MOS管

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PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。

PMOS是指n型襯底、p溝道，靠空穴的流動(dòng)運(yùn)送電流的MOS管。全稱(chēng) ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；別名 ： positive MOS。收起

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  • 共柵極架構(gòu)LNA
    在分析共柵極架構(gòu)(CG)的LNA前，需要先回顧一下共柵架構(gòu)MOS管的輸入阻抗，輸出阻抗和電壓增益的推導(dǎo)過(guò)程。 具體可以看MOS管的三種基本電路。 共柵拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的電壓增益，輸入電阻和輸出電阻的推導(dǎo)如下圖。 如果考慮溝道調(diào)制效應(yīng)，則又變成： 從上述推導(dǎo)，可以知道，共柵架構(gòu)的輸入阻抗很小，這使得其很容易達(dá)到50ohm。 不過(guò)，RD一方面為偏置電阻，另一方面又是增益的一部分；而作為增益的一部分，希望它越大
  • N管15V10場(chǎng)效應(yīng)管 電源點(diǎn)煙器/磁吸燈NMOS管HC070N10L 100V15A
    產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)： 強(qiáng)勁功率處理： 額定 100V 漏源電壓 (Vds) 和 15A 連續(xù)漏極電流 (Id)，應(yīng)對(duì)中小功率開(kāi)關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、負(fù)載開(kāi)關(guān)等應(yīng)用。 低壓高效驅(qū)動(dòng)： 專(zhuān)為 5V邏輯電平 優(yōu)化設(shè)計(jì)！Vgs(th)低，增強(qiáng)型，在 Vgs=4.5V 時(shí)即呈現(xiàn) 低的導(dǎo)通電阻 (Rds(on))。這意味著： 可直接由單片機(jī)、邏輯電路（3.3V/5V系統(tǒng)）高效驅(qū)動(dòng)，無(wú)需復(fù)雜電平轉(zhuǎn)換。顯著降低導(dǎo)通損耗，提升系統(tǒng)效率，減少發(fā)熱。 可靠性： 100% 雪崩測(cè)試 (UIS
  • 南芯科技推出內(nèi)置MOS管的高集成度升降壓充電芯片
    南芯科技（證券代碼：688484）宣布推出全集成同步雙向升降壓充電芯片 SC8911，該芯片配備 I2C 接口，專(zhuān)為常見(jiàn)的 2 串電池 30W 充電寶應(yīng)用進(jìn)行了效率優(yōu)化，可有效降低外殼溫升，為用戶(hù)提供更安全、更高效的充電體驗(yàn)。SC8911 可支持 OTG 反向升壓功能，兼容涓流充電、預(yù)充電、恒流充電、恒壓充電、自動(dòng)終止等多種模式，助力客戶(hù)實(shí)現(xiàn)更高的效率、更低的 BOM 成本和更小的 BOM 尺寸。
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  • 從焊接虛焊到靜電擊穿：MDDMOS管安裝環(huán)節(jié)的問(wèn)題
    在電子制造中，MDDMOS管的安裝環(huán)節(jié)暗藏諸多風(fēng)險(xiǎn)。某智能手表產(chǎn)線(xiàn)因焊接虛焊導(dǎo)致30%的MOS管失效，返工成本超百萬(wàn)。本文MDD通過(guò)典型故障案例，剖析安裝過(guò)程中的五大核心問(wèn)題，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、焊接虛焊：IMC層的致命缺陷 案例：某無(wú)人機(jī)電調(diào)批量出現(xiàn)MOS管功能異常，X射線(xiàn)檢測(cè)顯示焊點(diǎn)空洞率達(dá)25%。 機(jī)理分析： 焊接溫度曲線(xiàn)偏差（峰值溫度未達(dá)235℃），導(dǎo)致錫膏與銅層間未形成均勻的IM
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  • 驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)踩坑錄：MDDMOS管開(kāi)關(guān)異常的診斷與修復(fù)
