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GaAs

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砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。

砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國(guó)際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。收起

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    UMS的CHA5659-98F是款四級(jí)單片GaAs高功率放大器,輸出功率為1.3瓦。CHA5659-98F是極度線性的,具備可能出現(xiàn)的增益控制并集成化功率檢測(cè)器。包含ESD保護(hù)。
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    近幾年,受到市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)以及地緣政治等因素的影響,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)自主研發(fā)熱潮,與此同時(shí),同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)問題不斷涌現(xiàn),尤其在射頻前端領(lǐng)域怎一個(gè)“卷”字了得。當(dāng)然“卷”也有兩面性,好的一面是充分競(jìng)爭(zhēng)下的行業(yè)創(chuàng)新動(dòng)力會(huì)更強(qiáng),而不好的一面是大多數(shù)企業(yè)沒辦法做到技術(shù)迭代和資金流的正向循環(huán)。 圖 | 地芯科技副總裁張頂平 地芯科技副總裁張頂平就此表示:“射頻前端行業(yè)的卷有目共睹,做同樣PA產(chǎn)品的企業(yè)可能就有十幾到二十
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    2023/05/19
  • 誰將成為化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)贏家?
    與非導(dǎo)語 你中有我,我中有你,卷在一起。 隨著世界對(duì)通信、傳感和功率效率的要求越來越高,到2027年,CS(化合物半導(dǎo)體)襯底材料市場(chǎng)將翻一番以上,與硅相比,預(yù)計(jì)用于功率應(yīng)用的SiC的市場(chǎng)份額將大幅增加。這是Yole Group旗下Yole Intelligence《2022年化合物半導(dǎo)體現(xiàn)狀》的觀點(diǎn)。所有的大趨勢(shì)都在其路線圖中增加了化合物半導(dǎo)體器件的使用。 用于RF(射頻)GaN的襯底包括硅和S
    2721
    2023/04/20
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    可見光激光器的應(yīng)用是十分廣泛的,甚至有人說可見激光是比LED更棒的光源。但是其發(fā)展的主要困難是如何選擇合適的有源層、限制層材料以及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)工藝。
  • GaAs Thin Wafer的強(qiáng)度提升探究
    上幾天研究了一下GaAs的拋光,其實(shí)化合物半導(dǎo)體的拋光都會(huì)面臨薄晶圓強(qiáng)度小,晶圓有著天然的解離鏡像,容易裂片的問題。
  • 半導(dǎo)體激光器芯片減薄、拋光工藝
    激光器都是在外延的基礎(chǔ)上做出芯片的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),外延厚度2寸的在350um,4寸的在460um左右,到芯片后期,都需要對(duì)晶圓進(jìn)行減薄,厚度有做到80um的,也有120um的,通常為兼顧芯片性能和破片良率問題,100um的厚度成為常見厚度。
  • 化合物半導(dǎo)體 | GaN和GaAs市場(chǎng)是競(jìng)爭(zhēng)還是和諧?
    2021年第一季度以來,半導(dǎo)體行業(yè),確切說是化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)發(fā)生了一些引人注目的變化:SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)和GaAs(砷化鎵)均在其中。
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    2021/11/16
  • Peregrine:UltraCMOS高頻產(chǎn)品擴(kuò)展至以往GaAs主導(dǎo)頻段
