MOS管

• 共柵極架構(gòu)LNA

  在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過程。 具體可以看MOS管的三種基本電路。 共柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電壓增益，輸入電阻和輸出電阻的推導(dǎo)如下圖。 如果考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，則又變成： 從上述推導(dǎo)，可以知道，共柵架構(gòu)的輸入阻抗很小，這使得其很容易達(dá)到50ohm。 不過，RD一方面為偏置電阻，另一方面又是增益的一部分；而作為增益的一部分，希望它越大

  加油射頻工程師

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  06/30 14:33

  MOS管
• N管15V10場效應(yīng)管 電源點(diǎn)煙器/磁吸燈NMOS管HC070N10L 100V15A

  產(chǎn)品優(yōu)勢： 強(qiáng)勁功率處理： 額定 100V 漏源電壓 (Vds) 和 15A 連續(xù)漏極電流 (Id)，應(yīng)對中小功率開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動、負(fù)載開關(guān)等應(yīng)用。 低壓高效驅(qū)動： 專為 5V邏輯電平 優(yōu)化設(shè)計！Vgs(th)低，增強(qiáng)型，在 Vgs=4.5V 時即呈現(xiàn) 低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))。這意味著： 可直接由單片機(jī)、邏輯電路（3.3V/5V系統(tǒng)）高效驅(qū)動，無需復(fù)雜電平轉(zhuǎn)換。顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，減少發(fā)熱。 可靠性： 100% 雪崩測試 (UIS

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  06/30 09:32

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