中國(guó)功率半導(dǎo)體元件 IDM 大廠華潤(rùn)微電子目前擁有 3 條 6 寸晶圓產(chǎn)線與 2 條 8 寸晶圓產(chǎn)線,另有 1 條 12 寸晶圓產(chǎn)線在建,其中位于無(wú)錫、重慶的 8 寸線主要生產(chǎn) power MOSFET、IGBT 等功率半導(dǎo)體元件。
為因應(yīng)功率半導(dǎo)體元件需求走升,華潤(rùn)微電子擬擴(kuò)張重慶 8 寸晶圓產(chǎn)線產(chǎn)能約 10%,將月產(chǎn)能拉升至每月 6.2 萬(wàn)片左右。
功率半導(dǎo)體元件需求走升,power MOSFET、IGBT 為成長(zhǎng)主力
功率半導(dǎo)體元件是調(diào)節(jié)、轉(zhuǎn)換電流或電壓的核心單元,搭載于逆變器(直流轉(zhuǎn)交流)、整流器(交流轉(zhuǎn)直流)、變壓器(升壓、降壓)中,并且能做為電源開關(guān)以實(shí)現(xiàn)電路管制,主要涵蓋 bipolar transistor、power MOSFET 與 IGBT,是電子、通訊設(shè)備運(yùn)作時(shí)不可或缺的元件。
TrendForce 集邦咨詢旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究院表示,隨著終端電子設(shè)備持續(xù)增長(zhǎng)、5G 通訊時(shí)代降臨、太陽(yáng)能與電動(dòng)車興起,預(yù)期功率半導(dǎo)體元件的需求有望持續(xù)走高。估計(jì) 2020~2023 年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將自 148.43 億美元成長(zhǎng)至 174.22 億美元,年復(fù)合成長(zhǎng)率達(dá) 5.5%。
進(jìn)一步分析三大元件的成長(zhǎng)力道,預(yù)期 2020~2023 年 power MOSFET、IGBT、bipolar transistor 的年復(fù)合成長(zhǎng)率依序?yàn)?5.2%、6.9%、2.8%,power MOSFET、IGBT 將是推動(dòng)功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)成長(zhǎng)的主力。
圖:2019~2023 年全球功率半導(dǎo)體元件市場(chǎng)規(guī)模
Source:拓墣產(chǎn)業(yè)研究院整理,2020/12
中國(guó)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主化,華潤(rùn)微電子等 IDM 廠有望直接受惠
中國(guó)是率先大規(guī)模布建 5G 系統(tǒng)的國(guó)家,同時(shí)也擁有全球最大的太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)鏈及第一大電動(dòng)車市場(chǎng),且在多項(xiàng)物聯(lián)網(wǎng)政策與 AI 產(chǎn)業(yè)政策推波助瀾下,終端電子設(shè)備增長(zhǎng)迅速,加上消費(fèi)性電子市場(chǎng)規(guī)模冠于全球,使其對(duì)功率半導(dǎo)體元件有龐大需求。
政府為了實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)自主化,積極扶植本土供應(yīng)鏈,持續(xù)拉升功率半導(dǎo)體元件的自給率,本土廠商亦獲得寬闊的發(fā)展空間。
華潤(rùn)微電子是中國(guó)第一大功率半導(dǎo)體元件供應(yīng)商,產(chǎn)品涵蓋 power MOSFET、IGBT 與 bipolar transistor。其中,power MOSFET 為主力產(chǎn)品,可滿足 12~900V 工作電壓需求,而 IGBT 則有 600V、1200V、1350V 三種類別。
隨著中國(guó)積極發(fā)展進(jìn)口替代,華潤(rùn)微電子的功率半導(dǎo)體元件出貨量持續(xù)攀升,即便在新冠病毒蔓延下,其 power MOSFET、IGBT 產(chǎn)品在 2020 上半年?duì)I收仍分別年增 21.4%、49.9%。除了華潤(rùn)微電子外,比亞迪半導(dǎo)體、中車時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)體等指標(biāo) IDM 廠亦有望在中國(guó)推動(dòng)產(chǎn)業(yè)自主化的過(guò)程中直接受惠。