【下篇】存儲(chǔ)器的未來(lái)：無(wú)處不在的科技消費(fèi)

DRAM 產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)周期性，其實(shí)是因?yàn)閺?1990 年至 2012 年長(zhǎng)達(dá)二十二年來(lái)的間歇性大混戰(zhàn)。三星的幾次逆周期投資，包括行業(yè)的兼并整合，以及各種因素疊加之下，DRAM 整個(gè)產(chǎn)業(yè)從來(lái)沒(méi)有過(guò)好好賺錢(qián)的時(shí)間。

這二十二年，總有人掉隊(duì)，同時(shí)總有人為了防止自己掉隊(duì)，做出防御，最終還是被擊潰。直至形成穩(wěn)定的寡頭壟斷格局，DRAM 的規(guī)模開(kāi)始快速提升，在短短 5 年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了翻倍，從 400 億美金達(dá)到了 1000 億美金。

而對(duì)于存儲(chǔ)空間的需求，將會(huì)成為我們?nèi)粘Ｉ钪袩o(wú)處不在的科技消費(fèi)。在這里，有人可能會(huì)說(shuō)，我可以把數(shù)據(jù)存放在云端，就可以減少我個(gè)人的存儲(chǔ)消費(fèi)。但是，站在投資角度，以總量的視角來(lái)看，云服務(wù)提供商所提供的存儲(chǔ)空間，最終也需要轉(zhuǎn)化為真實(shí)的存儲(chǔ)器件上，只是不需要消費(fèi)者自己去買(mǎi) U 盤(pán)或者硬盤(pán)了而已。

01

DRAM 行業(yè)的強(qiáng)周期性，源自于從未停歇的產(chǎn)業(yè)混戰(zhàn)

對(duì)于我們 80 后末的一代人來(lái)說(shuō)，對(duì)電子產(chǎn)品的最初印象，不是大哥大，反而是 BB 機(jī)——傳說(shuō)中的摩托羅拉精英王。在 90 年代末，臺(tái)式電腦還未普及，能有一臺(tái)奔騰 II 電腦絕對(duì)是小伙伴們最為渴望的事情。

1999 年春天，經(jīng)過(guò)各種游說(shuō)，我終于獲得了一臺(tái)聯(lián)想天鶴電腦。配置“極高”：CPU 主頻 450MHz，采用最新的 Intel PentiumIII 處理器，64MB 內(nèi)存，6.4G 硬盤(pán)。這絕對(duì)是當(dāng)時(shí)的高端配置，我很發(fā)愁 6.4G 的硬盤(pán)該怎么用…那時(shí)候，放學(xué)回家玩《帝國(guó)時(shí)代 II》和《紅色警戒》，成為了我每天最期待的事情。

直到有位好朋友將自己的奔騰 II 400MHz 的電腦加了 64MB 內(nèi)存。這肉眼可見(jiàn)的速度提升，讓我對(duì)家里的“高級(jí)電腦”產(chǎn)生了質(zhì)疑。原本安裝一個(gè) 800MB 的游戲需要 40 分鐘，加了 64MB 內(nèi)存后僅需要 20 分鐘。

當(dāng)時(shí)一條 64MB 的內(nèi)存條 -- 售價(jià) 400 元人民幣，這并不是一個(gè)小數(shù)字。2000 年千禧之年，我們一群小學(xué)生一邊談?wù)撝晗x(chóng)如何厲害，一邊給我出謀劃策尋摸著弄個(gè) 64MB 的內(nèi)存…

在那個(gè)年代，64MB 的內(nèi)存條，和將 CPU 超頻 150MHz 一樣酷炫。直到退役，天鶴的內(nèi)存還維持在 128MB 的水準(zhǔn)上。

現(xiàn)在回想起來(lái)，那時(shí)候?qū)τ谖覀儊?lái)說(shuō)極為“昂貴”的內(nèi)存，在各個(gè)巨頭之間卻經(jīng)歷著殘酷的產(chǎn)業(yè)嚴(yán)冬。

