產(chǎn)業(yè)丨不同存儲類別，價格變了又變？

作者 | 方文三

從需求端來看，通貨膨脹壓力及AI個人電腦應用場景的缺乏，共同阻礙了大規(guī)模升級周期的形成。在供應端，主要制造商于第三季度恢復了滿負荷生產(chǎn)，同時其他供應商亦通過技術革新提升了產(chǎn)能，共同推動了整體供應能力的提升，進而加劇了市場價格競爭。

NAND市場第四季度將出現(xiàn)下滑

根據(jù)市場研究公司Trend Force的最新報告，盡管第三季度的NAND平均售價（ASP）預計將上漲5%至10%，但第四季度卻預計將出現(xiàn)3%至8%的下滑。

在消費類NAND產(chǎn)品中，價格跌幅尤為顯著。特別是用于高端及旗艦智能手機的eMMC和UFS產(chǎn)品，預計第四季度價格將下降8%至13%。

全球經(jīng)濟低迷背景下，智能手機平均更換周期延長至三年，且市場缺乏能夠替代智能手機的突破性應用，導致智能手機及筆記本電腦制造商采取更為保守的庫存管理策略，進而影響了NAND訂單的發(fā)放。

個人電腦用SSD及通用閃存存儲（UFS）市場則因終端產(chǎn)品銷售不振，買家普遍采取更為審慎的采購策略，進一步加劇了市場的不確定性。

企業(yè)級SSD市場預計價格將經(jīng)歷0%至5%的增長，然而，此增幅較初期預測有所縮減。第四季度，服務器OEM訂單顯著縮減，部分歸因于企業(yè)客戶對AI服務器部署的延緩。

對于eMMC和UFS市場，這兩款主要應用于智能手機的產(chǎn)品，其價格預計在第四季度將下滑8%至13%。

此外，NAND晶圓價格亦面臨下行壓力。繼第三季度3%至8%的降幅后，第四季度NAND晶圓價格預計還將再下降10%至15%。

這一趨勢主要歸因于模塊制造商庫存積壓嚴重，以及部分供應商為保持市場競爭力而采取的降價策略。

若市場環(huán)境進一步惡化，價格降幅可能更為顯著。

這些預測凸顯了NAND閃存市場整體承受的價格下行壓力，尤其在面向消費者的細分市場中，隨著年底購物季的臨近，大幅度的價格調(diào)整已成市場期待。

DRAM市場方面呈現(xiàn)出價格下滑的趨勢

Trend Force預測，雖然第三季度通用DRAM平均價格上漲了8%至13%，但第四季度漲幅將大幅收窄至0%至5%。

具體到不同應用場景的DRAM產(chǎn)品而言，PC用DRAM和顯卡用DRAM價格預計將在第四季度維持與上季度相似的水平；

而服務器用DRAM DDR5價格則預計比上季度上漲0%至5%。

不過，受智能手機需求下滑的影響，移動DRAM價格預計將在第四季度下降5%至10%。

在消費級DRAM領域，DDR5價格預計下降0%至5%，而DDR4價格則預計保持穩(wěn)定。

手機市場復蘇態(tài)勢不顯著及大廠策略調(diào)頭

在第三季度，眾多核心制造商已成功恢復全面生產(chǎn)能力，部分供應商則憑借技術創(chuàng)新與改進，實現(xiàn)了產(chǎn)能的顯著提升，進而推動了整體供應能力的增強。

然而，由于市場需求持續(xù)疲軟，這一供應增長態(tài)勢與需求之間形成了鮮明對比，最終導致了供應過剩的局面。

根據(jù)提供的數(shù)據(jù)，無論是DDR、SSD、LPDDR還是eMMC等存儲產(chǎn)品類別，其價格趨勢在觀察期間均呈現(xiàn)出顯著的下降趨勢。

同時，市場需求增長的乏力亦可能導致了供需失衡，促使價格逐步走低。

由于IT行業(yè)需求未達預期，3D NAND內(nèi)存價格遭遇下滑。

為應對此狀況，主要閃存制造商正考慮調(diào)整生產(chǎn)計劃，減少對非易失性內(nèi)存的投資，并可能轉(zhuǎn)向生產(chǎn)高帶寬內(nèi)存（HBM）。

