非互補(bǔ)有源鉗位可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激式電源設(shè)計(jì)

離線反激式電源在變壓器初級(jí)側(cè)需要有鉗位電路（有時(shí)稱為緩沖器），以在正常工作期間功率MOSFET開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)限制其兩端的漏源極電壓應(yīng)力。設(shè)計(jì)鉗位電路時(shí)可以采用不同的方法。低成本的無(wú)源網(wǎng)絡(luò)可以有效地實(shí)現(xiàn)電壓鉗位，但在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期必須耗散鉗位能量，這會(huì)降低效率。一種改進(jìn)的方法就是對(duì)鉗位和功率開(kāi)關(guān)采用互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)的有源鉗位技術(shù)，使得能效得以提高，但它們會(huì)對(duì)電源的工作模式帶來(lái)限制（例如，無(wú)法工作于CCM工作模式）。為了克服互補(bǔ)有源鉗位電路所帶來(lái)的設(shè)計(jì)限制，可以采用另外一種更先進(jìn)的控制技術(shù)，即非互補(bǔ)有源鉗位。該技術(shù)可確保以更具成本效益的方式使用鉗位能量。?

本文將簡(jiǎn)要介紹反激式電源中對(duì)初級(jí)鉗位電路的需求。然后比較和對(duì)比無(wú)源鉗位方案、互補(bǔ)有源鉗位方案以及非互補(bǔ)有源鉗位方案的使用，最后介紹一款支持非互補(bǔ)鉗位方案且可實(shí)現(xiàn)超高功率密度反激電源設(shè)計(jì)的芯片組。

在反激式變換器中，當(dāng)初級(jí)側(cè)開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，電壓(VOR)由次級(jí)側(cè)反射至初級(jí)側(cè)，存儲(chǔ)的能量通過(guò)變壓器傳輸?shù)截?fù)載（圖1）。VOR經(jīng)變壓器圈數(shù)比加以放大，疊加在VDC輸入母線電壓后會(huì)增大開(kāi)關(guān)器件兩端的電壓應(yīng)力。在傳統(tǒng)電路中，會(huì)使用無(wú)源初級(jí)鉗位電路來(lái)對(duì)這個(gè)電壓加以限制。

圖1：無(wú)源初級(jí)鉗位RCD解決方案（高亮顯示部分）需要耗散大量的熱量，限制了反激式電源的效率和工作頻率

除了電壓應(yīng)力(VIN + VOR)外，在初級(jí)開(kāi)關(guān)管關(guān)斷時(shí)還會(huì)產(chǎn)生很大的電壓過(guò)沖,這是由初級(jí)繞組漏感中存儲(chǔ)的能量造成的。鉗位電路可對(duì)由此三個(gè)方面因素構(gòu)成的電壓過(guò)沖進(jìn)行限制以保護(hù)初級(jí)開(kāi)關(guān)（圖2）。此外，在這種電路配置下，功率開(kāi)關(guān)在漏極電壓較高時(shí)開(kāi)通。開(kāi)關(guān)損耗與VDS2成正比，因此高VDS會(huì)增加開(kāi)關(guān)的開(kāi)通損耗，從而進(jìn)一步降低效率。

圖2：開(kāi)通損耗和鉗位損耗都與開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)。

鉗位電容吸收漏感能量，但該能量隨后被鉗位電阻所消耗。在每個(gè)開(kāi)關(guān)周期中都會(huì)有能量損失，這樣在現(xiàn)實(shí)當(dāng)中就限制了開(kāi)關(guān)頻率的提高。而較低的開(kāi)關(guān)頻率，則需要使用更大的變壓器。因此，使用無(wú)源鉗位會(huì)增加損耗并不得不使用較低的開(kāi)關(guān)頻率，這兩種情況都會(huì)增大電源尺寸。而使用有源鉗位則可以突破這些限制。

