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EPC與MPS合作開發(fā)基于新型GaN FET的2 kW、穩(wěn)壓輸出電壓、48 V/14 V轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計

2022/02/21
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布推出EPC9165,這是一款2 kW、兩相48 V/14 V雙向轉(zhuǎn)換器,在小尺寸內(nèi)實現(xiàn)97%的峰值效率,非常適合具有高密度和高功率的48 V電池組,例如電動和輕型運輸所需的電池組。

該解決方案是可擴展的。4 kW 可以并聯(lián)兩個轉(zhuǎn)換器,6 kW 可以并聯(lián)三個轉(zhuǎn)換器,或者 1 kW 可以只用一相。在本應(yīng)用中,輸出電壓為14 V。但是,由于這個是硬開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器拓?fù)?,因此可以輕松地將輸出電壓調(diào)整為 12 V 至 36 V 之間的電壓。

EPC9165 參考設(shè)計采用最新一代的 100 V GaN FET(EPC2302 )。 EPC2302 實現(xiàn) 101 A 連續(xù)電流和 390 A脈沖電流。其頂部外露的熱增強型 QFN 封裝可加快散熱至散熱器。至散熱器的熱阻為每瓦0.2攝氏度,其可潤濕的側(cè)面簡化了裝配檢查并提高了熱循環(huán)的穩(wěn)健性。EPC2302 GaN FET的典型導(dǎo)通電阻 RDS(on)值超小,典型值僅為1.4 mOhm,最大值為 1.8 mOhm,以及非常小的 QG典型值 (23 nC),QGD典型值為 2.3 nC、QOSS典型值為85 nC 和零反向恢復(fù)(QRR),以實現(xiàn)低導(dǎo)通和開關(guān)損耗

EPC9165參考設(shè)計采用MPS公司專為GaN FET開發(fā)的新型100 V 車用半橋驅(qū)動器(MPQ1918),它采用小型FCQFN封裝(3 x 3mm),其可潤濕的側(cè)面,可方便進行光學(xué)檢測。 該器件的峰值源電流為1.6 A,具有 0.2 Ω/1.2 Ω下拉/上拉電阻,以使用具有更快開關(guān)優(yōu)勢的高功率 FET,從而實現(xiàn)最高效率并提高功率密度。 與其他車用半橋GaN驅(qū)動器相比,MPQ1918的效率更高、EMI更低且極具成本效益。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow說:“GaN FET和IC具備快速開關(guān)、小尺寸和高效率等優(yōu)勢,可進一步減小48 V/12 V和14 V 轉(zhuǎn)換器的尺寸和更輕。EPC9165參考設(shè)計采用MPS的100 V車用柵極驅(qū)動器和EPC的第一個封裝器件EPC2302,讓空間和重量至關(guān)重要的設(shè)計諸如電動運輸,可實現(xiàn)更高的效率、更高的功率密度和簡化設(shè)計”。

MPS公司銷售和營銷副總裁 Maurice Sciammas說:“新型 MPS MPQ1918充分發(fā)揮高性能GaN FET的優(yōu)勢,為高功率解決方案最大限度地提高效率和功率密度。EPC公司是功率eGaN FET的領(lǐng)導(dǎo)廠商,我們很高興與EPC攜手合作推出這個新型解決方案,為提高雙向轉(zhuǎn)換器的效率和縮小尺寸方面作出貢獻”。

價格和供貨
EPC9165演示板的價格為每塊498美元,可以從Digikey購買。

MPS

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美國芯源系統(tǒng)有限公司(MPS)是一家全球知名的高性能模擬半導(dǎo)體公司,總部位于美國加州圣荷塞。公司創(chuàng)建于1997年,具有三大核心競爭優(yōu)勢:多年來的系統(tǒng)和應(yīng)用級技術(shù)積累、一流的模擬集成電路設(shè)計能力以及自主創(chuàng)新的工藝技術(shù),這些核心競爭力使公司能夠生產(chǎn)出高度集成的單晶片產(chǎn)品,為客戶提供高效率、低成本的解決方案。

美國芯源系統(tǒng)有限公司(MPS)是一家全球知名的高性能模擬半導(dǎo)體公司,總部位于美國加州圣荷塞。公司創(chuàng)建于1997年,具有三大核心競爭優(yōu)勢:多年來的系統(tǒng)和應(yīng)用級技術(shù)積累、一流的模擬集成電路設(shè)計能力以及自主創(chuàng)新的工藝技術(shù),這些核心競爭力使公司能夠生產(chǎn)出高度集成的單晶片產(chǎn)品,為客戶提供高效率、低成本的解決方案。收起

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