8月28-30日,PCIM Asia 2024展在深圳舉行?!靶屑艺f(shuō)”進(jìn)行了為期2天的探館,合計(jì)報(bào)道了200+碳化硅相關(guān)參展企業(yè)(.點(diǎn)這里.)。
其中,“行家說(shuō)”還重點(diǎn)采訪(fǎng)了長(zhǎng)飛先進(jìn)等眾多企業(yè),深入了解了他們?cè)谔蓟桀I(lǐng)域的最新技術(shù)進(jìn)展、產(chǎn)品創(chuàng)新以及市場(chǎng)戰(zhàn)略。
行家說(shuō)三代半:本次展會(huì)上貴公司展示了哪些產(chǎn)品?能否介紹一下核心產(chǎn)品的創(chuàng)新點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)?
長(zhǎng)飛先進(jìn):在車(chē)規(guī)級(jí)產(chǎn)品領(lǐng)域,長(zhǎng)飛先進(jìn)重點(diǎn)展示了750V 與1200V車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET及1200V車(chē)規(guī)級(jí)碳化硅模塊。該系列產(chǎn)品擁有低開(kāi)關(guān)損耗、優(yōu)異的抗雪崩能力、低導(dǎo)通電阻及快速反向恢復(fù)等特性,尤其是1200V車(chē)規(guī)級(jí)SiC MOSFET及模塊,還有導(dǎo)通電阻隨溫度變化影響小、更低的柵極閾值電壓漂移等亮點(diǎn),適用于新能源主驅(qū)逆變器、電機(jī)控制、車(chē)載充電器、高壓直流轉(zhuǎn)換器等領(lǐng)域,可有效提升能源轉(zhuǎn)換效率。
在工規(guī)級(jí)產(chǎn)品領(lǐng)域,長(zhǎng)飛先進(jìn)帶來(lái)了650V/1200V工規(guī)級(jí)JBS二極管、1200V工規(guī)級(jí)MPS二極管、1200V/1700V/2000V工規(guī)級(jí)碳化硅MOSFET及1200V工規(guī)級(jí)碳化硅模塊等多款性能優(yōu)異的自研產(chǎn)品,可廣泛應(yīng)用于電機(jī)控制、車(chē)載充電器、充電樁、工業(yè)電源、光伏儲(chǔ)能逆變器等領(lǐng)域。
本次展示的碳化硅MOSFET產(chǎn)品均采用了長(zhǎng)飛先進(jìn)擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的Gen3 SiC MOSFET設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái),比導(dǎo)通電阻及柵極電荷均達(dá)到國(guó)內(nèi)領(lǐng)先水平,具備極低的開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,可顯著提升逆變器及其他應(yīng)用終端的性能。
行家說(shuō)三代半:相比友商,貴公司有哪些競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)?
長(zhǎng)飛先進(jìn):作為聚焦碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品研發(fā)及制造的IDM企業(yè),長(zhǎng)飛先進(jìn)具有4大優(yōu)勢(shì):
一是作為IDM垂直整合制造商,擁有從外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)、晶圓制造到模塊封測(cè)的全產(chǎn)業(yè)鏈能力,可以同時(shí)為客戶(hù)提供自研產(chǎn)品和代工服務(wù)。IDM企業(yè)能夠更好地控制生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)成本,以及實(shí)現(xiàn)對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量可靠性的端到端服務(wù)。
二是擁有明確的產(chǎn)能規(guī)劃,長(zhǎng)飛先進(jìn)的武漢工廠(chǎng)完全按照車(chē)規(guī)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)打造,預(yù)計(jì)今年年底開(kāi)始搬入設(shè)備,明年6月開(kāi)始量產(chǎn)通線(xiàn),規(guī)劃年產(chǎn)6英寸36萬(wàn)片SiC外延和晶圓,產(chǎn)能供應(yīng)可以充分滿(mǎn)足下游客戶(hù)的需求。
三是公司團(tuán)隊(duì)具有豐富的技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn),我們的管理人員基本上都來(lái)自于世界500強(qiáng)企業(yè),對(duì)半導(dǎo)體制程工藝較為熟悉。此前,長(zhǎng)飛先進(jìn)還成功建設(shè)了蕪湖工廠(chǎng),可以將經(jīng)驗(yàn)復(fù)刻到武漢工廠(chǎng),從而迅速打開(kāi)產(chǎn)能。
四是擁有自主設(shè)計(jì)及工藝平臺(tái),碳化硅外延、芯片、器件各個(gè)環(huán)節(jié)分別有研發(fā)團(tuán)隊(duì)負(fù)責(zé)推進(jìn),極大保證了產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)速度和技術(shù)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
行家說(shuō)三代半:目前新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速發(fā)展期,請(qǐng)問(wèn)您如何看待其現(xiàn)狀及前景?貴公司有哪些合作應(yīng)用進(jìn)展?
