系統(tǒng)版本:存儲器系統(tǒng)
sram存儲器是指靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器。靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(Static Random-Access Memory,SRAM)是隨機(jī)存取存儲器的一種。所謂的“靜態(tài)”,是指這種存儲器只要保持通電,里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。相對之下,動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)里面所儲存的數(shù)據(jù)就需要周期性地更新。然而,當(dāng)電力供應(yīng)停止時,SRAM儲存的數(shù)據(jù)還是會消失(被稱為volatile memory),這與在斷電后還能儲存資料的ROM或閃存是不同的。
SRAM主要用于二級高速緩存(Level2 Cache)。它利用晶體管來存儲數(shù)據(jù)。與DRAM相比,SRAM的速度快,但在相同面積中SRAM的容量要比其他類型的內(nèi)存小。
SRAM的速度快但昂貴,一般用小容量的SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存(cache).SRAM也有許多種,如AsyncSRAM (Asynchronous SRAM,異步SRAM)、Sync SRAM (Synchronous SRAM,同步SRAM)、PBSRAM (Pipelined Burst SRAM,流水式突發(fā)SRAM),還有INTEL沒有公布細(xì)節(jié)的CSRAM等。
SRAM一般可分為五大部分:存儲單元陣列(core cells array),行/列地址譯碼器(decode),靈敏放大器(Sense Amplifier),控制電路(control circuit),緩沖/驅(qū)動電路(FFIO)。SRAM是靜態(tài)存儲方式,以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元,SRAM不像DRAM一樣需要不斷刷新,而且工作速度較快,但由于存儲單元器件較多,集成度不太高,功耗也較大。