CVD

• 先進(jìn)邏輯和3D存儲(chǔ)的希望，PECVD、晶圓鍵合龍頭——拓荊科技
  

  隨著集成電路制造不斷向更先進(jìn)工藝發(fā)展，單位面積集成的電路規(guī)模不斷擴(kuò)大， 芯片內(nèi)部立體結(jié)構(gòu)日趨復(fù)雜，所需要的薄膜層數(shù)越來(lái)越多，對(duì)絕緣介質(zhì)薄膜、導(dǎo)電金屬薄膜的材料種類和性能參數(shù)不斷提出新的要求。在 90nm CMOS 工藝，大約需要 40 道薄膜沉積工序。在 3nmFinFET 工藝產(chǎn)線，需要超過(guò) 100 道薄膜沉積工序，涉及的薄膜材料由 6 種增加到近 20 種，對(duì)于薄膜顆粒的要求也由微米級(jí)提高到納

  王兵

  3782

  12/10 09:18

  與非研究院 CVD
• 5nm已量產(chǎn)，3nm還會(huì)遠(yuǎn)嗎？重要性比肩光刻機(jī)的刻蝕設(shè)備——中微公司
  

  晶圓制造設(shè)備從類別上講可以分為刻蝕、光刻、薄膜沉積、檢測(cè)、涂膠顯影等十多類，其合計(jì)投資總額通常占整個(gè)晶圓廠投資總額的 75%左右，其中刻蝕設(shè)備、光刻設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備是集成電路前道生產(chǎn)工藝中最重要的三類設(shè)備。 根據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì)的數(shù)據(jù)，2013年至2023年，半導(dǎo)體前道設(shè)備中，干法刻蝕設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)15%，化學(xué)薄膜設(shè)備市場(chǎng)年均增速超過(guò)14%，這兩類設(shè)備增速遠(yuǎn)高于其他種類的設(shè)備。 圖|20

  王兵

  8871

  11/12 10:37

  與非研究院 CVD
• 走過(guò)路過(guò)不要錯(cuò)過(guò)，進(jìn)來(lái)看看全球半導(dǎo)體CVD/ALD設(shè)備商統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)吧
  

  昨天發(fā)布了設(shè)備電源、離子源的供應(yīng)商數(shù)據(jù)，我正考慮接下來(lái)發(fā)布什么數(shù)據(jù)時(shí)，就有我知識(shí)星球的會(huì)員私信向我要CVD設(shè)備的供應(yīng)商數(shù)據(jù)。好吧，那我就整理發(fā)布一下吧，順便把ALD的也一并發(fā)布了

  半導(dǎo)體綜研

  1087

  11/06 08:22

  半導(dǎo)體設(shè)備 CVD
• 晶圓制造之化學(xué)氣相沉積CVD工藝
  

  在制造集成電路時(shí)，有時(shí)候我們需要在硅片（也就是晶圓）表面上沉積一些特定的材料層，比如氮化硅（Si?N?）或氮氧化硅（SiON）。這些材料層不能直接從基板上生成，所以我們采用化學(xué)氣相沉積（CVD）這種方法。

  老虎說(shuō)芯

  2654

  09/17 10:25

  晶圓制造 CVD
• HDPCVD的原理
  

  知識(shí)星球里的學(xué)員問(wèn)：麻煩介紹下HDPCVD的具體用途，原理。 什么是HDPCVD? HDPCVD，全名High Density Plasma Chemical Vapor Deposition，即高密度等離子體化學(xué)氣相沉積。它產(chǎn)生的等離子體密度非常高，通常在1011至1012 ions/cm3的量級(jí)。相比之下，PECVD的等離子體密度就很低了，在間隔寬度小于0.5μm的情況下，用PECVD填充高的

  TOM聊芯片智造

  3048

  09/09 17:40

  CVD HDPCVD
• 什么是FCVD？
  學(xué)員問(wèn)：昨天在直播的時(shí)候有你說(shuō)FCVD，我之前是沒(méi)有聽過(guò)這類的CVD，可以詳細(xì)介紹一下嗎？FCVD，全稱是Flowable Chemical Vapor Deposition，即流動(dòng)化學(xué)氣相沉積。結(jié)合了旋涂電介質(zhì) (SOD) 優(yōu)異的間隙填充性能和 CVD 的工藝穩(wěn)定性，用來(lái)制造線寬在20 納米以下的ILD（層間介電質(zhì)）。

  TOM聊芯片智造

  1.2萬(wàn)

