[摘要]在微縮CMOS和精密模擬CMOS技術(shù)中對(duì)偏壓溫度不穩(wěn)定性——負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性（NBTI）和正偏壓溫度不穩(wěn)定性（PBTI）——監(jiān)測(cè)和控制的需求不斷增加。當(dāng)前 NBTI1 的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)將“測(cè)量間歇期的NBTI恢復(fù)”視為促進(jìn)可靠性研究人員不斷完善測(cè)試技術(shù)的關(guān)鍵。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，當(dāng)撤銷器件應(yīng)力時(shí)，這種性能的劣化就開始“愈合”。這意味著慢間歇期測(cè)量得出的壽命預(yù)測(cè)結(jié)果將過于樂觀。因此，劣化特性分析得越快，（劣化）恢復(fù)對(duì)壽命預(yù)測(cè)的影響越小。此外，實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)顯示被測(cè)的劣化時(shí)間斜率（n）很大程度取決于測(cè)量時(shí)延和測(cè)量速度。因此