī)MCU產(chǎn)品與多家國內(nèi)、國際頭部Tier 1公司建立和保持深入合作關(guān)系,產(chǎn)品應用包括車燈方案、AVAS方案、無線充電方案、汽車直流無刷電機控制系統(tǒng)、汽車儀表盤等。在兆易創(chuàng)新的財報中,其海外市場營收值得關(guān)注。2021至2023年兆易創(chuàng)新來自于境外地區(qū)的收入分別為70.66億元、67.66億元、45.81億元,占總營收的比例分別為83%、83%、80%。這和該公司在汽車市場業(yè)績的持續(xù)增長密切相關(guān)。

另外,兆易創(chuàng)新的存儲器產(chǎn)品主要有NOR Flash、SLC Nand Flash和DRAM。其中,DRAM產(chǎn)品包括DDR3L和DDR4兩個品類,DDR3L產(chǎn)品提供市場通用 1Gb/2Gb/4Gb 容量;DDR4 8Gb產(chǎn)品已流片成功,并已為客戶提供樣片,以4Gb/8Gb容量為市場提供廣泛的應用選擇。

瀾起科技披露半年報顯示,上半年實現(xiàn)營業(yè)收入16.65億元,同比增長79.49%,凈利潤高達5.93億元,同比增長624.63%。與上年同期相比,凈利潤翻了六倍不止。

對于業(yè)績增長,瀾起科技披露,行業(yè)需求實現(xiàn)恢復性增長,DDR5下游滲透率提升且DDR5子代迭代持續(xù)推進,帶動公司內(nèi)存接口及模組配套芯片銷售收入同比大幅增長,津逮服務器平臺產(chǎn)品線則實現(xiàn)了快速增長。瀾起科技上半年業(yè)績十分受益于AI發(fā)展。據(jù)悉,該公司的三款高性能“運力”芯片新產(chǎn)品(PCIe Retimer芯片、MRCD/MDB芯片、CKD芯片)呈現(xiàn)快速成長態(tài)勢,第二季度銷售收入合計約為1.3億元,環(huán)比倍增,成為上半年業(yè)績增長的一大原因。

佰維存儲上半年營業(yè)收入同比增長199.64%,達到34.41億元,凈利潤2.83億元,成功實現(xiàn)扭虧為盈。公司認為,數(shù)據(jù)的持續(xù)增長、國產(chǎn)化率的提升以及AI技術(shù)革命是推動存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展的三大要素。

另外,據(jù)佰維存儲官微消息,即將上市的佰維DW100 DDR5內(nèi)存將推出全新CUDIMM規(guī)格(超頻實驗室聯(lián)合款),頻率可達9200MT/s CL42。DW100是佰維設計的DDR5旗艦級內(nèi)存,相較常規(guī)DDR5內(nèi)存實現(xiàn)了突破性的頻率提升。

德明利發(fā)布的半年報顯示,公司上半年營業(yè)收入為21.76億元,同比增長268.50%;歸母凈利潤為3.88億元,同比增長588.12%;扣非歸母凈利潤為3.70億元,同比增長536.69%。公告稱,公司營業(yè)收入變化主要由于行業(yè)周期回暖,銷售價格上漲;以及拓展新客戶增加使得銷售規(guī)模大幅增加。

報告期內(nèi),德明利持續(xù)推進產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級,產(chǎn)品矩陣不斷豐富,推出了多款移動存儲、高端固態(tài)硬盤、嵌入式存儲新品,新增了LPDDR、內(nèi)存條產(chǎn)品線,全面覆蓋主流存儲產(chǎn)品類型。其中特別是嵌入式存儲與內(nèi)存條業(yè)拓展順利,成為新的業(yè)績增長點,推動了公司整體營收增長。另外,報告期內(nèi),德明利加快完善企業(yè)級存儲、嵌入式存儲和內(nèi)存條等新產(chǎn)品線團隊搭建,新設立北京研發(fā)中心與杭州研發(fā)中心,通過在芯片產(chǎn)業(yè)聚集地設置研發(fā)中心的方式積極引進高端研發(fā)技術(shù)人才。半年報還顯示,新一代存儲卡主控芯片及固態(tài)硬盤主控芯片均已進入量產(chǎn)階段,模組導入工作進展順利。

普冉半導近期也發(fā)布2024年半年報。財報顯示,上半年營收8.96億元,同比增長91.22%;凈利潤1.36億元,同比上升273.78%,上年同期凈虧損7824.95萬元。上半年,受益于IOT、可穿戴設備、手機、智能家居等消費電子的景氣度回暖、下游終端應用的功能升級以及新型終端設備的場景應用等,市場需求有所提升。

