1月11日,瑞薩電子與Transphorm共同宣布雙方已達(dá)成最終收購(gòu)協(xié)議,根據(jù)該協(xié)議,瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股,此次交易對(duì)Transphorm的估值約為3.39億美元(約24.27億人民幣)。
瑞薩電子表示,此次收購(gòu)將為瑞薩提供GaN的內(nèi)部技術(shù),瑞薩將采用Transphorm的汽車級(jí)GaN技術(shù)來(lái)開發(fā)新的增強(qiáng)型電源解決方案,例如用于電動(dòng)汽車的X-in-1動(dòng)力總成解決方案,以及面向計(jì)算、能源、工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用的解決方案。
資料顯示,Transphorm是美國(guó)一家GaN功率器件生產(chǎn)商,致力于設(shè)計(jì)、制造和銷售用于高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的GaN功率半導(dǎo)體器件。在車用領(lǐng)域,Transphorm的GaN產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)最早通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證,擁有豐富的產(chǎn)品系列。
Transphorm此前在2023年第3季財(cái)報(bào)會(huì)議上便表示有整并或出售計(jì)劃,公司在2022年全球GaN功率器件廠商營(yíng)收排名第6。瑞薩電子則在這兩年開始大規(guī)模投資寬禁帶半導(dǎo)體,SiC方面已經(jīng)和Wolfspeed簽訂了長(zhǎng)期的材料供應(yīng)協(xié)議,并計(jì)劃在2025年開始量產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體,GaN方面此前曾與GaN Systems聯(lián)手開發(fā)電動(dòng)車DC-DC轉(zhuǎn)換器。
近年來(lái),GaN技術(shù)在混合型和全電動(dòng)汽車、消費(fèi)電子產(chǎn)品、智能手機(jī)以及其他產(chǎn)品的制造中得到廣泛應(yīng)用,發(fā)展?jié)摿^大。為迎合不斷增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求,Transphorm近期頻頻推出各種GaN產(chǎn)品。
2023年11月,Transphorm宣布推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導(dǎo)通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),這意味著TOLL封裝的SuperGaN功率管可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代器件。新器件還具備市場(chǎng)上主流的代工e-mode氮化鎵缺乏的高壓動(dòng)態(tài)(開關(guān))導(dǎo)通電阻可靠性。
同在11月,Transphorm和Allegro MicroSystems宣布合作,聯(lián)合Transphorm的SuperGaN FET和Allegro的AHV85110隔離柵極驅(qū)動(dòng)器,借此擴(kuò)展GaN電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)在高功率應(yīng)用范圍。
11月底,Transphorm推出了一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET。該新產(chǎn)品TP65H070G4RS晶體管的導(dǎo)通電阻為72毫歐,為業(yè)界首個(gè)采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝GaN器件。
目前,瑞薩電子已成為世界十大半導(dǎo)體芯片供應(yīng)商之一,被瑞薩電子收購(gòu)后,借助瑞薩全球化布局、廣泛的解決方案以及客戶資源,Transphorm有望推出更多契合市場(chǎng)和用戶需求的GaN產(chǎn)品,進(jìn)而更好地拓展業(yè)務(wù)。
同時(shí),Transphorm的GaN晶圓來(lái)源于同在日本會(huì)津的AFSW工廠,該晶圓廠是Transphorm與富士通半導(dǎo)體在2013年合資建設(shè)的子公司,是全球首屈一指的高質(zhì)量、可靠的高壓 GaN 功率半導(dǎo)體晶圓制造工廠。2021年,Transphorm聯(lián)合JCP Capital完成了對(duì)AFSW晶圓廠的100%股權(quán)收購(gòu)。因此,這也是助力此次收購(gòu)案的另一大重要原因。
值得一提的是,2023年3月,英飛凌宣布擬以現(xiàn)金8.3億美金(約合人民幣57.27億元)收購(gòu)GaN Systems。GaN Systems是全球GaN主力軍之一,尤其是在車用GaN領(lǐng)域,該公司屬于先行者。該事件交易金額約為瑞薩電子收購(gòu)Transphorm的2.4倍,也曾在業(yè)內(nèi)引發(fā)廣泛關(guān)注。
集邦化合物半導(dǎo)體Zac、Matt