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微弱信號(hào)與源測(cè)量
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通過組合吉時(shí)利2651A 型高功率源(SourceMeter?)實(shí)現(xiàn)100A 工作
[摘要]
本應(yīng)用指南介紹如何通過脈沖電流掃描測(cè)試高達(dá)100A 電流來收集功率MOSFET器件的Rds( 導(dǎo)通) 測(cè)量數(shù)據(jù)。
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所屬分類:
微弱信號(hào)與源測(cè)量
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相關(guān)資源
用2600系列數(shù)字源表進(jìn)行 IDDQ測(cè)試和待機(jī)電流測(cè)試
上傳時(shí)間:2012/09/05
資源大小:1.3MB
[摘要]CMOS集成電路(CMOS IC)和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測(cè)量靜態(tài)(或“待機(jī)”)電源電流用于驗(yàn)證生產(chǎn)測(cè)試質(zhì)量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測(cè)量過程被稱為IDDQ測(cè)試。此測(cè)試要求在IC處于靜態(tài)條件下測(cè)量VDD電源電流。測(cè)試的目的是檢查柵氧化層短路及可能隨時(shí)間導(dǎo)致IC失效的其它缺陷。同樣地,帶有雙極晶體管的電池供電產(chǎn)品或其它IC的電源電流也可以在靜態(tài)模式下測(cè)量。這些產(chǎn)品類型包括便攜式電池供電的消費(fèi)性電子產(chǎn)品,以及可植入的醫(yī)療設(shè)備,例如心臟起搏器和除顫器。這些測(cè)試的目標(biāo)是在給定電池充電
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基于實(shí)驗(yàn)室自動(dòng)化的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間:2012/09/05
資源大?。?.89MB
[摘要]隨著面市時(shí)間和測(cè)試成本的壓力增大,需要繼續(xù)仔細(xì)檢查工具利用率和測(cè)試工程師的生產(chǎn)率。提高自動(dòng)化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動(dòng)探測(cè)器的單管芯測(cè)試到半自動(dòng)探測(cè)器的單晶圓測(cè)試的這一過程自然會(huì)通向自動(dòng)探測(cè)器的全晶匣檢測(cè)。在過去,使用精密、靈活的實(shí)驗(yàn)室工具但不購買BEOL生產(chǎn)測(cè)試儀的條件下執(zhí)行此類測(cè)試非常困難。這類測(cè)試通常包含大量定制代碼和專用測(cè)試臺(tái)并且需要訓(xùn)練有素的工程師運(yùn)行設(shè)備。吉時(shí)利有這種方案。通過結(jié)合吉時(shí)利的自動(dòng)特性分析套件(ACS)軟件和4200-SCS半導(dǎo)體特性分析系統(tǒng),您將獲得兩者的優(yōu)點(diǎn)——實(shí)驗(yàn)
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面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測(cè)量
上傳時(shí)間:2012/09/05
資源大?。?73.66KB
[摘要]在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對(duì)偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測(cè)和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測(cè)量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不斷完善測(cè)試技術(shù)的關(guān)鍵。簡單來說,當(dāng)撤銷器件應(yīng)力時(shí),這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測(cè)量得出的壽命預(yù)測(cè)結(jié)果將過于樂觀。因此,劣化特性分析得越快,(劣化)恢復(fù)對(duì)壽命預(yù)測(cè)的影響越小。此外,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示被測(cè)的劣化時(shí)間斜率(n)很大程度取決于測(cè)量時(shí)延和測(cè)量速度。因此
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基于高吞吐率WLR測(cè)試的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間:2012/09/05
資源大?。?.03MB
[摘要]隨著器件繼續(xù)小型化,半導(dǎo)體器件可靠性測(cè)試以及器件壽命預(yù)測(cè)面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復(fù)雜性增大,器件失效的隨機(jī)性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計(jì)樣本測(cè)試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應(yīng)力-開關(guān)-測(cè)量可靠性測(cè)試技術(shù)能實(shí)現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測(cè)試,但這種方法可能存在問題。使用TDDB,工程師需要監(jiān)測(cè)軟擊穿和漸進(jìn)式擊穿。采用NBTI,必須最小化器件弛豫并以極快的速度完成測(cè)量。在測(cè)試單個(gè)器件的層面上,某些問題還是可控的,但在實(shí)際時(shí)間段內(nèi)順序測(cè)試單個(gè)器件不能提供大量的統(tǒng)計(jì)樣本數(shù)據(jù)。
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用于多站點(diǎn)并行測(cè)試的ACS集成測(cè)試系統(tǒng)
上傳時(shí)間:2012/09/05
資源大?。?.09MB
[摘要]測(cè)試成本被視為未來先進(jìn)半導(dǎo)體的首要挑戰(zhàn)。對(duì)測(cè)試成本和測(cè)試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測(cè)試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應(yīng)用,并行測(cè)試都最大程度改善了晶圓上測(cè)試的吞吐量公式。這是因?yàn)榇蟛糠珠_銷用在了移動(dòng)探針或者將探針重新定位至下一個(gè)測(cè)試站點(diǎn)。開銷包括了探測(cè)器和耗材(例如探針卡)的成本和維護(hù)。最重要的是如何最大程度利用這些投入。提高測(cè)試儀的吞吐量能顯著降低測(cè)試成本,縮短產(chǎn)品面市時(shí)間。
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吉時(shí)利內(nèi)容豐富的全新CD《掌握當(dāng)今半導(dǎo)體器件的測(cè)量方法》,該CD含有關(guān)于半導(dǎo)體器件測(cè)試和測(cè)量方法的十幾期在線研討會(huì)。
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