刻蝕設(shè)備市場(chǎng)空間大，國(guó)產(chǎn)替代迎來(lái)希望

與非網(wǎng) 10 月 9 日訊，完整的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈包括半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司、半導(dǎo)體制造公司、半導(dǎo)體封測(cè)公司和半導(dǎo)體設(shè)備與材料公司。其中，半導(dǎo)體設(shè)備的主要應(yīng)用階段為半導(dǎo)體的制造與封測(cè)工藝流程。半導(dǎo)體的制造工藝流程包括晶圓制造、晶圓加工和封裝測(cè)試三個(gè)部分。
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在半導(dǎo)體制造工藝中，薄膜沉積、光刻、刻蝕三大工藝是半導(dǎo)體制造流程中最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，直接決定了芯片的分層結(jié)構(gòu)、表面電路圖形等，顯著影響芯片的電學(xué)參數(shù)和應(yīng)用性能。

其中，刻蝕是用化學(xué)或者物理方法將晶圓表面不需要的材料逐漸去除的過(guò)程， 決定了晶圓上的芯片電路能否與光掩模版上的芯片電路保持一致，是圖形化工藝中的重點(diǎn)。

按照工藝劃分，刻蝕主要分為濕法刻蝕和干法刻蝕兩大類。

根據(jù) Wind 的統(tǒng)計(jì)，2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備達(dá)到 645.3 億美元，其中晶圓處理設(shè)備為 502 億美元，假定 2018 年刻蝕設(shè)備占晶圓處理設(shè)備比例與 SEMI 披露的 2017 年的 24%相同，則計(jì)算可得 2018 年刻蝕設(shè)備的全球市場(chǎng)規(guī)模突破百億美元級(jí)別，達(dá) 120.5 億美元。

從競(jìng)爭(zhēng)格局來(lái)看，國(guó)外巨頭由于起步早，資金、技術(shù)、客戶資源、品牌等方面具備優(yōu)勢(shì)，目前占據(jù)刻蝕設(shè)備市場(chǎng)較高份額。根據(jù) The Information Network 的數(shù)據(jù)，泛林半導(dǎo)體、東京電子、應(yīng)用材料 2017 年市場(chǎng)占有率分別為 55%、20%和 19%，合計(jì)占據(jù) 94%的市場(chǎng)份額。
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當(dāng)前中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備迎來(lái)發(fā)展機(jī)遇，從需求端的角度來(lái)看，政策、資金、市場(chǎng)是三大助力因素。

據(jù)統(tǒng)計(jì)，中國(guó)內(nèi)地目前在建的晶圓廠：12 寸晶圓廠共 16 條，投資額合計(jì) 6,058 億元；8 寸晶圓廠共 6 條，投資額合計(jì) 247 億元。另外計(jì)劃建設(shè)的晶圓廠 13 條，其中有披露投資額的合計(jì) 4,946 億元。而晶圓廠設(shè)備采購(gòu)時(shí)間一般為投產(chǎn)前 1 年左右開始，投產(chǎn)后 1 年完成相關(guān)晶圓廠設(shè)備采購(gòu)，帶來(lái)了半導(dǎo)體設(shè)備的投資機(jī)遇。

國(guó)內(nèi)廠商刻蝕設(shè)備迎來(lái)突破，有望顯著受益。

國(guó)內(nèi)刻蝕設(shè)備的主要廠商為中微公司和北方華創(chuàng)，近年來(lái)兩家公司分別在技術(shù)儲(chǔ)備以及客戶認(rèn)證方面取得了良好的進(jìn)展。中微公司經(jīng)過(guò)多年積累，刻蝕設(shè)備技術(shù)已接近國(guó)際領(lǐng)先水平，目前在 65 納米到 7 納米的加工上均有刻蝕應(yīng)用，并已經(jīng)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，目前公司正在進(jìn)行 7 納米和 5 納米部分刻蝕應(yīng)用的客戶端驗(yàn)證，進(jìn)展良好。北方華創(chuàng)部分設(shè)備如硅刻蝕機(jī)也已經(jīng)在國(guó)產(chǎn) 12 英寸設(shè)備已經(jīng)在生產(chǎn)線上實(shí)現(xiàn)批量應(yīng)用。

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