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Peregrine（派更半導(dǎo)體）規(guī)模并不大，在被村田收購前，營收規(guī)模約為 2 億美元，是一家小而有特色的射頻技術(shù)公司，派更半導(dǎo)體的特色就在于其 UltraCMOS 技術(shù)。
派更半導(dǎo)體創(chuàng)始人 Ron Reedy 與 Mark Burgener 等是 RF SOI（射頻絕緣體上硅）技術(shù)的發(fā)明者，UltraCMOS 技術(shù)源于 Ron Reedy、Mark Burgener 與 Graham Garcia 在 1988 年發(fā)表的一篇論文，在該論文中，他們提出了一種利用藍(lán)寶石 SOI 襯底制造射頻 CMOS 器件的技術(shù)， 以滿足當(dāng)時(shí)射頻技術(shù)發(fā)展對器件性能與集成度的要求，這就是后來的 UltraCMOS 技術(shù)，用派更半導(dǎo)體的話描述即 UltraCMOS 是“更高級的 SOI 技術(shù)”。
傳統(tǒng)射頻或混合信號器件多采用 GaAs（砷化鎵）或硅鍺（SiGe）及 BiCMOS 等工藝，采用 CMOS 工藝的 UltraCMOS（即 RF SOI）器件在可靠性、成本、良率與集成度上都有優(yōu)勢，性能也不輸 GaAs 或者 SiGe，派更的 UltraCMOS 技術(shù)經(jīng)過 20 多年的發(fā)展，在性能上也越來越好。
特別是如今多模多頻射頻器件的流行，讓 GaAs 工藝受到不少挑戰(zhàn)，要提高線性度，GaAs 技術(shù)就必須增加插入損耗和芯片面積（與成本直接相關(guān)），UltraCMOS 具備將一組場效應(yīng)管集成在單顆 SOI 裸片的能力，所以在線性度、諧波等指標(biāo)上，現(xiàn)在的 GaAs 產(chǎn)品性能難以達(dá)到派更 UltraCMOS 水準(zhǔn)。
在 2017 年電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新大會（EDI CON）上，派更發(fā)布了幾款基于 UltraCMOS 技術(shù)的新產(chǎn)品，包括 100 瓦功率限幅器、60GHz 開關(guān)以及兼具高性能與高擲數(shù)的開關(guān)等。
PE45361 是派更半導(dǎo)體首款利用 ULtraCMOS 技術(shù)開發(fā)的 100 瓦功率限幅器，突破了 RF SOI 技術(shù)對功率處理的局限，相比過去 50 瓦的功率限幅器，PE45361 具備更高的脈沖功率處理能力、更低的限幅閾值及正向閾值控制功能。
據(jù)派更高性能模擬射頻市場產(chǎn)品經(jīng)理 James Lee 介紹，與 GaAs 工藝 PIN 二極管分立式功率限幅器方案相比，UltraCMOS 功率限幅器可保護(hù)設(shè)備不會受到過高 RF 功率、故意干擾及 ESD 事件的損害。
PE42525 和 PE426525 已經(jīng)量產(chǎn)，這是業(yè)內(nèi)首個(gè)達(dá)到 60GHz 工作頻率的 RF SOI 開關(guān)產(chǎn)品系列，該系列產(chǎn)品將派更的高頻產(chǎn)品組合擴(kuò)展至以往由 GaAs 技術(shù)主導(dǎo)的頻段。據(jù) James Lee 介紹，與 GaAs 開關(guān)比較，UltraCMOS 60GHz 開關(guān)在包括帶寬、插入損耗、隔離度、線性度、開關(guān)時(shí)間、ESD 和工作溫度范圍等所有關(guān)鍵指標(biāo)上，都有優(yōu)勢。PE42525 使用于 5G 系統(tǒng)中測試與測量（T&M）設(shè)備、微波回傳解決方案及更高頻率開關(guān)等領(lǐng)域，PE426525 擴(kuò)展了適用溫度區(qū)間（達(dá)到 -55℃至 125℃），成為工業(yè)市場中嚴(yán)苛環(huán)境應(yīng)用的首選。
PE42562、PE42582 和 PE42512 等高擲數(shù)、高性能開關(guān)主要應(yīng)用于測試測量儀器或者通信領(lǐng)域，寬頻范圍可達(dá) 9kHz-8GHz，并配有一個(gè)用于清除雜散的外部 Vss 引腳。這一系列產(chǎn)品具有低插入損耗、高隔離度、高線性度，以及及快速開關(guān)時(shí)間與穩(wěn)定時(shí)間等特征，是濾波器組切換及信號發(fā)射 / 接收（T/R）路徑切換等測試與測量應(yīng)用程序的合適選擇。
在發(fā)布會上，James Lee 還表示，被收購以后，借助村田的資源，派更半導(dǎo)體這兩年發(fā)展速度驚人，營收增長了 90%，員工數(shù)量增加了約 40%，專利申請數(shù)增加了 70%。毫無疑問，并入村田給派更半導(dǎo)體帶來了更多的發(fā)展機(jī)遇，除了快速增長，派更在技術(shù)路線上從 UltraCMOS 拓展到智能集成，這將結(jié)合村田與派更的優(yōu)勢，是非常有前景的一個(gè)方向。