  08/15 08:37

  CVD
• 晶圓制造CVD工藝面試知識(shí)點(diǎn)小結(jié)
  

  無(wú)錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問(wèn)題及知識(shí)點(diǎn)如下，僅供參考：

  老虎說(shuō)芯

  2237

  08/14 09:06

  晶圓制造 CVD
• 晶圓制造CVD工藝常見面試問(wèn)題
  

  在無(wú)錫某Fab工程師工作5年的王工分享了CVD工藝崗位的面試問(wèn)題：這些問(wèn)題覆蓋了CVD工藝的各個(gè)方面，包括基礎(chǔ)知識(shí)、工藝優(yōu)化、設(shè)備管理以及實(shí)際應(yīng)用。

  老虎說(shuō)芯

  4175

  08/13 13:37

  晶圓制造 CVD
• 用鉆石代替 GPS 來(lái)導(dǎo)航？
  

  許多應(yīng)用，包括手機(jī)和汽車傳感器，都廣泛使用磁力測(cè)量技術(shù)。傳感器通常很大、很貴，而且需要低溫冷卻，這對(duì)可用性有不利影響。為了獲得最高的靈敏度，金剛石驅(qū)動(dòng)設(shè)備成為一種緊湊、便攜的選擇。近日，Element Six與其合作者SBQuantum 、英國(guó)華威大學(xué)分別發(fā)布了基于量子金剛石的應(yīng)用拓展方面的合作進(jìn)展。

  DT半導(dǎo)體

  1159

  08/02 11:20

  CVD 金剛石
• 晶圓？還是晶方？CVD金剛石晶圓尺寸怎么計(jì)算？
  

  在以往的印象里，晶圓是圓的，芯片是方的。為什么叫晶圓？不叫晶方？為什么晶圓是圓的，芯片是方的？晶圓的尺寸怎么計(jì)算？……昨天，寧波晶鉆60 mm × 60 mm的單晶金剛石片在行業(yè)內(nèi)引起熱度與討論，這是3.35英寸？還是2.36英寸？業(yè)內(nèi)究竟以什么為標(biāo)準(zhǔn)？

  DT半導(dǎo)體

  2151

  08/02 11:06

  晶圓 CVD
• 3.35英寸！寧波晶鉆同質(zhì)外延單晶金剛石再次突破
  

  近日，在寧波晶鉆科技股份有限公司的金剛石產(chǎn)業(yè)園內(nèi)，一顆顆CVD大單晶金剛石如期上線。其中，一顆60 mm?×?60 mm的單晶金剛石片映入眼簾。據(jù)了解，該金剛石片采用的是同質(zhì)外延生長(zhǎng)技術(shù)，這不是晶鉆科技的首次突破！

  DT半導(dǎo)體

  2068

  07/31 09:10

  CVD 金剛石
• 特瑞堡完成半導(dǎo)體收購(gòu)，擴(kuò)大在亞洲的產(chǎn)能
  

  Trelleborg完成了對(duì)韓國(guó)領(lǐng)先制造商MNE Group的收購(gòu)，大大增強(qiáng)了其在半導(dǎo)體密封市場(chǎng)的能力。 MNE集團(tuán)由材料納米工程和材料納米解決方案公司組成，主要為售后市場(chǎng)和原始設(shè)備制造商生產(chǎn)高性能特種密封件。此次收購(gòu)為特瑞堡密封解決方案公司提供了新的產(chǎn)品和能力，并與全球最大的半導(dǎo)體本土市場(chǎng)之一的一些最重要的制造商建立了客戶聯(lián)系。 Trelleborg Sealing Solutions業(yè)務(wù)區(qū)總裁

  與非網(wǎng)編輯

  2399

  05/16 16:13

  半導(dǎo)體 CVD
• 流量控制器在半導(dǎo)體加工工藝化學(xué)氣相沉積（CVD）的應(yīng)用
  薄膜沉積是在半導(dǎo)體的主要襯底材料上鍍一層膜。這層膜可以有各種各樣的材料，比如絕緣化合物二氧化硅，半導(dǎo)體多晶硅、金屬銅等。用來(lái)鍍膜的這個(gè)設(shè)備就叫薄膜沉積設(shè)備。薄膜制備工藝按照其成膜方法可分為兩大類：物理氣相沉積(PVD)和化學(xué)氣相沉積（CVD），其中CVD工藝設(shè)備占比更高。

  sensorera

  2691

  03/29 07:37

  CVD 流量控制器
• 功率SiC前景可期，現(xiàn)實(shí)是地主家也缺錢
  

  8月22日，SiC（碳化硅）頭部玩家Wolfspeed將氮化鎵（GaN-on-SiC）射頻業(yè)務(wù)出售給MACOM，出售金額為1.25億美元。該業(yè)務(wù)最近的年收入約為1.5億美元，是Wolfspeed（前Cree）五年前用3.45億歐元從英飛凌收購(gòu)的。看來(lái)，“地主家”也不富裕，這項(xiàng)預(yù)計(jì)在今年年底完成的交易資金將用于Wolfspeed碳化硅業(yè)務(wù)的擴(kuò)產(chǎn)。值得一提的是，這并不是Wolfspeed第一次剝離業(yè)務(wù)