互補(bǔ)有源鉗位
有源鉗位用一個(gè)開(kāi)關(guān)代替RCD鉗位中的電阻，這個(gè)開(kāi)關(guān)通常是一個(gè)功率MOSFET（圖3）。它不是用來(lái)耗散漏感能量，而是可以將漏感能量回傳至變壓器。在互補(bǔ)有源鉗位中，當(dāng)主MOSFET關(guān)斷時(shí)，鉗位開(kāi)關(guān)開(kāi)通，兩者之間具有一小段死區(qū)時(shí)間。此時(shí)鉗位電容被充電。而在下一次主MOSFET開(kāi)通之前，鉗位開(kāi)關(guān)關(guān)斷，鉗位電容中的能量得以再循環(huán)至輸出端。這種有源鉗位被稱為互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)方案，因?yàn)橹鱉OSFET和有源鉗位開(kāi)關(guān)以互補(bǔ)方式工作。

圖3：典型[互補(bǔ)]有源鉗位方案的簡(jiǎn)化原理圖

零電壓開(kāi)關(guān)可以使用復(fù)雜的自適應(yīng)控制技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，以實(shí)現(xiàn)漏感和鉗位電容之間的諧振。當(dāng)鉗位開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)，漏感與鉗位電容諧振產(chǎn)生的負(fù)向電流，在功率MOSFET開(kāi)通之前對(duì)其COSS兩端的電壓進(jìn)行放電，從而實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。對(duì)于輸出電容比較高的設(shè)計(jì)，將會(huì)導(dǎo)致諧振效果變差（輸出電容會(huì)經(jīng)過(guò)變壓器反射至初級(jí)，進(jìn)而增加鉗位電容的容量）。通常變壓器當(dāng)中將會(huì)沒(méi)有足夠的漏感儲(chǔ)能來(lái)適應(yīng)這種鉗位容量的變化。為了克服這個(gè)問(wèn)題，電源輸出端往往需要使用兩級(jí)LC濾波器來(lái)確保低的初級(jí)反射電容，同時(shí)還要滿足輸出紋波要求。這種互補(bǔ)有源鉗位方案是對(duì)無(wú)源鉗位的改進(jìn)，但仍存在以下限制：

1.需要在輕載下使用脈沖串模式，這會(huì)導(dǎo)致更高的輸出紋波

2.兩級(jí)輸出濾波器

3.僅限于臨界導(dǎo)通模式或非連續(xù)導(dǎo)通模式（CrM和DCM）；沒(méi)有CCM工作模式，使輸出電壓范圍寬的USB PD設(shè)計(jì)難以實(shí)現(xiàn)

使用非互補(bǔ)有源鉗位提高性能
采用非互補(bǔ)控制方案，不是在主MOSFET關(guān)斷后的一小段時(shí)間后立即開(kāi)通鉗位開(kāi)關(guān)，而是在主MOSFET開(kāi)通之前短暫開(kāi)通鉗位開(kāi)關(guān)。非互補(bǔ)控制能夠在連續(xù)導(dǎo)通模式以及非連續(xù)導(dǎo)通模式（和CrM）下操作，并且仍可實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。這使得設(shè)計(jì)出的電源具有非常寬的輸入電壓范圍和較寬的輸出電壓范圍，后者是設(shè)計(jì)高效USB PD充電器所需要的。對(duì)于傳統(tǒng)的控制方案，非互補(bǔ)鉗位開(kāi)關(guān)的驅(qū)動(dòng)信號(hào)與初級(jí)開(kāi)關(guān)以及同步整流開(kāi)關(guān)的同步設(shè)計(jì)面臨著挑戰(zhàn)。而采用單個(gè)控制器來(lái)管理所有三個(gè)器件的開(kāi)關(guān)操作，可大大簡(jiǎn)化電路并確?？煽坎僮?。

圖4：對(duì)于非互補(bǔ)模式開(kāi)關(guān)，有源鉗位開(kāi)關(guān)僅在主開(kāi)關(guān)開(kāi)通之前開(kāi)關(guān)一次

