PMOS

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動運(yùn)送電流的MOS管。全稱 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 用PMOS搭建一個(gè)電源端防反接電路，附帶仿真原理圖和仿真驗(yàn)證結(jié)果
    在電子設(shè)計(jì)中，電源接反是個(gè)“老大難”問題，輕則燒元件，重則全軍覆沒。而PMOS防反接電路以其簡潔高效，成為了電路設(shè)計(jì)的“護(hù)城河”。接下來我們就從原理設(shè)計(jì)結(jié)合仿真驗(yàn)證看看電路的防反效果。
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  • PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！
    近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計(jì)及制造工藝取得了非常巨大的進(jìn)步，越來越多的先進(jìn)技術(shù)運(yùn)用到集成電路制造工藝中，促進(jìn)了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進(jìn)入先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后，器件可靠性問題日趨嚴(yán)重，對器件的進(jìn)一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴(yán)重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時(shí)比較棘手的問題之一。
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    04/28 12:05
    PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！
  • 手把手教你用PMOS搭建一個(gè)電源端反接保護(hù)電路，1000字搞清楚每個(gè)器件的選型
    下面是一個(gè)反接保護(hù)電路，用在12V電源輸入端，保護(hù)后級負(fù)載不被電源接反給“坑”了。這個(gè)電路的核心任務(wù)是防止電源正負(fù)極接反時(shí)，電流反向流到負(fù)載，把后級電路燒壞。
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  • PMOS與NMOS的工作原理
    學(xué)員問：PMOS與NMOS是如何工作的？什么是PMOS與NMOS？此處以增強(qiáng)型PMOS,NMOS為例，通常說的MOS管說的都是增強(qiáng)型MOS管。
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    03/10 16:12
    PMOS與NMOS的工作原理
  • 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺
    在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導(dǎo)的退化是一個(gè)重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時(shí)獲得動能。當(dāng)大多數(shù)載流子到達(dá)漏極時(shí)，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時(shí)間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子
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  • 數(shù)字邏輯電路之邏輯門非邏輯
    在數(shù)字電路中，基礎(chǔ)邏輯門最后一個(gè)為非門，非門又叫反向器，是將輸入信號取反然后輸出。
    3.8萬
    2024/07/30
  • PMOS管和NMOS管的區(qū)別
    1. PMOS管 摻雜類型：PMOS管中，溝道為P型，也就是在P型半導(dǎo)體中形成導(dǎo)電通道。 電子流動：PMOS管中，電子從N型源極注入到P型溝道，然后通過漏極流出。 電壓控制：PMOS管的導(dǎo)通受負(fù)電壓控制，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，PMOS管導(dǎo)通；當(dāng)柵極施加負(fù)電壓時(shí)，PMOS管截止。 邏輯電平：在數(shù)字電路中，PMOS管通常用于實(shí)現(xiàn)負(fù)邏輯（即高電平對應(yīng)0，低電平對應(yīng)1）。 2. NMOS管 摻雜類型：NMO
    2292
    03/13 08:33
  • cmos和nmos以及pmos的區(qū)別
    CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）和PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）是三種常見的MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件類型。
    1.5萬
    2024/11/28

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