存儲芯片賽道：國內廠商仍在狂奔，項目+融資并行

當前，隨著5G、人工智能（AI）、車聯(lián)網(wǎng)以及云計算等新一代信息技術的快速迭代，海量數(shù)據(jù)增生，驅動著數(shù)據(jù)存儲市場井噴式增長。盡管半導體存儲器行業(yè)整體仍處下行周期，但高算力等部分需求的上漲，正刺激著存儲產業(yè)發(fā)展，并吸引各大廠商下場布局。

今年以來，國內存儲企業(yè)融資事件頻繁發(fā)生，與此同時，多個存儲項目正陸續(xù)上馬。存儲器市場看似平靜的水面之下，其實暗流涌動，存儲芯片賽道國內廠商仍在奔跑。

1、存儲項目多點開花

據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，截止發(fā)稿前，共有15個存儲項目迎來簽約、開工、投產等新進展。

圖表：全球半導體觀察根據(jù)公開信息整理

其中，簽約的項目包括湖北長江萬潤存儲器項目、特納飛存儲基地項目、至訊創(chuàng)新（二期）項目、致真存儲芯片項目、頂米科技Memory存儲器產品封測及研究院項目、深圳佰維存儲第二總部及測試設備研發(fā)生產基地項目、領存技術集成電路封裝生產測試項目等。

開工的項目包括三星半導體存儲芯片項目、湖南長沙同有科技存儲系統(tǒng)及SSD研發(fā)智能制造基地項目等；投產的項目包括四川中兆永燁半導體一期項目、常淳科技半導體總部未來工廠項目。

從已披露的投資金額上看，最高的是芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目，金額約55億元。其次分別是，深圳佰維存儲第二總部及測試設備研發(fā)生產基地項目，金額為30.2億元；致真存儲芯片項目，金額為28.5億元。

芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目

據(jù)青島膠東臨空經(jīng)濟示范區(qū)消息，4月13日，芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目達到全面正負零，項目預計12月投產。芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目一期占地50畝，將建設晶圓切割、研磨及存儲芯片封測生產線，規(guī)劃打造北方首個芯片切割、研磨的公共服務平臺。

去年10月，芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目簽約青島膠州。當時消息顯示，芯恒光存儲芯片切割研磨及封測項目規(guī)劃用地面積50畝，總建筑面積約6.5萬平方米。芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目規(guī)劃建設一條晶圓研磨、切割生產線，研磨切割8-12寸晶圓50萬片/年；建設一條存儲類芯片封測生產線，生產固態(tài)硬盤及芯片，封裝、測試存儲芯片1億顆/年。

深圳佰維存儲第二總部及測試設備研發(fā)生產基地項目

6月27日，深圳佰維存儲第二總部及測試設備研發(fā)生產基地項目簽約。該項目將擴大先進存儲芯片研發(fā)設計業(yè)務規(guī)模，并注冊成立聚焦先進半導體芯片測試設備研發(fā)、生產和銷售的測試設備公司。

該項目在對成都佰維存儲科技有限公司進行增資的同時，成立佰維集團在成都高新區(qū)的獨立法人公司“佰維集團成都測試設備公司”（成都態(tài)坦測試科技有限公司）。

新成立公司將作為佰維集團測試設備業(yè)務的總部，業(yè)務聚焦存儲芯片、邏輯芯片等先進半導體芯片測試設備的研發(fā)、生產和銷售，并將成都高新區(qū)作為測試設備業(yè)務主要的研發(fā)生產基地。

致真存儲芯片項目

據(jù)半島都市報消息，4月22日，致真存儲芯片項目簽約青島西海岸新區(qū)。該項目總投資28.5億元，分兩期在新區(qū)建設8英寸、12英寸新一代存儲芯片生產線及研發(fā)中心，所產芯片將極大提升物聯(lián)網(wǎng)及汽車芯片存儲器性能，將助力新區(qū)打造國內存儲芯片產業(yè)新增長極。

官網(wǎng)顯示，致真存儲（北京）科技有限公司成立于2019年，研發(fā)團隊在自旋存儲芯片領域深耕近十年，具備覆蓋自旋存儲芯片行業(yè)從底層機理、材料研究、上層電路、應用級設計、關鍵制造工藝開發(fā)以及前沿科學技術探究的全方位研發(fā)能力。

致真存儲分別在北京和青島設立了研發(fā)和制造中心。目前，該公司稱，已獲得中科創(chuàng)星、普華資本、中電海康等多方戰(zhàn)略投資，并已簽約青島西海岸新區(qū)，總投資數(shù)十億元，在新區(qū)建設8英寸和12英寸的新一代存儲芯片生產線。

2、存儲企業(yè)屢獲融資

今年來，受需求側逆風影響，存儲器企業(yè)備受困擾，此時資本的加注也將助力企業(yè)渡過存儲器下行難關。據(jù)全球半導體觀察不完全統(tǒng)計，10余家企業(yè)完成階段融資。

知存科技完成2億元B2輪融資：1月6日，存算一體芯片企業(yè)知存科技宣布完成2億元B2輪融資。本輪融資由國投創(chuàng)業(yè)領投，水木春錦資本、領航新界跟投，指數(shù)資本繼續(xù)擔任獨家財務顧問，融資資金將主要用于存內計算芯片量產和新產品開發(fā)，拓展產業(yè)化落地規(guī)模。

鸞起科技完成數(shù)千萬元A輪融資：2月初，存儲測試設備企業(yè)鸞起科技完成數(shù)千萬元A輪融資，由云澤資本獨家投資，所融資金主要用于新產品的研發(fā)，助力鸞起科技提升產品的核心競爭力。該公司存儲測試機可以用到存儲芯片研發(fā)到SSD成品量產各個環(huán)節(jié)，覆蓋存儲全產業(yè)鏈測試環(huán)節(jié)。

