韓媒：三星3nm制程可能先產(chǎn)自家芯片 后用于代工

三星3nm GAA工藝成功流片，讓外界不免對(duì)其潛在的首批客戶(hù)多有猜測(cè)。但有消息稱(chēng)，三星可能會(huì)率先采用3nm制程生產(chǎn)自家芯片，之后才會(huì)應(yīng)用到客戶(hù)的產(chǎn)品。

據(jù)BusinessKorea報(bào)道，三星電子近期發(fā)布了晶圓代工事業(yè)藍(lán)圖，預(yù)計(jì)今年下半年量產(chǎn)第一代4nm芯片、2022年量產(chǎn)第二代4nm芯片，2023年量產(chǎn)第二代3nm制程，并未提及第一代3nm芯片的量產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)其此前說(shuō)法，計(jì)劃2022年起導(dǎo)入3nm制程技術(shù)。

一些分析師指出，三星并未揭露關(guān)于第一代3nm芯片量產(chǎn)計(jì)劃，可能是規(guī)劃先在自家設(shè)計(jì)的芯片上采用這項(xiàng)制程技術(shù)，之后再應(yīng)用于代工客戶(hù)的芯片。

利用3nm制程技術(shù)生產(chǎn)的芯片，比5nm制程生產(chǎn)的芯片縮小35%，但效能和電池效率分別提升15%和30%。臺(tái)積電也正研發(fā)3nm制程技術(shù)，目標(biāo)在明年導(dǎo)入。

三星將在3nm制程中采用環(huán)繞式柵極晶體管（GAA），而非使用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FinFET）。與FinFET不同，GAA能把晶體管閘極的接觸面和通道增加至四個(gè)，憑借增加一個(gè)以上的接觸面來(lái)助提高效能。