PMOS

• 用4200A和矩陣開關(guān)搭建自動智能的可靠性評估平臺
  

  在現(xiàn)代ULSI電路中溝道熱載流子（CHC）誘導的退化是一個重要的與可靠性相關(guān)的問題。載流子在通過MOSFET通道的大電場加速時獲得動能。當大多數(shù)載流子到達漏極時，熱載流子（動能非常高的載流子）由于原子能級碰撞的沖擊電離，可以在漏極附近產(chǎn)生電子—空穴對。其他的可以注入柵極通道界面，打破Si-H鍵，增加界面態(tài)密度。CHC的影響是器件參數(shù)的時間相關(guān)的退化，如VT、IDLIN和IDSAT。這種通道熱載流子

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  12/11 08:38

  編輯器 NMOS
• cmos和nmos以及pmos的區(qū)別
  CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）和PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）是三種常見的MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件類型。

  eefocus_3901714

  1887

  11/28 14:49

  CMOS MOS

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