在上一篇文章中國(guó)存儲(chǔ)器：“無(wú)心插柳”的戰(zhàn)略突圍中，結(jié)尾處有一張圖，標(biāo)注了從 1991 年 -2016 年全球 DRAM 市場(chǎng)的市場(chǎng)規(guī)模。這個(gè)規(guī)模從 1991 年的不到 100 億美金，飆升到了 1995 年的 400 億美金。

而在此后的二十年中，DRAM 行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的周期性特點(diǎn)。在最差的 2001 年，DRAM 的市場(chǎng)規(guī)模重新回到了 100 億美金附近，十年間幾乎無(wú)增長(zhǎng)。DRAM 行業(yè)的周期性，在我關(guān)注這個(gè)行業(yè)之后，一直是一個(gè)基礎(chǔ)認(rèn)識(shí)。

圖 1：1991-2016 年全球 DRAM 市場(chǎng)規(guī)模

資料來(lái)源：ITRS，《集成電路產(chǎn)業(yè)全書(shū)》

然而，重新審視 DRAM 行業(yè)變遷的過(guò)程中，卻有了不一樣的理解。

DRAM 產(chǎn)業(yè)在經(jīng)歷了 70-80 年代快速發(fā)展后，于 90 年代快速加入混戰(zhàn)。日美半導(dǎo)體協(xié)議，加上韓國(guó)的大力投資，讓日本半導(dǎo)體行業(yè)遇到了前所未有的沖擊。在韓國(guó)政府以及韓國(guó)財(cái)閥的豪賭下，韓國(guó) DRAM 產(chǎn)業(yè)在 1994 年實(shí)現(xiàn)了對(duì)日本和美國(guó)的全面反超。

在這里，要重點(diǎn)說(shuō)明一個(gè)問(wèn)題：

韓國(guó)的反超，是 DRAM 的反超，而非半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的反超。美國(guó)依然是全球的 No.1，地位不可撼動(dòng)。即使是當(dāng)年如日中天的日本，也并未在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)層面超越美國(guó)。

這歸因于：美國(guó)在半導(dǎo)體全新的處理器領(lǐng)域有著絕對(duì)領(lǐng)先以及壟斷。

三星的 DRAM 發(fā)展歷程，就是購(gòu)買(mǎi)生產(chǎn)技術(shù)，完成技術(shù)導(dǎo)入，最后進(jìn)行技術(shù)吸收。三星從 64K DRAM 開(kāi)始，一直買(mǎi)到了 1M DRAM。韓國(guó)現(xiàn)代也通過(guò)為 TI 代工組裝 64K 和 256K DRAM，搞到了 64K 乃至 1M DRAM 的設(shè)計(jì)與加工技術(shù)。

韓國(guó)企業(yè)在代工、組裝過(guò)程中，通過(guò)購(gòu)買(mǎi)技術(shù)進(jìn)行消化，迅速完成了基礎(chǔ)的技術(shù)積累。加上 DRAM 存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)特點(diǎn)，韓國(guó)企業(yè)集中在半導(dǎo)體領(lǐng)域一個(gè)狹窄的領(lǐng)域中，充分利用他們的“后發(fā)優(yōu)勢(shì)”：

專(zhuān)注于大規(guī)模制造，而非以高密集 R&D 形式為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。

從這個(gè)角度上，韓國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的趕超，關(guān)于“超越”的部分，確實(shí)被夸大了。底層技術(shù)的超越是一個(gè)難度極高的正反饋和自我推進(jìn)系統(tǒng)，而當(dāng)時(shí)的韓國(guó)并未能夠在真正的創(chuàng)新領(lǐng)域有所建樹(shù)。

在這一點(diǎn)上，中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)現(xiàn)在加速追趕，如火如荼，但也需要注意不要陷入“引進(jìn) - 追趕 - 落后”的陷阱。

說(shuō)明韓國(guó)的 DRAM 發(fā)展?fàn)顩r，是為了表明一個(gè)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)事實(shí)：DRAM 產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)，更多來(lái)自于資本和政府行為，而非單純的技術(shù)推進(jìn)。這和臺(tái)積電所在的晶圓代工領(lǐng)域完全不同，臺(tái)積電做的生意幾乎可以概括為：

