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    • 01、半導(dǎo)體行業(yè)準(zhǔn)備邁入High-NA EUV時(shí)代
    • 02、全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額大漲
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近500億元!EUV光刻機(jī)巨頭掙翻了

07/19 10:50
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7月17日,全球最大的光刻設(shè)備廠商阿斯麥(ASML)公布2024年第二季度業(yè)績。

根據(jù)數(shù)據(jù),ASML Q2總凈銷售額 62.43億歐元(約491億元人民幣),凈利潤為15.78億歐元,毛利率 51.5%,第二季度凈預(yù)訂量為55.67億歐元,其中25億歐元為EUV預(yù)訂額。不過相比去年同期的營收69億歐元、凈利潤19.4億歐元,ASML今年第二季度業(yè)績不及當(dāng)時(shí)水平。

圖片來源:ASML官網(wǎng)截圖

但ASML表示,第二季度的總凈銷售額高于預(yù)期,這主要得益于沉浸式系統(tǒng)銷售的增加。與前幾個(gè)季度一樣,整體半導(dǎo)體庫存水平繼續(xù)改善,可以看到邏輯和存儲(chǔ)客戶的光刻工具利用率進(jìn)一步提高。盡管市場仍存在不確定性,主要是受宏觀環(huán)境的影響,但預(yù)計(jì)行業(yè)復(fù)蘇將在下半年持續(xù)。

ASML總裁兼首席執(zhí)行官Christophe Fouquet表示,預(yù)計(jì)2024年第三季度總凈銷售額在67億歐元至73億歐元之間,毛利率在50%至51%之間。ASML預(yù)計(jì)研發(fā)成本約為11億歐元,銷售、一般及行政費(fèi)用約為2.95億歐元,對(duì)2024年全年的展望保持不變。

Christophe Fouquet認(rèn)為,“2024年是一個(gè)過渡年,將繼續(xù)在產(chǎn)能提升和技術(shù)方面進(jìn)行投資。目前,我們看到人工智能的強(qiáng)勁發(fā)展,推動(dòng)了大部分行業(yè)的復(fù)蘇和增長,領(lǐng)先于其他細(xì)分市場。”

01、半導(dǎo)體行業(yè)準(zhǔn)備邁入High-NA EUV時(shí)代

眾所周知,EUV光刻機(jī)是先進(jìn)半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵。從本質(zhì)上理解,High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。NA代表數(shù)值孔徑,表示光學(xué)系統(tǒng)收集和聚焦光線的能力,數(shù)值越高,聚光能力越好。通過升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng),High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

業(yè)界預(yù)計(jì),隨著High-NA EUV技術(shù)的不斷成熟和普及,將在2025-2026年期間迎來大規(guī)模的量產(chǎn)應(yīng)用,并認(rèn)為,半導(dǎo)體行業(yè)準(zhǔn)備邁入High-NA EUV時(shí)代。

當(dāng)前,全球新晶圓廠建設(shè)如火如荼,這其中必離不開EUV光刻機(jī)的運(yùn)作,從大廠建廠動(dòng)態(tài)來看,臺(tái)積電英特爾、三星等芯片大廠正在實(shí)行各自建廠計(jì)劃,晶圓代工廠先進(jìn)制程之戰(zhàn)早已開始,預(yù)計(jì)將在2025年至2027年配備新設(shè)備。

臺(tái)積電方面,據(jù)臺(tái)灣地區(qū)媒體報(bào)道,2024-2025兩年,臺(tái)積電將接受60臺(tái)EUV光刻機(jī),預(yù)估總投資額將超新臺(tái)幣4000億元(約122.7億美元),據(jù)悉,ASML年底將向臺(tái)積電交貨High-NA EUV。

三星方面,三星已在ASML韓國華城新園區(qū)附近新獲得了一塊場地,將于明年開始建設(shè),計(jì)劃在竣工時(shí)引進(jìn)“高數(shù)值孔徑”設(shè)備,預(yù)計(jì)最晚會(huì)在2027年完成。

英特爾方面,該公司包攬了,ASML截至2025上半年的高數(shù)值孔徑EUV(High-NA EUV)設(shè)備訂單,此前英特爾已完成ASML首臺(tái)High NA EUV光刻機(jī)設(shè)備組裝,價(jià)值高達(dá)3.5億歐元,英特爾計(jì)劃用該款設(shè)備生產(chǎn)1.8nm以下的先進(jìn)制程芯片。

從這個(gè)時(shí)間點(diǎn)來看,ASML此前預(yù)計(jì)到2025年產(chǎn)能目標(biāo)將達(dá)到90臺(tái)EUV極紫外光刻機(jī)、600臺(tái)DUV深紫外光刻機(jī)、20臺(tái)High-NA EUV高數(shù)值孔徑光刻機(jī)。