    在電力電子系統(tǒng)中，MDDMOS管的開(kāi)關(guān)異常往往導(dǎo)致效率驟降、EMI超標(biāo)甚至器件損毀。某新能源汽車(chē)OBC模塊因驅(qū)動(dòng)波形振蕩引發(fā)MOS管過(guò)熱，導(dǎo)致整機(jī)返修率高達(dá)15%。本文結(jié)合典型故障案例，剖析驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)中的四大關(guān)鍵陷阱，并提供系統(tǒng)性解決方案。 一、柵極振蕩：探針引發(fā)的“假故障” 故障現(xiàn)象： 某變頻器驅(qū)動(dòng)波形實(shí)測(cè)時(shí)出現(xiàn)20MHz高頻振蕩，但上機(jī)后MOS管溫升異常。 根因分析： 傳統(tǒng)探針接地線(xiàn)過(guò)長(zhǎng)（&
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  • MOS管發(fā)燙嚴(yán)重：從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)波形的優(yōu)化實(shí)戰(zhàn)|MDD
    在電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源轉(zhuǎn)換等場(chǎng)景中，MDDMOS管?chē)?yán)重發(fā)熱是工程師面臨的常見(jiàn)挑戰(zhàn)。某工業(yè)伺服驅(qū)動(dòng)器因MOS管溫升達(dá)105℃，導(dǎo)致系統(tǒng)頻繁觸發(fā)過(guò)溫保護(hù)。本文通過(guò)解析發(fā)熱機(jī)理，結(jié)合實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，提供從散熱設(shè)計(jì)到驅(qū)動(dòng)優(yōu)化的系統(tǒng)性解決方案。 一、發(fā)熱根源：損耗模型的精準(zhǔn)拆解 MOS管發(fā)熱本質(zhì)是能量損耗的累積，主要包含： 導(dǎo)通損耗：P=IMsxRs(o)xD， 某50A電機(jī)驅(qū)動(dòng)案例中，Rds(on)=5mΩ，占空比D
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  • MOS管選型十大陷阱：參數(shù)誤讀引發(fā)的血淚教訓(xùn)MDD
    在電力電子設(shè)計(jì)中，MOS管選型失誤導(dǎo)致的硬件失效屢見(jiàn)不鮮。某光伏逆變器因忽視Coss參數(shù)引發(fā)炸管，直接損失50萬(wàn)元。本文以真實(shí)案例為鑒，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體帶您解析MOS管選型中的十大參數(shù)陷阱，為工程師提供避坑指南。 一、VDS耐壓虛標(biāo)：動(dòng)態(tài)尖峰的致命盲區(qū) 誤讀后果：某充電樁模塊標(biāo)稱(chēng)650V耐壓MOS管，實(shí)際測(cè)試中因關(guān)斷尖峰達(dá)720V導(dǎo)致批量擊穿。 數(shù)據(jù)手冊(cè)陷阱：廠家標(biāo)稱(chēng)VDS為直流耐壓值，未考慮動(dòng)態(tài)
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  • MOS管莫名燒毀？5大元兇與防護(hù)方案深度解析MDD
    在電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，MOS管燒毀是工程師常遇的棘手問(wèn)題。MDD辰達(dá)半導(dǎo)體在本文結(jié)合典型失效案例與工程實(shí)踐，深度解析五大核心失效機(jī)理及防護(hù)策略，為電路可靠性提供系統(tǒng)性解決方案。 一、過(guò)壓擊穿：雪崩能量的致命威脅 過(guò)壓是MOS管燒毀的首要元兇，常見(jiàn)于電源浪涌、感性負(fù)載關(guān)斷時(shí)的電壓尖峰。當(dāng)漏源電壓（VDS）超過(guò)額定耐壓時(shí)，雪崩擊穿瞬間產(chǎn)生焦耳熱，導(dǎo)致芯片局部熔融。例如，某共享充電寶主板的MOS管因未配置T