以先進(jìn)制程推動(dòng)算力的提升，同時(shí)有資格攫取行業(yè)幾乎所有利潤(rùn)。

通過(guò)先進(jìn)制程捕捉最有實(shí)力的客戶(hù)，成為這個(gè)行業(yè)的賺錢(qián)邏輯。當(dāng)一個(gè)行業(yè)以技術(shù)水平最為主要參考的時(shí)候，這個(gè)行業(yè)更容易呈現(xiàn)出穩(wěn)定增長(zhǎng)的狀態(tài)，直到進(jìn)入技術(shù)瓶頸期。

圖 2: 2001-2021E 全球晶圓代工市場(chǎng)規(guī)模（單位：十億美金）

資料來(lái)源：公開(kāi)資料整理?

對(duì)于 DRAM 產(chǎn)業(yè)，90 年代是美韓對(duì)于日本的圍剿，這場(chǎng)戰(zhàn)役最終以韓國(guó)大獲全勝而告終。

韓國(guó)以三星為首的財(cái)閥通過(guò)大規(guī)模的投資，輔以美國(guó)對(duì)日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的限制，最終實(shí)現(xiàn)了對(duì)日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)的全面壓制。

但是 2000 年 -2001 年的互聯(lián)網(wǎng)泡沫破滅，加上韓國(guó)財(cái)閥們的再次逆周期投資，日本的 DRAM 產(chǎn)業(yè)受到了二次傷害，一種幾近崩潰的傷害。在 2001 年，日本電氣 NEC 撤出 DRAM 行業(yè)。但是由于深厚的產(chǎn)業(yè)底蘊(yùn)，日本的 DRAM 產(chǎn)業(yè)并未徹底被擊潰，還有新興的爾必達(dá)，為日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)保留了一顆火種。爾必達(dá)誕生于 1999 年，整合了日本電氣 NEC、日立、三菱 DRAM 業(yè)務(wù)，背后是日本政府的產(chǎn)業(yè)意志。?

圖 3：日本電氣 NEC 退出 DRAM 行業(yè)，隨后 DRAM 現(xiàn)貨價(jià)格開(kāi)始止跌 .

資料來(lái)源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用編譯，超低價(jià) DRAM 及其低成本技術(shù)

2001 年互聯(lián)網(wǎng)金融泡沫破滅后，DRAM 產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了長(zhǎng)達(dá) 6 年的復(fù)蘇以及增長(zhǎng)。DRAM 產(chǎn)業(yè)的市場(chǎng)規(guī)模也從 120 億美金增加到超過(guò) 300 億美金。然而，2008 年金融危機(jī)，徹底摧毀了日本 DRAM 產(chǎn)業(yè)。

從 2007 年開(kāi)始，韓國(guó)財(cái)閥三星再次玩起了逆周期投資。在這種企業(yè)家意志疊加政府意志的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)中，日本半導(dǎo)體廠商再次被擊潰。2008 年的 DRAM 供應(yīng)過(guò)剩程度，比 2007 年更加嚴(yán)重，于是大多數(shù)存儲(chǔ)器廠商在 2007 年價(jià)格暴跌后開(kāi)始控制 2008 年的產(chǎn)量。

然而，這里不包括三星。

2008 年，全球 PC 出貨量同比增長(zhǎng) 11%，對(duì)于 DRAM 的需求同比增長(zhǎng) 59%。然而，2007 年供給端增長(zhǎng)超過(guò) 80%。在已經(jīng)產(chǎn)生庫(kù)存的情況下，三星的逆周期投資讓供給大幅提升，遠(yuǎn)遠(yuǎn)超出 59%的需求量。

雪上加霜的是, 松下筆記本電池工廠在 2007 年 9 月 30 日發(fā)生大火。這場(chǎng)火災(zāi)直接導(dǎo)致了電池備貨不足，使得 PC 的實(shí)際生產(chǎn)量進(jìn)一步萎縮，更是直接讓當(dāng)年的市場(chǎng)減少了 10%的筆記本電腦供應(yīng)量。?

