拓荊科技科創(chuàng)板IPO獲受理，募資10億元加碼高端半導(dǎo)體設(shè)備

近日，上交所正式受理了拓荊科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱：拓荊科技）科創(chuàng)板上市申請(qǐng)。

拓荊科技主要從事高端半導(dǎo)體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備與光刻機(jī)、刻蝕機(jī)共同構(gòu)成芯片制造三大主設(shè)備。

拓荊科技是國(guó)內(nèi)唯一一家產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用的集成電路PECVD、SACVD設(shè)備廠商，以前后兩任董事長(zhǎng)為核心的五名國(guó)家級(jí)海外高層次專家組建起一支國(guó)際化的技術(shù)團(tuán)隊(duì)，形成了包括等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）設(shè)備、原子層沉積（ALD）設(shè)備和次常壓化學(xué)氣相沉積（SACVD）設(shè)備三個(gè)產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國(guó)內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開(kāi)10nm及以下制程產(chǎn)品驗(yàn)證測(cè)試。

拓荊科技產(chǎn)品已廣泛用于中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)、長(zhǎng)江存儲(chǔ)、長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)、廈門聯(lián)芯、燕東微電子等國(guó)內(nèi)主流晶圓廠產(chǎn)線，累計(jì)發(fā)貨超150套機(jī)臺(tái)。公司憑借長(zhǎng)期技術(shù)研發(fā)和工藝積累，打破國(guó)際廠商對(duì)國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的壟斷，與國(guó)際寡頭直接競(jìng)爭(zhēng)。報(bào)告期內(nèi)，公司在研產(chǎn)品已發(fā)往某國(guó)際領(lǐng)先晶圓廠參與其先進(jìn)制程工藝研發(fā)。

營(yíng)收大幅增長(zhǎng)，凈利潤(rùn)持續(xù)虧損

2018年至2021年第一季度，拓荊科技實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入分別為7,064.40 萬(wàn)元、 25,125.15 萬(wàn)元、43,562.77 萬(wàn)元和 5,774.10 萬(wàn)元；同期凈利潤(rùn)分別為-10,322.29萬(wàn)元、-1,936.64萬(wàn)元、-1,169.99萬(wàn)元及-1,058.92萬(wàn)元，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤(rùn)分別為-14,993.05萬(wàn)元、-6,246.63萬(wàn)元、-5,711.62萬(wàn)元和-2,400.90萬(wàn)元。

拓荊科技表示，報(bào)告期內(nèi)尚未實(shí)現(xiàn)盈利，主要由于半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)投入大，產(chǎn)品驗(yàn)證周期長(zhǎng)，公司持續(xù)進(jìn)行了大量的研發(fā)投入。

報(bào)告期內(nèi)，拓荊科技研發(fā)費(fèi)用分別為10,797.31萬(wàn)元、7,431.87萬(wàn)元、12,278.18萬(wàn)元和2,714.86萬(wàn)元，占各期營(yíng)業(yè)收入的比例為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。

拓荊科技指出，2018年度研發(fā)投入占營(yíng)業(yè)收入比例超過(guò)100%系營(yíng)業(yè)收入較小所致。

截至本招股說(shuō)明書簽署日，拓荊科技已獲授權(quán)專利 167 項(xiàng)，其中 國(guó)內(nèi) 150 項(xiàng)，包含發(fā)明專利 69 項(xiàng)、實(shí)用新型專利 80 項(xiàng)、外觀設(shè)計(jì) 1 項(xiàng)；其他國(guó) 家或地區(qū) 17 項(xiàng)，包含中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)的發(fā)明專利 14 項(xiàng)和美國(guó)的發(fā)明專利 3 項(xiàng)；國(guó)內(nèi)外和其他地區(qū)發(fā)明專利合計(jì) 86 項(xiàng)。

募資10億元，加碼高端半導(dǎo)體設(shè)備

拓荊科技本次募投項(xiàng)目主要是高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目、先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目和補(bǔ)充流動(dòng)資金。

