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國產(chǎn)SiC實現(xiàn)3大技術(shù)突破：溝槽MOS/8英寸/SiCOI量產(chǎn)

近期國內(nèi)多家SiC企業(yè)均獲得了最新技術(shù)突破，涉及溝槽技術(shù)、大尺寸制備等：●?青禾晶元：實現(xiàn)了高質(zhì)量晶圓級SiCOI（6寸，SiC膜厚1μm±100nm）的規(guī)?；a(chǎn)?！?國家第三代半導體技術(shù)創(chuàng)新中心（南京）：成功攻關(guān)溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造關(guān)鍵技術(shù)●?上海漢虹：使用自行研發(fā)制造的碳化硅長晶爐成功拉制出高品質(zhì)8英寸碳化硅晶體。

行家說三代半

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09/03 08:32

SiC 碳化硅MOSFET

分享 | 可編程晶振芯片幾個知識點

什么是可編程晶振？可編程晶振多為有源晶振，由兩個芯片組成；一個是全硅MEMS諧振器，一個是具有溫補功能的芯片，可以啟動電路鎖相環(huán)CMOS。它采用標準化的半導體芯片MCM封裝?？梢圆捎萌詣訕藴拾雽w制造工藝，比如現(xiàn)在電子產(chǎn)品設計用的IC，穩(wěn)定性和質(zhì)量都很好；生產(chǎn)過程中不能出現(xiàn)人為錯誤。