于是在 2008 年，產(chǎn)業(yè)內(nèi)的共識(shí)是：

除了三星、海力士，誰(shuí)都有可能永遠(yuǎn)退出這個(gè)行業(yè)。

2008 年 4 月下旬開(kāi)始，DRAM 行業(yè)開(kāi)始了最后一次大混戰(zhàn)。爾必達(dá)（日本）和奇夢(mèng)達(dá)（德國(guó)）發(fā)表聲明，展開(kāi)合作。同時(shí)加入爾必達(dá) - 奇夢(mèng)達(dá)陣營(yíng)的還有中國(guó)臺(tái)灣的力晶半導(dǎo)體。另一陣營(yíng)，海力士和中國(guó)臺(tái)灣的茂德科技合作，美光和中國(guó)臺(tái)灣的南亞科技合作。此后，在 2010 年奇夢(mèng)達(dá)徹底退出。經(jīng)過(guò)產(chǎn)業(yè)整合，2010 年后市場(chǎng)上僅剩韓國(guó)三星、海力士、爾必達(dá)、美光科技四大巨頭。幾家中國(guó)臺(tái)灣的 DRAM 廠商基本上依附于除三星外的三大巨頭。

顯然，在政府意志方面，日本遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如韓國(guó)。2012 年，日本爾必達(dá)陷入困境，申請(qǐng)破產(chǎn)。美光趁機(jī)收掉了爾必達(dá)。至此，DRAM 市場(chǎng)上三星、海力士、美光形成了三足鼎立的格局。

2019 年，DRAM 市場(chǎng)份額中，三星占比 46%，SK 海力士占比 29%，美光占比 20%，三巨頭聯(lián)手壟斷了 95%的份額。

非常“巧合”的是，DRAM 的價(jià)格也從 2012 年的 1.6 美金 ASP（Average Spot Price）提升到了 2013 年的 2.5 美金。2014 年 1 月，DRAM 的 ASP 為 2.8 美金。在經(jīng)歷了 2015 年 -2016 年的短暫下降后，在 2018 年的 3 月份恢復(fù)至 3.5 美金。2019 年，DRAM 的 ASP 整體維持在 3.2 美金左右。

圖 4：2014 年 -2018 年 DRAM 價(jià)格走勢(shì)

從 2012 年，三巨頭的寡頭格局建立起來(lái)后，DRAM 的價(jià)格至今都維持在 3 美金左右的相對(duì)高位。雖然比當(dāng)年的 16 美金低很多，但是形成了良好的競(jìng)爭(zhēng)格局，非常有利于共謀。

DRAM 的價(jià)格完全取決于韓國(guó)和美國(guó)的態(tài)度，特別是美國(guó)。美光可以穩(wěn)定地賺取巨大的利潤(rùn)。這也直接導(dǎo)致，從 2012 年后，DRAM 的全球市場(chǎng)規(guī)模最多有小幅的縮減，最終在 2017 年增長(zhǎng) 77%，2018 年增長(zhǎng) 10%+，在 2018 年以及 2019 年市場(chǎng)規(guī)?？焖俦平?1000 億美金。

這一切得益于穩(wěn)定的市場(chǎng)格局，而并非由 DRAM 的技術(shù)所推動(dòng)。

從上面的內(nèi)容，我們可以清晰的發(fā)現(xiàn)：

DRAM 產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)周期性，其實(shí)是因?yàn)閺?1990 年至 2012 年長(zhǎng)達(dá)二十二年來(lái)的間歇性大混戰(zhàn)。三星的幾次逆周期投資，包括行業(yè)的兼并整合，以及各種因素疊加之下，DRAM 整個(gè)產(chǎn)業(yè)從來(lái)沒(méi)有過(guò)好好賺錢(qián)的機(jī)會(huì)。這二十二年，總有人掉隊(duì)，同時(shí)總有人為了防止自己掉隊(duì)，做出防御，最終還是被擊潰。

直至形成穩(wěn)定的寡頭壟斷格局，DRAM 的規(guī)模開(kāi)始快速提升，在短短 5 年內(nèi)實(shí)現(xiàn)了翻倍，從 400 億美金達(dá)到了 1000 億美金。

圖 5：DRAM 產(chǎn)業(yè)的周期圖 .