    Peregrine(派更半導(dǎo)體)規(guī)模并不大,在被村田收購前,營(yíng)收規(guī)模約為2億美元,是一家小而有特色的射頻技術(shù)公司,派更半導(dǎo)體的特色就在于其UltraCMOS技術(shù)。 派更半導(dǎo)體創(chuàng)始人Ron Reedy 與 Mark Burgener等是RF SOI(射頻絕緣體上硅)技術(shù)的發(fā)明者,UltraCMOS技術(shù)源于Ron Reedy
  • 芯思想 | 美國(guó)軍用GaN進(jìn)展情況
    2005年,美國(guó)國(guó)防部高級(jí)研究計(jì)劃局(DARPA)為開始將氮化鎵(GaN)視為砷化鎵(GaAs)的替代品,開始為制造商提供GaN研發(fā)資金,從而開始致力于其發(fā)展??梢哉f近十年來,電子戰(zhàn)和雷達(dá)最大的變化之一就是材料由GaAs向GaN過渡,度由此帶來功率、可靠性和經(jīng)濟(jì)上的改善。
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    2017/03/28
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    美國(guó)高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射頻前端(RFFE)解決方案,包括首度推出砷化鎵(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模塊,與首款支持載波聚合(Carrier Aggregation,CA)的動(dòng)態(tài)天線調(diào)諧解決方案。
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    運(yùn)營(yíng)商、設(shè)備廠商和芯片廠商正在齊心協(xié)力地推動(dòng)第五代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)(即5G)的制定。5G是現(xiàn)在4G(也稱為長(zhǎng)期演進(jìn)項(xiàng)目,Long term evolution,即LTE)移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)的下一代,5G數(shù)據(jù)傳輸速率可超過10Gbps,是現(xiàn)在LTE標(biāo)準(zhǔn)的100倍。5G技術(shù)能否成為現(xiàn)實(shí),現(xiàn)在還是一個(gè)疑問。 不過,5G市場(chǎng)已經(jīng)開始升溫。
    12
    1評(píng)論
    2016/07/01
  • 新日本無線:智能手機(jī)仍有利可圖
    2015年的電子產(chǎn)業(yè)主要是由智能手機(jī)和汽車電子配件以及工業(yè)設(shè)備三大領(lǐng)域來引領(lǐng)其發(fā)展。但是,智能手機(jī)行業(yè)受到中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)率下降的影響,器件廠商接受的訂單出現(xiàn)了逐步低落的傾向。雖然如此,但也擋不住一些廠商在智能手機(jī)領(lǐng)域有所斬獲。新日本無線即如此,新日本無線常務(wù)執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部部長(zhǎng)村田 隆明表示
  • CMOS定江山,射頻工藝之爭(zhēng)到了水落石出的時(shí)候?
    射頻領(lǐng)域圍繞器件工藝一直有很激烈的爭(zhēng)論,放在5年前有廠商提出要用純硅的CMOS工藝器件替代GaAs,在當(dāng)時(shí)可能被視為笑談。RFaxis公司是能夠一路堅(jiān)持下來并看到希望的為數(shù)不多的純CMOS射頻器件公司之一。和高通的合作可以說為RFaxis打開了一扇門,可以進(jìn)入消費(fèi)以及更大的通信市場(chǎng)這片藍(lán)海。
  • 嘿,芯片設(shè)計(jì)師,你選對(duì)工藝了嗎?
    當(dāng)我們把目光投向每天出現(xiàn)在我們的生活中的很多智能系統(tǒng)和小工具 - 從電子書閱讀器到醫(yī)療設(shè)備,從電動(dòng)汽車到混合動(dòng)力車,會(huì)很自然地假設(shè)是由于硅半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展使一切變成可能,相關(guān)的尺寸和功耗的代代下降遵從大名鼎鼎的摩爾定律。
  • 慕展廠商深度解析:Triquint-合并之后的市場(chǎng)機(jī)會(huì)
    雖然官方消息稱之為RFMD對(duì)Triquint的收購,但在Triquint大中國(guó)區(qū)總經(jīng)理熊挺這里,更愿意稱其為一場(chǎng)合并,因?yàn)閮杉覐S商營(yíng)收基本是1:1,收購后雙方各持股份也基本是1:1,目前公布的高層人員配比同樣是1:1。但此次合并對(duì)整個(gè)射頻領(lǐng)域而言無疑于一次地震,可能改變整個(gè)產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)格局。
    1
    2014/03/26

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