目前ASML是全球唯一掌握High-NA EUV技術(shù)的設(shè)備廠商。從產(chǎn)品升級(jí)性能來看,與0.33NA相比,High-NA可以使晶體管密度增加近3倍。產(chǎn)品進(jìn)度上,在0.33NA EUV光刻機(jī)方面,ASML已交付額外的NXE:3800E系統(tǒng),預(yù)計(jì)今年下半年大部分出貨將是3800E系統(tǒng);0.55NA High-NA EUV光刻機(jī)方面,ASML已在Q2出貨第二套系統(tǒng),第一套系統(tǒng)在客戶處運(yùn)行合格晶圓,第二套系統(tǒng)也在安裝中。

在High-NA EUV之后,ASML已開始著手研究下一代Hyper-NA EUV設(shè)備,尋找合適的解決方案。據(jù)外媒EETimes 6月報(bào)導(dǎo),ASML公布了下一代Hyper-NA EUV設(shè)備藍(lán)圖,目前為開發(fā)早期階段。

ASML計(jì)劃,2030年推出Hyper-NA EUV,數(shù)值孔徑達(dá)0.75。相比High-NA EUV的0.55數(shù)值孔以及標(biāo)準(zhǔn)EUV的0.33數(shù)值孔徑,Hyper-NA EUV精確度提高,可有更高分辨率圖案化及更小晶體管特征。對(duì)ASML而言,Hyper-NA技術(shù)還能推動(dòng)整體EUV平臺(tái),改善成本和交貨時(shí)間。

隨著先進(jìn)制程的不斷更迭,技術(shù)節(jié)點(diǎn)正向1納米以下的埃米時(shí)代發(fā)展。ASML稱,Hyper-NA是未來埃米級(jí)制程的必要設(shè)備,許多公司將采用Hyper-NA EUV,以降低多重圖形化制程的風(fēng)險(xiǎn)。

IMEC圖案化項(xiàng)目總監(jiān)Kurt Ronse表示,High-NA EUV應(yīng)可包括2~1.4納米節(jié)點(diǎn),再到1~0.7納米節(jié)點(diǎn),之后由Hyper-NA EUV接續(xù)。他還認(rèn)為,Hyper-NA EUV是機(jī)會(huì),成為2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV雙重曝光的成本更低,也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新機(jī)會(huì)。

02、全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額大漲

當(dāng)前,AI人工智能帶動(dòng)了HBM、晶圓代工、先進(jìn)封裝需求飛升,半導(dǎo)體設(shè)備也隨之受益。據(jù)公開信息顯示,半導(dǎo)體設(shè)備是用于生產(chǎn)各類型集成電路半導(dǎo)體分立器件的專用設(shè)備,主要包含前道工藝設(shè)備(晶圓制造)和后道工藝設(shè)備(封裝測(cè)試)兩大類。

前道工藝設(shè)備(晶圓制造)用于晶圓制造環(huán)節(jié),設(shè)備產(chǎn)品包括光刻機(jī)、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備、CMP設(shè)備等;后道工藝設(shè)備(封裝測(cè)試)主要用于半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝和測(cè)試環(huán)節(jié),以確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性,代表產(chǎn)品包括劃片設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備等,晶圓切割機(jī)也包含其中,主要用于將晶圓切割成芯片,以便之后的封裝和測(cè)試。

國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)最新報(bào)告指出,看好全球半導(dǎo)體制造設(shè)備市場,預(yù)期2024年銷售總額可望年增3.4%、達(dá)1,090億美元,創(chuàng)新高;明年有機(jī)會(huì)沖高至1,280億美元,比去年底預(yù)期的1,240億元更好。

按照地區(qū)來看,全球半導(dǎo)體銷售如果依照地區(qū)來區(qū)分,SEMI表示,中國大陸、中國臺(tái)灣地區(qū)、韓國,至2025年仍穩(wěn)居設(shè)備支出前三大。其中,中國大陸區(qū)設(shè)備采購量持續(xù)增加,預(yù)測(cè)期間內(nèi)可望維持領(lǐng)先地位,估計(jì)2024年中國大陸設(shè)備出貨量將來到創(chuàng)紀(jì)錄350億美元,不過,2025年可能趨緩下跌。

SEMI表示,展望2025年,在先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)器應(yīng)用需求增加帶動(dòng)下,晶圓廠設(shè)備銷售額可望更上一層樓,增幅14.7%至1,130億美元。

日本方面,據(jù)日本半導(dǎo)體制造設(shè)備協(xié)會(huì)(SEAJ)預(yù)計(jì),2024年度日本半導(dǎo)體設(shè)備銷售額將首破4萬億日元,年增15%,2026年度更將超5萬億日元,主要受AI普及帶動(dòng)的GPU和HBM需求增長所推動(dòng)。

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