資料來(lái)源：電子設(shè)計(jì)應(yīng)用編譯，超低價(jià) DRAM 及其低成本技術(shù)

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存儲(chǔ)技術(shù)的未來(lái)：無(wú)處不在的科技消費(fèi)

這里簡(jiǎn)單介紹一下存儲(chǔ)器的相關(guān)基本知識(shí)。存儲(chǔ)器從斷電后數(shù)據(jù)是否依舊可以被保存的角度，分為易失性存儲(chǔ)器（Volatile Memory, VM）和非易失性存儲(chǔ)器（Non-VM，NVM）。

圖 6：存儲(chǔ)器的分類(lèi)

對(duì)于 SRAM，第一顆 1K bit 的 6T-SRAM 由 Intel 在 1976 年研發(fā)成功。而 SRAM 和 DRAM 的區(qū)別就在于：使用時(shí)是否需要被刷新。SRAM 不需要刷新，電路能夠保存以前的數(shù)據(jù)。而 DRAM 如果不能每隔一段時(shí)間刷新充電一次，數(shù)據(jù)就會(huì)消失。

SRAM 價(jià)格高、速度快、功耗相對(duì)低，但是容量小，CPU 中的 Cache 通常采用 SRAM。目前在 10nm 技術(shù)節(jié)點(diǎn)，臺(tái)積電、Intel 都在生產(chǎn) 128Mbit 的 SRAM 產(chǎn)品。

對(duì)于 SRAM 的重視，最主要是因?yàn)?a class="article-link" target="_blank" href="/e/1592241.html">人工智能（AI）的發(fā)展，對(duì) SRAM 的讀寫(xiě)速度有了更高的要求，新型 SRAM 器件是各個(gè)巨頭越來(lái)越重視的產(chǎn)品。

至于現(xiàn)在的同步 DRAM（又稱(chēng)為 SDRAM），又分為單倍數(shù)據(jù)速率的 SDRAM 和雙倍速率的 SDRAM，習(xí)慣上成雙倍數(shù)據(jù)速率為 DDR，這就是我們平常見(jiàn)到的 DDR4，甚至之后的 DDR5。

圖 7：DDR 的性能指標(biāo)簡(jiǎn)介

在非易失性存儲(chǔ)器中，我們平時(shí)用的固態(tài)硬盤(pán)就屬于 3D Nand，手機(jī)中的存儲(chǔ)空間就是 ROM。

至此，目前主流的存儲(chǔ)基本介紹完畢。

對(duì)于存儲(chǔ)技術(shù)的演進(jìn)，目前在傳統(tǒng)的主流存儲(chǔ)技術(shù)上，考慮到成本（性?xún)r(jià)比）以及穩(wěn)定性、兼容性等眾多因素，存儲(chǔ)芯片的制程推進(jìn)遠(yuǎn)慢與邏輯芯片。

從制程角度來(lái)看，10 納米級(jí)別的 DRAM 已經(jīng)經(jīng)歷了 1X、1Y、1Z、1α、1β五代產(chǎn)品，分別對(duì)應(yīng) 19-18nm、17-16nm、16-14nm。1α則為 14nm 以下，1β為 13nm 以下。這和摩爾定律并不對(duì)應(yīng)。

同時(shí)，與三星不同，美光在 13nm 以下世代前，都不會(huì)使用 EUV，而是使用限制的 DUV。

這意味著，從制造角度來(lái)說(shuō)，DRAM 進(jìn)入了一個(gè)相對(duì)廠的瓶頸期。同時(shí)，前面文章說(shuō)到了 DRAM 在設(shè)計(jì)領(lǐng)域的基本特點(diǎn)，結(jié)合設(shè)計(jì)和制造，中國(guó)完全可能在相對(duì)短的時(shí)間內(nèi)（幾年）快速縮短和韓國(guó)以及美國(guó)的差距。

圖 8：主要閃存制造商制程的推進(jìn)路線（DRAM 也可參考）

而對(duì)于我們投資來(lái)說(shuō)，上面有關(guān)于“瓶頸期”結(jié)論很重要，我們之后會(huì)繼續(xù)來(lái)驗(yàn)證并修正這個(gè)結(jié)論。