  文立

  2874

  2023/10/16

  SiC 碳化硅
• 全球半導(dǎo)體物理氣相淀積設(shè)備供應(yīng)商列表：國(guó)產(chǎn)廠商真心不多
  

  在半導(dǎo)體制造、封裝領(lǐng)域會(huì)用到大量的成膜設(shè)備，技術(shù)路徑多樣、不一而足。我個(gè)人一般把半導(dǎo)體成膜設(shè)備分為三大類：1）化學(xué)氣相淀積（CVD：Chemical Vapor Deposition）-?包含ALD；2）物理氣相淀積（PVD：Physical Vapour Deposition）；3）其它成膜設(shè)備。

  半導(dǎo)體綜研

  4692

  2023/10/01

  CVD PVD
• 又一公司CVD設(shè)備發(fā)貨，國(guó)產(chǎn)化到哪步了？
  

  7月16日，微導(dǎo)納米發(fā)布官方消息，公司的首臺(tái)半導(dǎo)體CVD薄膜沉積設(shè)備順利發(fā)貨。微導(dǎo)納米的iTronix?系列CVD薄膜沉積設(shè)備，主要用于制備氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅等不同種類薄膜，可應(yīng)用于邏輯、存儲(chǔ)、先進(jìn)封裝、顯示器件以及化合物半導(dǎo)體等領(lǐng)域芯片制造。

  化合物半導(dǎo)體市場(chǎng)

  2860

  2023/07/18

  半導(dǎo)體設(shè)備 CVD
• 除了光刻機(jī)，哪類設(shè)備國(guó)產(chǎn)替代空間最大？
  

  半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)多且復(fù)雜，尤其是上游半導(dǎo)體設(shè)備和材料，因制造流程繁多，涉及到很多細(xì)分行業(yè)。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體元器件市場(chǎng)在全球占比高達(dá)43%，而同期SEMI數(shù)據(jù)，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備銷售額296億美元，全球占比29%，中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模全球占比低，相比與元器件市場(chǎng)非常不匹配。 近期A股市場(chǎng)，以中微公司為代表的半導(dǎo)體設(shè)備公司表現(xiàn)異常搶眼。本文將梳理本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的競(jìng)爭(zhēng)格局，定量感受本土廠商

  史德志

  3573

  2023/04/08

  與非研究院 光刻機(jī)
• SiC | 外延缺陷
  上篇我們聊到了SiC外延生長(zhǎng)的工藝，文末提到了其外延層仍然存在著缺陷，前面我們?cè)诹木纬?拋光晶片的制成過(guò)程)時(shí)也聊過(guò)一些晶體缺陷的內(nèi)容，今天我們就來(lái)聊聊外延層缺陷。

  Disciple

  501

  2020/01/20

  SiC CVD
• 聊聊 SiC 外延那些事兒~
  我們知道，SiC體材料的質(zhì)量以及其表面特性不能夠滿足直接制造器件的要求，制造SiC的大功率、高壓、高頻的器件需要較厚的外延層以及較低的摻雜濃度。所以今天我們就來(lái)聊聊SiC外延的那些事兒~

  Disciple

  836

  2020/01/19

  SiC 半導(dǎo)體材料
• 如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝
  在化學(xué)氣相沉積（CVD）工藝中，選擇合適的前驅(qū)體是確保薄膜生長(zhǎng)質(zhì)量和性能的關(guān)鍵因素之一。不同的前驅(qū)體具有不同的熱解特性、反應(yīng)活性和產(chǎn)物形成路徑，因此在選擇前驅(qū)體時(shí)需要考慮其與基片和工藝條件的匹配性。本文將探討如何選擇合適的前驅(qū)體用于特定的CVD工藝，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定和優(yōu)質(zhì)的薄膜生長(zhǎng)。

  eefocus_3901714

  2089

  08/20 10:04

  CVD

正在努力加載...