非互補(bǔ)有源鉗位控制可以使用Power Integrations的Innoswitch?4-CZ/ClampZero?芯片組加以實(shí)現(xiàn)（圖5）。InnoSwitch4-CZ器件采用InSOP?-24D封裝，內(nèi)部集成了可靠耐用的PowiGaN? 750V開(kāi)關(guān)以及用于控制主開(kāi)關(guān)、鉗位開(kāi)關(guān)和同步MOSFET操作的次級(jí)控制器，同時(shí)內(nèi)部含有滿足安全標(biāo)準(zhǔn)的FluxLink?控制鏈路。InnoSwitch4-CZ IC包括兩個(gè)專門用于ClampZero有源鉗位非互補(bǔ)控制的引腳：用于開(kāi)通和關(guān)斷ClampZero開(kāi)關(guān)的上管驅(qū)動(dòng)(HSD)引腳，以及用于測(cè)量直流母線電壓的V引腳。

圖5：InnoSwitch4-CZ的HSD信號(hào)用于控制ClampZero有源鉗位的開(kāi)關(guān)，
V引腳用于檢測(cè)高輸入電壓條件，進(jìn)而使能非連續(xù)工作模式

次級(jí)側(cè)控制器發(fā)出指令，啟動(dòng)HSD信號(hào)，將ClampZero PowiGaN開(kāi)關(guān)開(kāi)通，以便在初級(jí)PowiGaN開(kāi)關(guān)換向前使漏感和鉗位電容產(chǎn)生諧振。

ClampZero器件的關(guān)閉和主開(kāi)關(guān)的開(kāi)通之間存在非常小的延遲，可以利用HSD引腳上的小電阻從外部進(jìn)行調(diào)整，以幫助優(yōu)化時(shí)序。

在連續(xù)導(dǎo)通模式下，HSD信號(hào)在漏感與鉗位電容諧振周期的四分之一時(shí)間內(nèi)保持開(kāi)通。在很寬的工作范圍內(nèi)使用這種諧振模式所面臨的一個(gè)挑戰(zhàn)是，漏感通常是一個(gè)非常小的數(shù)值，在高壓輸入條件下主開(kāi)關(guān)管兩端的電壓較高，這就需要更多的能量實(shí)現(xiàn)零電壓開(kāi)關(guān)。因而漏感的儲(chǔ)能往往不夠。這也是為何此時(shí)非連續(xù)導(dǎo)通控制模式需要介入的原因。

對(duì)于非連續(xù)導(dǎo)通模式（高輸入電壓工作），HSD信號(hào)脈沖寬度變?yōu)?a class="article-link" target="_blank" href="/baike/1516658.html">勵(lì)磁電感（加上漏感，盡管漏感與勵(lì)磁電感相比分量通常非常?。┖豌Q位電容產(chǎn)生諧振的諧振周期的四分之一時(shí)間。V引腳的輸入電壓信息用于控制非連續(xù)導(dǎo)通模式的啟動(dòng)。當(dāng)檢測(cè)到高輸入電壓條件時(shí)，ClampZero關(guān)斷驅(qū)動(dòng)信號(hào)和主開(kāi)關(guān)開(kāi)通驅(qū)動(dòng)信號(hào)之間的延遲也會(huì)增加。這為勵(lì)磁電感（加上漏感）與鉗位電容之間的諧振提供了更多時(shí)間，以降低主功率開(kāi)關(guān)上的電壓。這種工作模式不需要互補(bǔ)有源鉗位電路所需的脈沖串工作模式，避免了互補(bǔ)模式控制帶來(lái)的更高輸出紋波和音頻噪聲的風(fēng)險(xiǎn)。

總結(jié)
離線反激式電源需要使用初級(jí)側(cè)鉗位電路來(lái)保護(hù)功率MOSFET。使用無(wú)源RCD鉗位成本低，但性能較低。使用具有互補(bǔ)控制方案的有源鉗位可以提高性能，但仍然存在局限性。InnoSwitch4-CZ IC產(chǎn)品系列可提供獨(dú)特的控制架構(gòu)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)更復(fù)雜的非互補(bǔ)有源鉗位控制，采用此方案可設(shè)計(jì)出具有非常寬的輸入電壓范圍和較大的輸出電壓設(shè)定點(diǎn)變化的高效、超緊湊USB PD充電器。Power Integrations的InnoSwitch4-CZ/ClampZero芯片組可用于簡(jiǎn)化采用非互補(bǔ)控制的有源鉗位方案，并加快上市時(shí)間。