最后，對(duì)于前面沒(méi)有介紹的圖 6 的 4 種隨機(jī)存取技術(shù)，從 PCRAM 和 MRAM 到 RRAM，眾多全新的存儲(chǔ)技術(shù)涌向晶圓廠。這種全新的存儲(chǔ)技術(shù)，并非憑空出現(xiàn)，而是由云計(jì)算、人工智能、邊緣計(jì)算等一系列應(yīng)用所推動(dòng)的。這些技術(shù)正在不斷的擴(kuò)展著當(dāng)今主流存儲(chǔ)技術(shù)的能力。

信息技術(shù)的進(jìn)步已將數(shù)據(jù)的生成速率和數(shù)量推到了一定的程度，其中內(nèi)存和存儲(chǔ)是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)優(yōu)化的重點(diǎn)。傳輸數(shù)據(jù)、延遲時(shí)間和帶寬對(duì)于這些系統(tǒng)的綜合性能和能效至關(guān)重要。創(chuàng)建能夠突破這些限制的結(jié)構(gòu)對(duì)未來(lái)的存儲(chǔ)具重要的意義。

智能終端的越來(lái)越強(qiáng)大，以及人們對(duì)于數(shù)據(jù)的需求，讓存儲(chǔ)更加重要。當(dāng)我們玩游戲玩到關(guān)鍵時(shí)刻，突然的延遲和卡頓可能葬送我們的勝利，甚至對(duì)于大型的網(wǎng)游，可能會(huì)讓我們的“氪金”喪失意義。

對(duì)于移動(dòng)終端，我們可能需要在線看視頻直播，甚至在移動(dòng)終端例如手機(jī)、iPad 等進(jìn)行工作。海量的數(shù)據(jù)不僅僅需要存儲(chǔ)在我們的移動(dòng)終端上，還需要能夠通過(guò)網(wǎng)絡(luò)快速的訪問(wèn)。

圖 9：智能手機(jī)、PC 對(duì) DRAM 平均搭載量的變化

在直播秒殺的時(shí)候，我想沒(méi)人愿意多等那 1 秒鐘。

2019 年 6 月 4 日，蘋(píng)果發(fā)布了全新的 Mac Pro，用戶(hù)最高可選配 1.5TB DDR4 ECC 內(nèi)存 (有 12 個(gè)可供用戶(hù)自行配置的 DIMM 插槽。同時(shí)，最高可以選配 8TB 的固態(tài)硬盤(pán)。

對(duì)，你沒(méi)有看錯(cuò)，是 1.5TB（1025GB=1TB）的 DDR4 內(nèi)存…頂配版售價(jià)將近 50w 人民幣。而蘋(píng)果售賣(mài)的 DRAM 和固態(tài)硬盤(pán)，價(jià)格也要遠(yuǎn)高于其他廠商的產(chǎn)品。

未來(lái)，可能出現(xiàn)的全新的人工智能以及可穿戴的應(yīng)用，也將會(huì)極大的提升人們對(duì)于存儲(chǔ)的需求。這兩年最直接案例就是蘋(píng)果的 Airpods，瞬間的火爆讓 Nor 的需求大幅提升。

為了從根本上提高復(fù)雜數(shù)據(jù)處理的性能，滿(mǎn)足未來(lái)的智能要求，人們也需要一種針對(duì)高性能計(jì)算的“智能”存儲(chǔ)系統(tǒng)其中應(yīng)包括操作系統(tǒng)，編程模型和內(nèi)存管理技術(shù)，以及原型系統(tǒng)體系結(jié)構(gòu)。

通過(guò)靠近數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的位置使用分布式計(jì)算元件和加速器，可能會(huì)取得重大進(jìn)展。最佳硬件平臺(tái)可以包含互連的內(nèi)存和橫截面帶寬較大的存儲(chǔ)設(shè)備的大型結(jié)構(gòu)。通過(guò)集成邏輯運(yùn)算單元（處理器）和加速器，以及傳統(tǒng)的高性能計(jì)算元素，同時(shí)構(gòu)建一種能夠快速訪問(wèn)所有或部分共享存儲(chǔ)空間的硬件系統(tǒng)，將會(huì)是未來(lái)提高整個(gè)設(shè)備運(yùn)算能力的突破點(diǎn)。