公開資料顯示,普冉半導體于2016年成立,位于上海自貿(mào)區(qū),是一家以從事非易失性存儲器芯片及基于存儲芯片的衍生芯片的設計與銷售為主的企業(yè)。

聚辰股份2024年上半年營收5.15億元,同比增長62.37%;凈利潤1.43億元,同比增長124.93%。官方資料顯示,2024年隨著下游應用市場需求逐步回暖,在工業(yè)級EEPROM產(chǎn)品和音圈馬達驅(qū)動芯片產(chǎn)品受益于產(chǎn)品線的成功迭代,出貨量同比取得較快速增長,SPD產(chǎn)品、NOR Flash產(chǎn)品以及汽車級EEPROM產(chǎn)品的出貨量同比高速增長。

據(jù)悉,聚辰股份擁有存儲類芯片、音圈馬達驅(qū)動芯片和智能卡芯片三條產(chǎn)品線,產(chǎn)品廣泛應用于智能手機攝像頭模組、內(nèi)存模組、汽車電子等眾多領(lǐng)域。該公司成立于2009年,位于上海市浦東新區(qū),是一家以專門從事高性能、高品質(zhì)集成電路產(chǎn)品的研發(fā)設計和銷售,提供應用解決方案和技術(shù)支持服務為主的企業(yè)。

(二)國產(chǎn)存儲產(chǎn)業(yè)消息不斷

除了發(fā)布最新財報以外,國產(chǎn)存儲項目開工、新品發(fā)布等消息不斷。

01、兆易創(chuàng)新:擬向子公司增資8億元,增加DRAM募投項目實施主體和地點

9月9日,兆易創(chuàng)新發(fā)布公告,公司董事會審議通過增加DRAM募投項目實施主體和地點,并使用部分募集資金向全資子公司及全資孫公司增資的議案。

公告顯示,兆易創(chuàng)新募集資金投資項目“DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”的原實施主體為兆易創(chuàng)新及全資子公司上海格易,實施地點為北京市海淀區(qū)及上海市,現(xiàn)擬增加兆易創(chuàng)新全資子公司珠海橫琴芯存、全資孫公司北京芯存、全資孫公司上海芯存、全資孫公司合肥芯存、全資孫公司西安芯存作為募投項目實施主體,與公司共同實施募投項目,對應增加實施地點珠海市、北京市朝陽區(qū)、合肥市、西安市,并由公司使用部分募集資金向珠海橫琴芯存增資80,000萬元,再由珠海橫琴芯存 使用募集資金向北京芯存、上海芯存、合肥芯存、西安芯存分別增資1,000萬元、1,000萬元、2,000萬元、5,000萬元以實施募投項目。

本次除增加實施主體和地點外,與“DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目”相關(guān)的實施方案等其它內(nèi)容保持不變。兆易創(chuàng)新此前公告顯示,DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目預計總投資39.92億元,公司擬通過本項目研發(fā)1Xnm級(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設計和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。

02、憶恒創(chuàng)源發(fā)布國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級SSD

9月3日,憶恒創(chuàng)源發(fā)布旗下首款全國產(chǎn)PCIe 5.0企業(yè)級NVMe SSD PBlaze7 7A40系列。該產(chǎn)品基于平頭哥鎮(zhèn)岳510芯片打造,產(chǎn)品性能和能效比大幅提升,在業(yè)內(nèi)率先實現(xiàn)4K隨機寫100萬IOPS的突破,可應用于 AI、數(shù)據(jù)庫云計算等領(lǐng)域。

據(jù)悉,憶恒創(chuàng)源新發(fā)布的PBlaze7 7A40系列采用了多項國產(chǎn)自研技術(shù),在讀寫、延遲等性能指標上處于國際領(lǐng)先水平。該產(chǎn)品基于憶恒創(chuàng)源自主統(tǒng)一架構(gòu)平臺 MUFP開發(fā),在硬件架構(gòu)和自研固件的深度優(yōu)化下,4K隨機讀性能達到3300K IOPS,4K隨機寫性能則實現(xiàn)了業(yè)界最高的1000K IOPS;其充分利用平頭哥鎮(zhèn)岳510主控芯片架構(gòu)優(yōu)勢,通過對I/O路徑全面優(yōu)化和精簡處理流程、優(yōu)化數(shù)據(jù)排布等方式,大幅提高了NAND的讀寫效率,將4K隨機讀延遲低至55μs,隨機寫延遲更是降至5μs。

PBlaze7 7A40系列中采用的鎮(zhèn)岳510主控芯片是平頭哥半導體2023年發(fā)布的產(chǎn)品,其使用平頭哥自研芯片架構(gòu),內(nèi)置大量自研硬件加速模塊,有效平衡性能與功耗;在內(nèi)存和接口方面,支持業(yè)界最領(lǐng)先的DDR5、PCIe 5.0技術(shù),大幅提升芯片的數(shù)據(jù)吞吐速率;在可靠性方面,通過自研LDPC糾錯算法與介質(zhì)電壓預測算法,誤碼率比業(yè)內(nèi)標桿領(lǐng)先1個數(shù)量級。

03、新型存儲RRAM傳來新進展!