這一轉(zhuǎn)變源自人工智能行業(yè)對HBM內(nèi)存的旺盛需求，正達到前所未有的水平。

目前，所有主要的3D NAND制造商，包括Kioxia、美光、三星和SK海力士，均在評估減少非易失性存儲器產(chǎn)量及擴建額外閃存容量投資的可行性。

此舉措有望穩(wěn)定3D NAND價格，并可能在短期內(nèi)至中期內(nèi)對DRAM價格產(chǎn)生抑制作用。

鑒于當前市場態(tài)勢，三星與SK海力士等公司正將戰(zhàn)略重心轉(zhuǎn)移至DRAM領域，因該領域展現(xiàn)出更為強勁的需求。

未來市場價格將展現(xiàn)出結(jié)構性的分化態(tài)勢

在供應層面，存儲原廠在供應策略方面采取了更為謹慎的態(tài)度，顯示出對市場的深思熟慮。

與此同時，在需求方面，由于云服務提供商對AI硬件領域的持續(xù)投資，服務器領域內(nèi)對高速、大容量存儲產(chǎn)品的需求呈現(xiàn)出顯著的增長趨勢。

展望未來，TrendForce集邦咨詢預測HBM在DRAM總收入中的占比將持續(xù)擴大，從2023年的8%增長至2024年的21%，并有望在2025年進一步突破30%的大關。

此外，隨著AI平臺對新一代HBM產(chǎn)品的積極采用，TrendForce預計2025年HBM需求將主要集中在HBM3e世代產(chǎn)品上。

其中12hi產(chǎn)品占比將超過一半，成為下半年AI領域主要競爭廠商爭相布局的主流產(chǎn)品。

摩根士丹利近期發(fā)布了一系列減持行動，主要基于智能手機與PC需求下滑，進而導致通用DRAM需求減弱，以及高帶寬內(nèi)存（HBM）市場供過于求、價格下跌的預測。

就HBM市場而言，從需求端觀察，多家大型科技公司在人工智能領域的投資增速顯著放緩，預示著由AI驅(qū)動的HBM需求增長動力明顯減弱。

從供應端分析，預計明年HBM供給量將大幅超出市場需求，特別是三星電子全面進軍HBM市場，將進一步加劇市場供給過剩的狀況。

盡管AI領域的需求依然相對穩(wěn)健，但傳統(tǒng)終端市場的疲軟態(tài)勢已對DRAM價格預期構成壓力。

初步跡象表明，2024年第四季度的DRAM定價環(huán)境將更具挑戰(zhàn)性，且可能在2025年出現(xiàn)趨勢性反轉(zhuǎn)。

當前市場已發(fā)出賣出信號，預示著下一輪周期性下滑將于2025年啟動，DRAM市場將持續(xù)面臨供應過剩的問題，直至2026年，庫存累積現(xiàn)象更是加劇了這一困境。

此外，NAND市場在2025年的產(chǎn)能支出預計仍將保持健康水平。

然而，鑒于終端市場風險的暴露及與DRAM市場相似的客戶群體重疊，NAND與DRAM的周期性波動往往呈現(xiàn)同步趨勢。

一旦AI領域出現(xiàn)顯著的進展減速，其連鎖反應將對內(nèi)存市場產(chǎn)生深刻且廣泛的負面影響。

具體而言，此類停滯現(xiàn)象極有可能導致對高性能內(nèi)存產(chǎn)品，如HBM、DRAM以及SSD的需求出現(xiàn)急劇萎縮，進而對內(nèi)存市場的預期增長軌跡及既有的投資模式造成擾動與調(diào)整。

在AI應用蓬勃發(fā)展的背景下，內(nèi)存市場中的資本支出正逐步向DRAM傾斜。

隨著制造商積極擴增產(chǎn)能以應對日益增長的市場需求，DRAM領域的資本支出預計將實現(xiàn)近20%的年度同比增長。

結(jié)尾：

事實上，存儲市場的競爭激烈，各大廠商為了爭奪市場份額，不得不采取降價策略。

這種降價策略雖然有助于清理庫存，但也給廠商帶來了一定的壓力。

一方面，降價會降低廠商的利潤空間；另一方面，廠商還需要面對庫存損失的風險。

然而，在當前市場環(huán)境下，降價似乎是廠商們不得不做出的選擇。

部分資料參考：

半導體產(chǎn)業(yè)縱橫：《存儲價格，變了又變》，天天IC：《存儲價格，下跌20%》，中國電子報：《存儲芯片價格為何一漲再漲？》，半導體行業(yè)觀察：《新興存儲，冰火兩重天》《存儲芯片，再被看衰》，半導體芯情：《存儲產(chǎn)品價格未來幾月可能嚴重分化》《十月存儲芯片出貨量繼續(xù)飆升，市場主要由什么需求拉動？》，閃德資訊：《雙11戰(zhàn)線拉長，存儲價格再卷，市場亂象頻出》