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資源大小：1.3MB

[摘要] CMOS集成電路（CMOS IC）和電池供電產(chǎn)品的制造商需要測量靜態(tài)（或“待機”）電源電流用于驗證生產(chǎn)測試質量。CMOS IC或其中含有CMOS IC成品的漏電電流測量過程被稱為IDDQ測試。此測試要求在IC處于靜態(tài)條件下測量VDD電源電流

基于高吞吐率WLR測試的ACS集成測試系統(tǒng)

資源大?。?.03MB

[摘要] 隨著器件繼續(xù)小型化，半導體器件可靠性測試以及器件壽命預測面臨極大挑戰(zhàn)。由于新材料和新工藝的復雜性增大，器件失效的隨機性也在增加。這需要產(chǎn)生更大的統(tǒng)計樣本測試數(shù)據(jù)。雖然傳統(tǒng)的應力-開關-測量可靠性測試技術能實現(xiàn)龐大數(shù)量的器件測試，但這種方法可

基于實驗室自動化的ACS集成測試系統(tǒng)

資源大?。?.89MB

[摘要] 隨著面市時間和測試成本的壓力增大，需要繼續(xù)仔細檢查工具利用率和測試工程師的生產(chǎn)率。提高自動化水平是一種改善資源分配常規(guī)方法。從手動探測器的單管芯測試到半自動探測器的單晶圓測試的這一過程自然會通向自動探測器的全晶匣檢測。在過去，使用精密、靈活

用于多站點并行測試的ACS集成測試系統(tǒng)

資源大?。?.09MB

[摘要] 測試成本被視為未來先進半導體的首要挑戰(zhàn)。對測試成本和測試系統(tǒng)購置成本影響最大的是測試系統(tǒng)吞吐量。不論什么具體應用，并行測試都最大程度改善了晶圓上測試的吞吐量公式。這是因為大部分開銷用在了移動探針或者將探針重新定位至下一個測試站點。開銷包括了

面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時V TH 測量

資源大?。?73.66KB

[摘要] 在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術中對偏壓溫度不穩(wěn)定性——負偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測和控制的需求不斷增加。當前 NBTI1 的JEDEC標準將“測量間歇期的NBTI恢復”視為促進可靠性研究人員不

用2602型數(shù)字源表對激光二極管模塊和VCSEL進行高吞吐量直流生產(chǎn)測試

資源大?。?63.26KB

[摘要] 激光二極管（LD）和垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）是光通信、光譜學和許多其它應用中的主要組成元件。隨著這些應用需求日益增多，對基本元件的需求也在增長。這要求更注重開發(fā)準確、經(jīng)濟有效的生產(chǎn)測試策略。