[摘要]
晶體材料是現(xiàn)代電子和光電子技術(shù)的基礎(chǔ)。因此,這些材料的電子特性,如(各向異性) 電導(dǎo)率和光電導(dǎo)率以及與這些特性有關(guān)的溫度依存性,都是研究人員關(guān)注的問題。采用大量結(jié)晶技術(shù)的晶體生長尺寸可能不大,但往往表現(xiàn)出極高的電阻。這個(gè)應(yīng)用筆記說明如何利用專門設(shè)計(jì)的測量室和分子束沉積(MBD)系統(tǒng)(在晶體或薄膜生長過程中對其進(jìn)行現(xiàn)場測量)來測量高達(dá)1017Ω的電阻。
資源類型:pdf
資源大?。?/span>933.6KB
所屬分類:微弱信號與源測量
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