晶盛機電宣布成功研發(fā)出8英寸N型SiC晶體

近日，晶盛機電通過官方微信公眾號宣布，經(jīng)過晶體實驗室研發(fā)團隊半年多的技術攻關，8月12日，首顆8英寸（200mm）N型SiC（碳化硅）晶體成功出爐，晶盛第三代半導體材料SiC研發(fā)自此邁入8英寸時代，這是晶盛在寬禁帶半導體領域取得的又一標志性成果。

據(jù)介紹，此次研發(fā)成功的8英寸碳化硅晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破。不但成功解決了8英寸碳化硅晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了碳化硅器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸碳化硅襯底廣泛應用打下基礎。

資料顯示，碳化硅一種寬禁帶化合物半導體材料，相對于傳統(tǒng)的硅材料來說，碳化硅屬于第三代半導體材料的典型代表，其擁有禁帶寬度寬、耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點，具有開關速度快、效率高的優(yōu)勢， 可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。目前，碳化硅半導體器件主要應用于高壓輸變電、軌道交通、電動汽車、通訊基站等重要領域。

需要指出的是，而碳化硅材料的生長也效率非常低，并不像硅材料那樣，可以相對容易的制備出數(shù)米長的晶棒。目前碳化硅生長出來體積也相對比較小，所以大多數(shù)情況下都只能制備成直徑100mm或150mm（4英寸或6英寸）晶圓。而且，碳化硅屬于硬度非常高（碳化硅單晶材料莫氏硬度分布在9.2～9.6之間，僅僅比金剛石的硬度低0.5左右）的脆性材料，因此，碳化硅晶圓的制備損耗非常高（通常損耗高達三分之二），良率也比較低。

在第九屆EEVIA年度中國電子ICT媒體論壇暨2021產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會上，英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部市場總監(jiān)程文濤告訴芯智訊：“碳化硅材料的加工門檻非常高，因此目前這個行業(yè)主要的碳化硅廠商，都是一些IDM廠商。目前在碳化硅晶圓這一塊，排在第一位的 Wolfspeed差不多占了60%的市場，其次是美國II-VI公司，市場份額約為16%。”

不過，隨著技術的推進，頭部的一些大廠也開始陸續(xù)推動8英寸的碳化硅晶圓的量產(chǎn)。相比6英寸的碳化硅晶圓，8英寸的碳化硅晶圓可用于制造集成電路的可用面積幾乎擴大1 倍，使得產(chǎn)量和生產(chǎn)效率可以得到極大的提升。

早在2015年Wolfspeed、羅姆、II-VI就已展示了8英寸碳化硅襯底，其中Wolfspeed投入10億美元建設新工廠，并在今年4月開始生產(chǎn)8英寸碳化硅等產(chǎn)品；

英飛凌在2020年9月宣布其8英寸碳化硅晶圓生產(chǎn)線已經(jīng)建成；

羅姆旗下SiCrystal公司預計2023年左右開始量產(chǎn)8英寸襯底；

2021年7月，意法半導體率先宣布成功制造出首批8英寸碳化硅晶圓片。意法半導體表示，其首批8英寸碳化硅晶圓片質(zhì)量上乘，影響芯片良率和晶體位錯的缺陷非常少。

Soitec在2022年5月發(fā)布了8英寸碳化硅襯底產(chǎn)品，其還在2022年3月啟動新晶圓廠建設計劃。

今年5月，法國Soitec半導體公司也發(fā)布了其首款8英寸碳化硅 SmartSiC 晶圓。

不過，需要指出的是，目前碳化硅器件的生產(chǎn)線大都還是6英寸的產(chǎn)線，因此SiC晶圓升級到8英寸，還需要對制造設備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。目前頭部的廠商也正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發(fā)自己的制造設備和生產(chǎn)工藝。