英飛凌推出首款采用OptiMOS? 7技術(shù)15 V PQFN封裝的溝槽功率MOSFET

數(shù)據(jù)中心和計算應(yīng)用對電源的需求日益增長，需要提高電源的效率并設(shè)計緊湊的電源。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）順應(yīng)系統(tǒng)層面的發(fā)展趨勢，推出業(yè)界首款15 V溝槽功率MOSFET ——全新OptiMOS? 7系列。OptiMOS? 7 15 V系列于服務(wù)器、計算、數(shù)據(jù)中心和人工智能應(yīng)用上提升DC-DC轉(zhuǎn)換率。

OptiMOS 7 功率MOSFET

該半導(dǎo)體產(chǎn)品組合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置（Source-Down）封裝，標(biāo)準(zhǔn)門級和門級居中引腳排列形式均提供底部冷卻型和雙面冷卻型以供選擇；此外，該產(chǎn)品組合還包含穩(wěn)定可靠的超小型的PQFN 2 x 2 mm2封裝。OptiMOS? 7 15 V技術(shù)專為低輸出電壓下的DC-DC轉(zhuǎn)換定制，尤其適合服務(wù)器和計算環(huán)境。這項先進(jìn)技術(shù)符合數(shù)據(jù)中心配電中出現(xiàn)的48:1 DC-DC轉(zhuǎn)換的新趨勢。

與現(xiàn)有的OptiMOS5 25 V相比，全新OptiMOS? 7 15 V通過降低擊穿電壓，將 RDS(on) 和FOM Qg減少了約30%，并將FOM QOSS減少了約50%。PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝型號提供更靈活優(yōu)化的PCB設(shè)計。PQFN 2 x 2 mm2封裝的脈沖電流能力超過500 A，典型RthJC為1.6 K/W。通過最大程度地減少傳導(dǎo)和開關(guān)損耗并采用先進(jìn)的封裝技術(shù)，實現(xiàn)了簡化散熱管理，樹立了功率密度和整體效率的新標(biāo)桿。

供貨情況

OptiMOS 7 15 V產(chǎn)品組合現(xiàn)已開放訂購并提供兩種封裝尺寸：PQFN 3.3 x 3.3 mm2源極底置封裝和PQFN 2 x 2 mm2封裝。