半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展帶來(lái)的全新應(yīng)用，正在改變著我們的生活，比如新的智能手機(jī)、可穿戴醫(yī)療設(shè)備、工廠自動(dòng)化、人工智能等。這一切尖端技術(shù)的實(shí)現(xiàn)，依靠的不僅僅是 CPU 或者 SoC，也包括在后臺(tái)工作的存儲(chǔ)芯片。

我們的單張手機(jī)照片，已經(jīng)達(dá)到幾兆甚至十幾兆，當(dāng)我們拍了一張精美的照片，我們需要保存。我們需要隨時(shí)以來(lái)微信工作，而打開(kāi)我們的微信存儲(chǔ)空間，我們會(huì)發(fā)現(xiàn)這個(gè)超級(jí)應(yīng)用已經(jīng)有 20GB、30GB，而我個(gè)人的微信已經(jīng)占到了 50GB。我們購(gòu)買(mǎi)手機(jī)的時(shí)候，對(duì)于 5G 手機(jī)而言，8GB+128GB 基本上已經(jīng)是起點(diǎn)。

對(duì)于存儲(chǔ)空間的需求，將會(huì)成為我們?nèi)粘Ｉ钪袩o(wú)處不在的真實(shí)科技消費(fèi)。在這里，有人可能會(huì)說(shuō)，我可以把數(shù)據(jù)存放在云端，就可以減少我個(gè)人的存儲(chǔ)消費(fèi)。但是，站在投資角度，以總量的視角來(lái)看，云服務(wù)提供商所提供的存儲(chǔ)空間，最終也需要轉(zhuǎn)化為真實(shí)的存儲(chǔ)器件上，只是不需要消費(fèi)者自己去買(mǎi) U 盤(pán)或者硬盤(pán)了而已。

而且不要忘了，為此，你需要付費(fèi)。所以站在總量的角度，當(dāng)我們需要存儲(chǔ)越來(lái)越多的數(shù)據(jù)、拍越來(lái)越多的照片、保存越來(lái)越多的視頻，存儲(chǔ)的需求將會(huì)逐步轉(zhuǎn)化為一種必需的技術(shù)消費(fèi)品。

我們?cè)谧詈笠黄Y(jié)合前兩篇，最終表達(dá)三個(gè)觀點(diǎn)：

（1）存儲(chǔ)器的價(jià)格再出現(xiàn)巨大暴跌的可能性很低，周期性源于持續(xù)的混亂競(jìng)爭(zhēng)，以及技術(shù)的相對(duì)樸素。即使中國(guó)加入競(jìng)爭(zhēng)，未來(lái)價(jià)格可能出現(xiàn)波動(dòng)，無(wú)論從產(chǎn)業(yè)角度還是國(guó)際環(huán)境的角度，DRAM 再出現(xiàn)大幅暴跌的可能性較低；

（2）存儲(chǔ)技術(shù)進(jìn)入了一個(gè)瓶頸期，中國(guó)的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)正在加速追趕，可能超出我們的想象；

（3）存儲(chǔ)消費(fèi)，未來(lái)將逐步成為一種必需的技術(shù)消費(fèi)。

關(guān)于（1），受篇幅所限不展開(kāi)，結(jié)論供大家討論。

至此，關(guān)于存儲(chǔ)器的介紹告一段落。下周因?yàn)楣ぷ靼才?，公眾?hào)會(huì)做一些新的內(nèi)容，可能會(huì)涉及半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)估值的話題，或者是一些半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的內(nèi)容。敬請(qǐng)期待。

參考文獻(xiàn)：

[1]大石基之,南庭 . 超低價(jià) DRAM 及其低成本技術(shù)[J]. 電子設(shè)計(jì)應(yīng)用,2008(02):23-25+28-34+36.

[2]劉明 . 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)[J]. 科技導(dǎo)報(bào),2019,37(03):62-65.

[3]淺談新型存儲(chǔ)器[J]. 電子工業(yè)專(zhuān)用設(shè)備,2018,47(03):10-12.

[4]單祥茹 . 應(yīng)用材料公司用“新劇本”推動(dòng)后摩爾時(shí)代新型存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)[J]. 中國(guó)電子商情(基礎(chǔ)電子),2019(08):21-23.