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  • MOS管在不同電路中有什么作用
    MOS管，全稱(chēng)金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），是電子電路中非常重要的一種元件。它在不同電路中具有多種作用，以下是MOS管在不同電路中的具體作用： 一、作為開(kāi)關(guān) MOS管最常用的功能之一是作為電子開(kāi)關(guān)。在數(shù)字電路中，MOS管可以非?？焖俚卦趯?dǎo)通（ON）和截止（OFF）狀態(tài)之間切換，實(shí)現(xiàn)信號(hào)的邏輯控
  • 提升MOS管驅(qū)動(dòng)電路抗干擾性能
    不管什么電路，抗干擾能力都是它的一個(gè)重要指標(biāo)，對(duì)于MOS管驅(qū)動(dòng)電路更是如此。因?yàn)镸OS管不是工作在一個(gè)理想的沒(méi)有任何電磁干擾的環(huán)境，在一些電磁環(huán)境惡劣的條件下，如果我們的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)的不盡合理，可能會(huì)出現(xiàn)MOS管誤打開(kāi)或者非受控關(guān)斷，輕則影響性能，重則會(huì)對(duì)用戶(hù)造成傷害。
  • 三極管和MOS管有什么區(qū)別
    三極管和MOS管是電子電路中常見(jiàn)的兩種元器件，它們各自具有獨(dú)特的特點(diǎn)和用途。以下是三極管和MOS管的主要區(qū)別： 一、控制方式不同 三極管：是電流控制型器件。三極管的導(dǎo)通需要在其基極（b極）提供電流，才能使發(fā)射極（e極）和集電極（c極）之間導(dǎo)通。流過(guò)ce之間的電流與b極電流的關(guān)系是Ib*β=Ice，其中β稱(chēng)為三極管的放大倍數(shù)。 MOS管：是電壓控制型器件。MOS管的導(dǎo)通需要提供一定的柵源電壓（Vgs
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  • 解鎖MOS管：溫度估算不再燒腦~
    溫度是影響MOSFET壽命的關(guān)鍵要素之一，為防止過(guò)熱導(dǎo)致的MOS失效，使用前進(jìn)行簡(jiǎn)單的溫度估算是必要的。MOS管發(fā)熱的主要原因是其工作過(guò)程中產(chǎn)生的各種損耗，能量不會(huì)憑空消失，損失的能量最終會(huì)通過(guò)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃勘幌牡?，損耗越大發(fā)熱量也隨之越大。在MOSFET開(kāi)啟的過(guò)程中隨著
    1.1萬(wàn)
    2024/08/08
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  • 反激式電源為什么上電最容易燒MOS管？
    這篇文章總結(jié)一下最近在研究的反激電源RCD吸收回路和VDS尖峰問(wèn)題。這也是為什么MOS管在開(kāi)機(jī)容易被電壓應(yīng)力擊穿的原因。下圖是反激電源變壓器部分的拓?fù)洹?/div>
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  • 首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽圓滿(mǎn)舉辦
    無(wú)籃球，不夏天！今年夏天，「首屆“薩科微”杯廠BA籃球聯(lián)賽」火熱開(kāi)場(chǎng)！本屆賽事是由德益會(huì)智造 SK廠BA籃球館承辦，Slkor薩科微半導(dǎo)體冠名贊助！自7月5日晚的開(kāi)幕式至7月16日晚的頒獎(jiǎng)閉幕式，這期間德益會(huì)智造隊(duì)等11支球隊(duì)奮力拼搏，秉持“友誼第一，比賽第二”的賽事精神，用汗水、激情和活力傾力奉獻(xiàn)了29場(chǎng)精彩紛呈、亮點(diǎn)不斷的賽事！Slkor薩科微總經(jīng)理宋仕強(qiáng)先生出席開(kāi)幕式，期間多次到場(chǎng)觀賽助戰(zhàn)，
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  • MOS管的大信號(hào)模型和小信號(hào)模型--電路分析的基礎(chǔ)