大基金二期增資入股長江存儲：2月，國家信用信息公示系統(tǒng)顯示，長江存儲發(fā)生工商信息變更，其注冊資本由約562.7億元增至約1052.7億元人民幣，增幅超87%。同時，大基金二期增資入股，認繳出資額為128.87億元，持股比例達12.24%。

聚辰股份入股武漢喻芯半導體：4月4日，聚辰股份發(fā)布公告稱，公司擬使用人民幣2500萬元的自有資金認購武漢喻芯半導體新增注冊資本人民幣113.64萬元。本次增資完成后，喻芯半導體的注冊資本變更為人民幣1204.55萬元，公司將持有喻芯半導體9.43%的股權。

凌存科技獲pre-A輪融資：5月初，凌存科技戰(zhàn)略投資簽約儀式舉行，本輪系凌存科技pre-A輪融資，由乾融園豐天使基金領投，國芯科技、創(chuàng)耀科技和深圳創(chuàng)享投資跟投。本輪融資將助力凌存科技進一步加速第三代高速、低功耗、高密度磁性存儲器MeRAM的產業(yè)化落地，換道超車，讓國產新型存儲芯片在國際上實現(xiàn)領先優(yōu)勢。

時創(chuàng)意完成A輪2.8億元戰(zhàn)略融資：5月底，時創(chuàng)意完成A輪2.8億元戰(zhàn)略融資，本輪融資將主要用于公司人才梯隊建設、高尖端設備引入及持續(xù)研發(fā)的投入。時創(chuàng)意稱，本次融資將會進一步增強公司的綜合實力，有望實現(xiàn)跨越式增長，為上市打下堅實的基礎。

領存集成電路完成2億元A輪融資：6月初，領存技術全資子公司領存集成電路完成2億元A輪融資，本輪融資由深圳市投控東海投資有限公司投資，募集資金將主要用于國內首家全自動化閃存芯片測試生產線建設。

合肥大唐存儲完成首期外部融資：7月中旬，合肥大唐存儲亦宣布完成首期外部融資，引入國資戰(zhàn)略新股東，但并未披露投資金額及投資方。該公司長期致力于存儲控制器芯片及安全固件的研發(fā)，并提供技術先進的安全存儲解決方案。

銓興科技完成首輪戰(zhàn)略融資：7月底，銓興科技完成首輪戰(zhàn)略融資，由力合科創(chuàng)集團有限公司獨家投資。資金將主要用于銓興科技的兩個重要項目，分別是先進集成電路封裝測試及高端存儲器制造擴產項目，以及企業(yè)級、車規(guī)級存儲器研發(fā)項目。

致真存儲完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資：7月底，致真存儲完成數(shù)千萬元Pre-A輪融資，投資方包括俱成資本、中國互聯(lián)網(wǎng)投資基金、京鵬投資等。本輪融資將主要用于加強研發(fā)團隊建設和設備采購，提升產品研發(fā)能力，加速磁性隨機存儲器（MagneticRandom-Access Memory，MRAM）芯片的研發(fā)和生產線建設落地。

亙存科技完成新一輪融資：9月中旬，聚辰股份宣布完成對MRAM技術企業(yè)亙存科技新一輪融資的領投，優(yōu)源資本、中冀投資和BV百度風投等跟投。亙存科技采用Fabless模式，具備獨立式MRAM存儲芯片”和包含嵌入式MRAM的“AI SoC芯片”兩條核心產品線，定位于消費、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車等領域。

3、存儲器供給需求或將變動

存儲器是半導體市場中極為重要的領域，近年受國際形勢、全球通貨膨脹、消費電子需求不振等各項因素影響，存儲器產業(yè)陷入低谷期。

今年以來，隨著廠商持續(xù)調整庫存，業(yè)界隱約透露，半導體存儲器供給需求或將變動。

據(jù)TrendForce集邦咨詢9月11日研究表示，為應對需求持續(xù)減弱，三星宣布9月起擴大減產幅度至50%，減產仍集中在128層以下制程為主，其他供應商預計也將跟進擴大第四季減產幅度，目的加速庫存去化速度，預估第四季NAND Flash均價有望因此持平或小幅上漲，漲幅預估約0~5%。

而DRAM方面，TrendForce集邦咨詢此前研究指出，受惠于DRAM供應商陸續(xù)啟動減產，整體DRAM供給位元逐季減少，加上季節(jié)性需求支撐，減輕供應商庫存壓力，預期第三季DRAM均價跌幅將會收斂至0~5%。

不過，TrendForce集邦咨詢認為，目前供應商全年庫存應仍處高水位，今年DRAM均價欲落底翻揚的壓力仍大，盡管供給端的減產有助季跌幅的收斂，然實際止跌反彈的時間恐需等到2024年。

從供給需求上看，TrendForce集邦咨詢8月30日預估，DRAM及NAND Flash需求位元年成長率分別有13.0%及16.0%。并認為，盡管需求位元有回升，明年若要有效去化庫存，并回到供需平衡狀態(tài)，重點還是仰賴供應商對于產能有所節(jié)制，若供應商產能控制得宜，存儲器均價則有機會反彈。

4、結語

整體上看，受消費電子等終端市場冷風沖擊，目前存儲器產業(yè)仍有待復蘇。而在期盼暖風吹來的日子里，國內不少存儲企業(yè)正在通過合理規(guī)劃項目與產能，以及尋求資本市場助力等方式應對下行周期，只為東風來時，萬事有備。