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MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;別名 : positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道,靠空穴的流動運送電流的MOS管。全稱 : positive channel Metal Oxide Semiconductor;別名 : positive MOS。收起

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    1萬
    08/08 11:40
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    無籃球,不夏天!今年夏天,「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開場!本屆賽事是由德益會智造 SK廠BA籃球館承辦,Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助!自7月5日晚的開幕式至7月16日晚的頒獎閉幕式,這期間德益會智造隊等11支球隊奮力拼搏,秉持“友誼第一,比賽第二”的賽事精神,用汗水、激情和活力傾力奉獻了29場精彩紛呈、亮點不斷的賽事!Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強先生出席開幕式,期間多次到場觀賽助戰(zhàn),
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    2205
    04/24 10:39
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    大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大,要么就是嫌自己并的不夠多,然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管,或者多并聯(lián)了幾個后,還是會出現(xiàn)燒毀的情況,真是捉摸不透啊。其實并不是我們選擇 MOS 有問題,而是我們電路的設(shè)計上沒有注意 MOS 的微觀狀態(tài),當(dāng)然一定的降額設(shè)計和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過流損壞。我認為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種:機械損壞,過流燒毀,過壓擊穿。
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    BMS 系統(tǒng)中最主要的功能,當(dāng)為保護莫屬,無論是過壓欠壓保護,還是高溫低溫保護,亦或是過流及短路保護。這其中最考驗電路設(shè)計的地方當(dāng)屬過流保護和短路保護,原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的,而對于電流,是時常出現(xiàn)突變的。
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    MOS管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電子領(lǐng)域。它具有優(yōu)異的開關(guān)性能、高頻特性和低功耗優(yōu)勢,因此在集成電路、通信系統(tǒng)、計算機硬件以及消費電子等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
    3005
    02/06 15:03
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  • mos管n溝道和p溝道的區(qū)別
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