高端半導(dǎo)體設(shè)備擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目將在公司現(xiàn)有的半導(dǎo)體薄膜設(shè)備研發(fā)和生產(chǎn)基地基礎(chǔ)上進(jìn)行二期潔凈廠房建設(shè)、配套設(shè)施及生產(chǎn)自動(dòng)化管理系統(tǒng)建設(shè)。二期潔凈廠房建設(shè)主要為千級(jí)潔凈廠房，設(shè)計(jì)規(guī)模為2,600平方米左右。

先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進(jìn)項(xiàng)目研發(fā)內(nèi)容主要包括面向28nm-10nm制程PECVD設(shè)備的多種工藝型號(hào)開(kāi)發(fā)、面向10nm以下制程PECVD設(shè)備的平臺(tái)架構(gòu)研發(fā)及UVCure系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)。基于公司已研發(fā)的面向28nm-10nm制程的PECVD設(shè)備平臺(tái)架構(gòu)，開(kāi)展主要包括LokⅡ、ADCⅠ、HTACHM、高應(yīng)力SiN及α-Si等不同薄膜材料的新工藝型號(hào)開(kāi)發(fā)，形成先進(jìn)工藝技術(shù)能力和量產(chǎn)能力；基于公司PECVD設(shè)備技術(shù)積累，開(kāi)展應(yīng)用于10nm以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的PECVD設(shè)備平臺(tái)架構(gòu)研發(fā)，先行完成SiO2、SiN等薄膜材料的工藝型號(hào)開(kāi)發(fā)；基于公司對(duì)薄膜沉積設(shè)備及多種薄膜材料工藝研發(fā)積累，開(kāi)展沉積后輔助以紫外線處理的UVCure系統(tǒng)設(shè)備研發(fā)。通過(guò)在集成電路生產(chǎn)廠商進(jìn)行生產(chǎn)線驗(yàn)證，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的產(chǎn)業(yè)化，進(jìn)一步提升產(chǎn)品技術(shù)水平和拓展產(chǎn)品應(yīng)用領(lǐng)域，推動(dòng)公司業(yè)務(wù)規(guī)模的持續(xù)增長(zhǎng)。

ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目擬在上海臨港新片區(qū)購(gòu)置整體廠房，進(jìn)行裝修改造，購(gòu)置研發(fā)設(shè)備及生產(chǎn)設(shè)備，建設(shè)新的研發(fā)及生產(chǎn)環(huán)境，項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司拓荊上海。項(xiàng)目建成后，將作為發(fā)行人ALD產(chǎn)品研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化基地。項(xiàng)目擬通過(guò)開(kāi)展系列技術(shù)研發(fā)，基于公司現(xiàn)有ALD設(shè)備技術(shù)基礎(chǔ)，開(kāi)發(fā)面向28nm-10nm制程的ALD設(shè)備平臺(tái)架構(gòu)，發(fā)展多種工藝機(jī)型，同步開(kāi)發(fā)不同腔室數(shù)量的機(jī)臺(tái)型號(hào)，滿足邏輯芯片、存儲(chǔ)芯片制造不同的工藝需求，并進(jìn)行規(guī)?；慨a(chǎn)。

關(guān)于未來(lái)的發(fā)展戰(zhàn)略，拓荊科技表示，公司自設(shè)立以來(lái)，以“建立世界領(lǐng)先的薄膜設(shè)備公司”為使命，專注于半導(dǎo)體薄膜沉積設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售領(lǐng)域，通過(guò)多年科研攻關(guān)和市場(chǎng)驗(yàn)證，在PECVD、ALD和SACVD設(shè)備領(lǐng)域推出了多款量產(chǎn)設(shè)備，為下游集成電路制造及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域內(nèi)的客戶提供了優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品。公司未來(lái)將繼續(xù)致力于高端半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)生產(chǎn)，擴(kuò)大現(xiàn)有設(shè)備市場(chǎng)占有率，提高公司設(shè)備的技術(shù)先進(jìn)性，豐富公司設(shè)備種類，拓展技術(shù)應(yīng)用領(lǐng)域，開(kāi)發(fā)中國(guó)臺(tái)灣市場(chǎng)。