長(zhǎng)飛先進(jìn):實(shí)際上,新能源車(chē)企一般有A、B兩種方案,A方案即采用國(guó)外一線(xiàn)品牌的碳化硅器件上車(chē)使用,B方案就是采用國(guó)內(nèi)廠(chǎng)商的器件,但一般要走完驗(yàn)證流程,最少需要一年半到兩年的時(shí)間。目前,國(guó)內(nèi)新能源汽車(chē)主驅(qū)采用的碳化硅器件,主要來(lái)自于國(guó)外頭部企業(yè)。
值得一提的是,長(zhǎng)飛先進(jìn)已經(jīng)與多家國(guó)內(nèi)車(chē)企開(kāi)始碳化硅合作項(xiàng)目,我們相信,隨著長(zhǎng)飛先進(jìn)持續(xù)發(fā)揮產(chǎn)品自研、產(chǎn)能直供等優(yōu)勢(shì),未來(lái)將在新能源汽車(chē)主驅(qū)市場(chǎng)有非常好的市場(chǎng)前景。
行家說(shuō)三代半:如今越來(lái)越多企業(yè)入局光儲(chǔ)充賽道,您認(rèn)為它將帶來(lái)哪些機(jī)遇和挑戰(zhàn)?貴公司有哪些合作應(yīng)用進(jìn)展?
長(zhǎng)飛先進(jìn):相比新能源汽車(chē),光儲(chǔ)充、軌道交通、電網(wǎng)等領(lǐng)域引入碳化硅的速度并不快,用量還不大,但其驗(yàn)證流程沒(méi)有上車(chē)那么長(zhǎng),所以普及速度會(huì)愈來(lái)愈快。其中,直流充電樁中的電源模塊是最快導(dǎo)入碳化硅的,隨著充電樁企業(yè)的帶動(dòng),未來(lái)光伏、儲(chǔ)能等企業(yè)也會(huì)跟進(jìn)使用碳化硅。
目前,長(zhǎng)飛先進(jìn)已經(jīng)跟兩家生產(chǎn)充電樁電源模塊的頭部企業(yè)達(dá)成合作,第一筆訂單已經(jīng)敲定,正在推進(jìn)當(dāng)中。
行家說(shuō)三代半:很多企業(yè)反映,今年市場(chǎng)需求出現(xiàn)下滑、內(nèi)卷加劇,您怎么看待這個(gè)話(huà)題?貴公司是如何應(yīng)對(duì)的?
長(zhǎng)飛先進(jìn):近年來(lái)碳化硅企業(yè)的擴(kuò)產(chǎn)項(xiàng)目越來(lái)越多,頭部廠(chǎng)商轉(zhuǎn)向8英寸的速度明顯加快,對(duì)此,我有兩個(gè)判斷:
一方面,半導(dǎo)體制造工廠(chǎng)屬于重資產(chǎn),建設(shè)難度極高,尤其是碳化硅工廠(chǎng),不像硅制程那么成熟,某些企業(yè)的碳化硅工廠(chǎng)僅停留在概念階段或?qū)嶋H良率極低,其實(shí)際產(chǎn)能遠(yuǎn)低于宣傳產(chǎn)能。
另一方面,從6英寸轉(zhuǎn)向8英寸仍需要很長(zhǎng)一段時(shí)間,目前8英寸襯底及外延良率都比較低,相關(guān)設(shè)備尚未完全升級(jí)換代,要想實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能供應(yīng),還存在很大挑戰(zhàn)。
對(duì)于長(zhǎng)飛先進(jìn)而言,基于蕪湖工廠(chǎng)和研發(fā)生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)積累的豐富經(jīng)驗(yàn),我們對(duì)武漢工廠(chǎng)的生產(chǎn)良率及效率充滿(mǎn)信心,致力于以質(zhì)量和服務(wù)獲得客戶(hù)的認(rèn)可,在未來(lái)形成獨(dú)特的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。
行家說(shuō)三代半:貴公司接下來(lái)有哪些發(fā)展規(guī)劃?
長(zhǎng)飛先進(jìn): 在產(chǎn)品研發(fā)上,長(zhǎng)飛先進(jìn)會(huì)跟進(jìn)下游新能源汽車(chē)、光儲(chǔ)充等領(lǐng)域的需求,將推出塑封半橋模塊、混合模塊等產(chǎn)品;
在技術(shù)儲(chǔ)備上,長(zhǎng)飛先進(jìn)已經(jīng)跟一些高校、實(shí)驗(yàn)室達(dá)成研發(fā)合作,目前還與一家國(guó)家實(shí)驗(yàn)室共同推進(jìn)高壓碳化硅器件研發(fā),重點(diǎn)研發(fā)突破1200V以上碳化硅器件開(kāi)發(fā)難題。