E拆解：氮化鎵芯片？來看看小米55W適配器的內(nèi)部吧

小米11和iQOO7的拆解是否有看呢？在時下快充即將成為手機的標配時，適配器自然也需要更型換代。

小米11發(fā)布時有兩種選擇方案，一種是配備適配器，另一則是不配備適配器。而配備的這款適配器是支持55W快充，并帶有氮化鎵芯片的適配器。而iQOO7則是直接在包裝內(nèi)配送了一個120W的適配器。

今日先從小米適配器開始分析

小米適配器采用白色PC阻燃材料外殼，底部印有產(chǎn)品信息和相關(guān)參數(shù)。外殼表面使用拋光工藝，比較光滑，各面之間使用圓弧設(shè)計，圓潤過度。底部金屬插腳和頂部USB電源輸出口均采用側(cè)邊設(shè)計。外殼表面印有55W和GaN字樣標明適配器輸出總功率為55W，氮化鎵適配器。

頭部是USB-A型輸出接口，內(nèi)部正負極金屬彈片明顯加寬，方便快充時大電流輸出。

小米55W氮化鎵適配器整體采用一體成型制造，拆解僅能采用破壞性拆解，不具備復(fù)原性和可維修性。頂殼破拆后，在插孔位置背面有白色泡棉材料，防止異物進入適配器。

適配器內(nèi)部采用導(dǎo)熱灌膠，整個適配器內(nèi)腔被導(dǎo)熱硅膠注滿，兩塊PCB板呈垂直交叉方式焊接固定。

由于適配器內(nèi)腔灌滿導(dǎo)熱硅膠，使用切割機切開一側(cè)的外殼，才能取出內(nèi)部電路部分。

整個電路部分幾乎都被導(dǎo)熱膠包裹。

內(nèi)部器件縫隙之間被導(dǎo)熱硅膠填滿。

利用酒精和小刀去除電路模塊周圍導(dǎo)熱硅膠，小米這款適配器采用平板磁性變壓器，變壓器小板垂直焊接在主板一側(cè)。主板上的電容器件上有黑白塑料防護蓋。

拆下變壓器小板和電子器件防護蓋，整個主板的器件之間同樣被導(dǎo)熱硅膠填滿。去除剩余硅膠后，再來看看主板上有些什么器件。

除了以上這些還有一顆中國臺灣豐賓（CapXon）4.7μF100V電解電容，單個規(guī)格為2.5A 250V延時保險絲和廣東松田電子STE X2安規(guī)電容，104K310V。

適配器采用平板式磁性變壓器，變壓器磁芯表面覆蓋塑料絕緣罩，表面印有變壓器型號。

變壓器小板上有兩顆綠寶石股份（BERYL）SMD貼片固態(tài)電容，規(guī)格為470μF25V。

ic信息

主板正面主要IC（下圖）:

1：Vanguard Semiconductor-VS3610E-30V70A輸出VBUS開關(guān)管
主板背面主要IC（下圖）:

1：Weltrend-WT6633P-充電協(xié)議芯片（MCU）

2：Everlight-EL1019-光耦器件3：ON Semi-NCP1342-電源控制器芯片4：NavitasSemiconductor-NV6115-氮化鎵電源芯片變壓器小板主要IC（下圖）：

1：VanguardSemiconductor-VS5804AP-同步整流管

2：MPS-MP6908A-次級同步整流控制器其實從內(nèi)部元器件的選擇來看，電容電阻均采用中國臺灣和國產(chǎn)一線廠商器件。而最主要的就是由美國納微（Navitas Semiconductor）提供的氮化鎵電源芯片。

型號為NV6115,芯片內(nèi)置驅(qū)動器以及復(fù)雜的邏輯控制電路，170mΩ導(dǎo)阻，耐壓650V，支持2MHz開關(guān)頻率。

得益于氮化鎵芯片小體積，高集成度，耐高溫，高頻率等特點，又是內(nèi)置驅(qū)動器，無需在電路板上外置驅(qū)動器電路器件，更加節(jié)省PCB空間。

所以氮化鎵充電器比普通充電器體積小，內(nèi)部器件使用量更少，電源功率轉(zhuǎn)換時間更短，發(fā)熱量更小。總結(jié)信息小米55W氮化鎵適配器的電源內(nèi)部采用灌膠方式將導(dǎo)熱硅膠材料灌封成一個整體，提高適配器整體防水性、導(dǎo)熱性。并且元器件沒有位移空間，起到提高耐候性，增強適配器整體導(dǎo)熱避免局部發(fā)熱的作用，提高適配器的可靠性。

今天是小米55W氮化鎵適配器的拆解，當然iQOO7的120W適配器我們也已經(jīng)做了拆解分析，所以明天繼續(xù)哦。