面向偏壓溫度不穩(wěn)定性分析的即時(shí)V TH 測(cè)量
[摘要] 在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對(duì)偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI)和正偏壓溫度不穩(wěn)定性(PBTI)——監(jiān)測(cè)和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測(cè)量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不斷完善測(cè)試技術(shù)的關(guān)鍵。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),當(dāng)撤銷(xiāo)器件應(yīng)力時(shí),這種性能的劣化就開(kāi)始“愈合”。這意味著慢間歇期測(cè)量得出的壽命預(yù)測(cè)結(jié)果將過(guò)于樂(lè)觀(guān)。因此,劣化特性分析得越快,(劣化)恢復(fù)對(duì)壽命預(yù)測(cè)的影響越小。此外,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示被測(cè)的劣化時(shí)間斜率(n)很大程度取決于測(cè)量時(shí)延和測(cè)量速度。因此,為了最小化測(cè)量延時(shí)并提高測(cè)量速度開(kāi)發(fā)了幾種測(cè)量技術(shù)。
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所屬分類(lèi):微弱信號(hào)與源測(cè)量
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