中韓存儲芯片差距縮至三代！

根據(jù)三星電子10月8日在臨時業(yè)績公告中發(fā)布了單獨的說明材料，并表示“業(yè)績受到中國存儲器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應(yīng)增加的影響”。這是第一次專門提及中國存儲器企業(yè)的進展。這意味著中國的增長非同尋常。事實上，以CX存儲為代表的中國內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術(shù)也在快速進步。

CX存儲今年主要生產(chǎn)17nm DRAM，占全部生產(chǎn)產(chǎn)品的53%占領(lǐng)。去年的主要產(chǎn)品是19nm DRAM，占產(chǎn)量的87%。這意味著該技術(shù)在短短一年內(nèi)通過快速工藝變更成功升級。

更令人驚訝的是，明年預(yù)計將發(fā)生急劇的技術(shù)變革。CX存儲從今年第三季度開始量產(chǎn)第一款“16nm DRAM”，預(yù)計明年該產(chǎn)品的生產(chǎn)率將提高至33%。

納米（Nano）在指存儲半導體時使用，是指 DRAM 中包含的晶體管的線寬。線寬越小，一顆芯片上可以安裝的存儲元件就越多。以三星電子為例，其目標是在今年內(nèi)批量生產(chǎn) 10 納米級第六代 (1c) DRAM。據(jù)了解，第五代DRAM，即上一代，線寬為12納米，1c DRAM的線寬為11納米。中國企業(yè)與三星電子、SK海力士等韓國企業(yè)相比，仍存在三代左右的差距。

這是因為 PC 和移動市場對舊 DRAM 的需求充足。這與中國顯示器產(chǎn)業(yè)過去從液晶顯示器（LCD）產(chǎn)品開始逐漸搶走韓國市場份額的情況類似。中國企業(yè)正在瞄準這一需求。一位業(yè)內(nèi)人士表示，“據(jù)我了解，由于經(jīng)營狀況惡化和中國企業(yè)的遺留目標，三星電子的 DRAM 庫存大幅增加。SK 海力士正在用高端 DRAM 追趕三星電子，并且中國公司正在蠶食中低端市場?！?/p>

CX存儲產(chǎn)能增加40%

三星電子在DRAM行業(yè)確保了無與倫比的產(chǎn)能。以12英寸計算，每月可投入68萬片晶圓,占全球DRAM晶圓投入的37%。

CX存儲正在挑戰(zhàn)三星的據(jù)點。2022年產(chǎn)能僅為每月5萬張，隨著北京第二工廠今年開始運營，預(yù)計第四季度產(chǎn)能將迅速增至每月21萬片。預(yù)計明年數(shù)量將增至30萬片，增幅約為40%。這相當于第三大 DRAM 生產(chǎn)商美光科技每月 335,000 片的產(chǎn)能水平。

中國產(chǎn)能的進步也體現(xiàn)在NAND產(chǎn)業(yè)上。CJ存儲去年已量產(chǎn) 232 層 NAND 閃存，明年將確保每月投入 135,000 片晶圓的產(chǎn)能。雖然與NAND市場排名第一的三星電子相比還有一定距離，但在競爭比DRAM更激烈的NAND行業(yè)中，評價其規(guī)模足以發(fā)揮影響力。

中國能克服半導體設(shè)備嗎？

這是因為在半導體制造設(shè)備方面占據(jù)領(lǐng)先地位的美國正在實施高強度的出口限制，以對中國半導體造成壓力。2022年10月，美國商務(wù)部對中國出口14納米以下系統(tǒng)半導體、18納米以下DRAM、128層以上NAND閃存生產(chǎn)設(shè)備實施管制。三星電子和 SK 海力士為 DRAM 制造推出的 ASML 極紫外 (EUV) 曝光設(shè)備自 2019 年以來已受到監(jiān)管。

盡管如此，中國正在通過材料、零部件和設(shè)備的快速國際化，用自己的設(shè)備填充當?shù)氐拇鎯ζ鞴S。