    NMOS管，其電路模型可分為大信號(hào)模型和小信號(hào)模型。大信號(hào)模型，是一個(gè)完整的通用的模型，其對(duì)輸入交流信號(hào)沒(méi)有要求；而小信號(hào)模型，使用的前提，是輸入交流信號(hào)足夠的小。
  • 對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來(lái)大進(jìn)步！
    我國(guó)的科學(xué)研究和先進(jìn)技術(shù)，與先進(jìn)國(guó)家相比還有差距，這一點(diǎn)還體現(xiàn)在社會(huì)生產(chǎn)效率和人均GDP上面。宋仕強(qiáng)說(shuō)，我們只有抓住科技進(jìn)步的風(fēng)口如人工智能（AI），再加上公司內(nèi)部的研發(fā)和管理等環(huán)節(jié)的微創(chuàng)新，才可以立于不敗之地。深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司近年來(lái)發(fā)展迅速，憑借碳化硅、氮化鎵等新材料、功率器件設(shè)計(jì)加工環(huán)節(jié)的先進(jìn)工藝、高效管理和快速擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，不斷降低產(chǎn)品價(jià)格、提高市場(chǎng)的占有率，受到了世界各地客戶(hù)的認(rèn)
    對(duì)標(biāo)學(xué)習(xí)世界級(jí)企業(yè) 薩科微Slkor半導(dǎo)體不斷微創(chuàng)新帶來(lái)大進(jìn)步！
  • AMEYA360：MOS管失效的六大原因
    功率器件在近幾年的市場(chǎng)方面發(fā)展的非?；鸨绕涫?MOS 管，他主要應(yīng)用在電源適配器，電池管理系統(tǒng)以及逆變器和電機(jī)控制系統(tǒng)中。而隨著計(jì)算器主板，AI 顯卡，服務(wù)器等行業(yè)的爆發(fā)，低壓功率 MOS 管將再次迎來(lái)爆發(fā)性的市場(chǎng)需求。
    2017
    2024/04/24
  • MOS管參數(shù)解析及國(guó)內(nèi)外大廠技術(shù)對(duì)比
    MOSFET的單位面積導(dǎo)通電阻和優(yōu)值系數(shù)(FOM)參數(shù)代表了MOSFET的性能，是各大MOSFET廠商產(chǎn)品參數(shù)展示的關(guān)鍵指標(biāo)，也是體現(xiàn)MOSFET芯片制造工藝核心技術(shù)能力的關(guān)鍵指標(biāo)。
    MOS管參數(shù)解析及國(guó)內(nèi)外大廠技術(shù)對(duì)比
  • BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
    大多數(shù)人想到的原因要么是自己選的 MOS 耐流能力不夠大，要么就是嫌自己并的不夠多，然而當(dāng)我們換了更大的 MOS 管，或者多并聯(lián)了幾個(gè)后，還是會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況，真是捉摸不透啊。其實(shí)并不是我們選擇 MOS 有問(wèn)題，而是我們電路的設(shè)計(jì)上沒(méi)有注意 MOS 的微觀狀態(tài)，當(dāng)然一定的降額設(shè)計(jì)和良好的散熱是必不可少的。今天聊一下 BMS 中 MOS 管的過(guò)流損壞。我認(rèn)為半導(dǎo)體器件的損壞大體上可以分為三種：機(jī)械損壞，過(guò)流燒毀，過(guò)壓擊穿。
    BMS 中的放電 MOS 是怎么燒毀的？
  • 【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型
    BMS 系統(tǒng)中最主要的功能，當(dāng)為保護(hù)莫屬，無(wú)論是過(guò)壓欠壓保護(hù)，還是高溫低溫保護(hù)，亦或是過(guò)流及短路保護(hù)。這其中最考驗(yàn)電路設(shè)計(jì)的地方當(dāng)屬過(guò)流保護(hù)和短路保護(hù)，原因在于BMS 系統(tǒng)中溫度和電壓的突變幾乎是不可能的，而對(duì)于電流，是時(shí)常出現(xiàn)突變的。
    1.2萬(wàn)
    2024/02/19
    【六】BMS 的保護(hù)電路設(shè)計(jì)及 MOS 管選型

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