近日,悅芯科技和??莆⑦_成戰(zhàn)略合作,成功開發(fā)了國內(nèi)首個基于??莆RAM IP的芯片量產(chǎn)測試方案,并已正式進入量產(chǎn)。

公開資料顯示,RRAM(Resistive Random Access Memory)意為阻變式存儲器,也稱憶阻器,具有尺寸易于縮小,高速度,低功耗,低成本,易與CMOS工藝兼容等諸多特點。這些存儲特性能滿足現(xiàn)新興應用領(lǐng)域的需求,未來在消費類電子產(chǎn)品(手機,平板,藍牙耳機等),物聯(lián)網(wǎng),工業(yè)類電子,汽車電子,數(shù)據(jù)中心以及人工智能產(chǎn)品上將得到廣泛運用。RRAM以材料的電阻在外加電場作用下,可在高阻態(tài)和低阻態(tài)之間實現(xiàn)可逆轉(zhuǎn)換,被稱為前瞻性下一代非揮發(fā)存儲器。

據(jù)介紹,悅芯科技的T800 SOC測試平臺具備的Memory Test Option功能,為RRAM芯片的量產(chǎn)提供了堅實的技術(shù)支持。在首顆RRAM芯片量產(chǎn)成功的基礎(chǔ)上,悅芯科技將繼續(xù)支持多款RRAM IP芯片的量產(chǎn),為客戶提供高性能、可靠的完整量產(chǎn)測試解決方案。

悅芯科技的T800 SOC自動測試設備以模塊化設計為主要特色,為不同類別的IC器件提供針對性的測試模塊,實現(xiàn)在單一平臺上擁有測試數(shù)字器件、混合信號器件、SOC芯片器件、嵌入式Flash、獨立Memory的能力,其性能比肩國際主流SOC ATE測試平臺,目前已廣泛應用于FAB,OSAT,Test House, Design House,院校研究所等各類用戶。

悅芯科技成立于2017年2月,專注研發(fā)、生產(chǎn)、銷售各類大規(guī)模集成電路測試設備。公司SOC測試設備T800已開發(fā)量產(chǎn),存儲器測試設備TM8000正在開發(fā)驗證。合肥??莆t是一家專注于開發(fā)先進新型存儲器芯片和接口技術(shù)的科技創(chuàng)新型企業(yè),致力于開發(fā)阻變式存儲器(RRAM)和接口技術(shù),將把下一代內(nèi)存技術(shù)推向市場。

04、七彩虹發(fā)布全新DDR5內(nèi)存

近期,七彩虹推出了其全新白羊座(ARIES)系列DDR5內(nèi)存,首批提供了6000MT/s和6400MT/s速率可選,均為32GB(16GB x2)套裝。據(jù)悉,這款內(nèi)存采用了SK海力士A-die顆粒,測試數(shù)據(jù)顯示,讀取速度可達104.25 GB/s,寫入速度93953 MB/s,復制速度95946 MB/s,延遲69.4 ns,各項指標都較為。

設計上,新款內(nèi)存采用一體成型高密度合金馬甲,上面融合了“星矢”元素的設計,以白色為底,金黃線條勾勒,厚重的散熱模塊緊密貼合顆粒,對熱量進行快速傳導,讓內(nèi)存時刻保持冷靜溫度。

值得一提的是,無論是白羊座系列的DDR4還是DDR5內(nèi)存,均全面支持Intel XMP 2.0及最新的XMP 3.0超頻技術(shù)。這一技術(shù)革新意味著,用戶只需通過簡單的設置,即可一鍵激活內(nèi)存的超頻潛能,無需繁瑣調(diào)整,即可讓內(nèi)存迅速進入最佳性能狀態(tài)。

尤為亮眼的是,DDR5-6000與DDR5-6400規(guī)格的產(chǎn)品,分別搭載了CL38與CL40的低延遲時序,這意味著在提供極致速度的同時,也兼顧了數(shù)據(jù)的快速響應與傳輸。

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DRAMeXchange(全球半導體觀察)官方訂閱號,專注于半導體晶圓代工、IC設計、IC封測、DRAM、NAND Flash、SSD、移動裝置、PC相關(guān)零組件等產(chǎn)業(yè),致力于提供半導體產(chǎn)業(yè)資訊、行情報價、市場趨勢、產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)、研究報告等。