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SiC供給缺口依舊,羅姆計(jì)劃加大投資9年增產(chǎn)25倍

2023/03/08
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近日,羅姆公布了2022年的財(cái)報(bào)情況。

2022年上半財(cái)年(2022年4月-2022年9月),羅姆集團(tuán)的銷售額約2600億日元,折合130億人民幣左右,同比增長16.7%;營業(yè)利潤504億日元,同比增長46%;純利潤521億日元,同比增長69.2%。

基于上半年的數(shù)據(jù),加上下半年的實(shí)際情況,羅姆預(yù)計(jì)2022財(cái)年(2022年4月-2023年3月)全年的銷售額約5200億日元,折合250-260億人民幣左右,同比增長15%;營業(yè)利潤900億日元,同比增長25.9%;純利潤800億日元,同比增長19.7%。

汽車電子成為拉動(dòng)羅姆營收的主力軍

在細(xì)分賽道方面,汽車市場增長最快,銷售額增長率達(dá)到了24.3%;接下來是計(jì)算機(jī)&存儲(chǔ)設(shè)備和工業(yè)市場,銷售額增長率分別達(dá)到了22.7%和11.6%;通信消費(fèi)電子稍弱,銷售額增長率分別為7.1%和4.6%。

值得一提的是,在地域表現(xiàn)方面,中國市場增長很強(qiáng)勁,達(dá)到了30.9%,主要表現(xiàn)在汽車電子方面。

需求旺盛,羅姆計(jì)劃加大SiC投資力度

為了滿足不斷增長的市場需求,羅姆正在不斷地進(jìn)行設(shè)備投資,2021-2025五年投入1700-2200億日元,尤其是在功率器件方面,羅姆給出了復(fù)合年增長25%的銷售預(yù)期,預(yù)計(jì)從2024-2026三個(gè)年度有近9000億日元的市場待開拓。

說到功率器件,我們不得不提到SiC市場。根據(jù)Yole發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2021年全球SiC功率器件的市場規(guī)模在10.9億美元左右,到2027年,該規(guī)模將增長至62.97億美元,2021-2027年年復(fù)合增長率(CAGR)達(dá)到34%。其中,新能源汽車和光伏儲(chǔ)能將成為SiC市場增長的主要驅(qū)動(dòng)力。

羅姆是SiC領(lǐng)域的老兵,從2000年開始研發(fā)SiC產(chǎn)品,至今已經(jīng)有20多年的歷史。同時(shí),由于采用了IDM垂直統(tǒng)合型的生產(chǎn)體制,具有供貨穩(wěn)定、產(chǎn)品易追溯和更快的技術(shù)支持響應(yīng)等優(yōu)勢。

圖 | 羅姆SiC的開發(fā)歷史

我們具體來看一下羅姆的IDM結(jié)構(gòu),其晶圓是在集團(tuán)旗下德國SiCrystal公司完成,器件的生產(chǎn)是集中在日本福岡(Fukuoka)和宮崎(Miyazaki)兩個(gè)基地,封裝后續(xù)分布在全球,主要是京都本土、韓國或者泰國等封裝工廠。

此外,為了進(jìn)一步加強(qiáng)生態(tài)的建設(shè),共同提高產(chǎn)品面世的競爭力,羅姆還和很多客戶展開了技術(shù)上的合作。比如,2020年與緯湃科技合作開發(fā)碳化硅電源解決方案,同年與臻驅(qū)科技建立了聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,進(jìn)行以碳化硅為主的電源解決方案的開發(fā);2021年與吉利簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議,與正海集團(tuán)成立碳化硅功率模塊合資公司海姆希科,同年,被UAES(聯(lián)合電子)公司認(rèn)證為碳化硅功率器件解決方案的首選供應(yīng)商,產(chǎn)品用于逆變器;2022年,Lucid公司OBC應(yīng)用了羅姆的SiC MOSFET。同年,羅姆的SiC MOSFET也通過了賽米控公司的認(rèn)證,應(yīng)用在其eMPack?模塊里面。

圖 | 羅姆SiC器件的市場實(shí)績

在市場方面,SiC的主要市場有電動(dòng)汽車中的OBC、DC-DC、主驅(qū)動(dòng)器等,工業(yè)中的工業(yè)機(jī)器大型電機(jī)、感應(yīng)加熱器、高頻加熱器、電池檢驗(yàn)設(shè)備等,新能源中的太陽能、蓄電活動(dòng)、UPS以及服務(wù)器、基站等。其中,電動(dòng)汽車和工業(yè)市場占據(jù)羅姆SiC業(yè)務(wù)的60%-70%份額。

圖 | 羅姆SiC器件的增產(chǎn)計(jì)劃

羅姆方面認(rèn)為,面向急劇增長的需求,SiC市場近幾年都會(huì)有供給缺口,因此計(jì)劃大幅度提升產(chǎn)能,相比2021年,預(yù)計(jì)2025年產(chǎn)能提升6倍,到2030年提升25倍。

為提高競爭力,羅姆SiC產(chǎn)品性能不斷攀升

2015年,羅姆發(fā)布了第三代也是第一款商用溝槽結(jié)構(gòu)的SiC MOSFET產(chǎn)品,支持18V驅(qū)動(dòng)。2021年,羅姆實(shí)現(xiàn)了第4代SiC產(chǎn)品的量產(chǎn),對(duì)比羅姆的第三代SiC MOSFET產(chǎn)品,第四代SiC MOSFET具有導(dǎo)通電阻更低的特點(diǎn)。根據(jù)測試結(jié)果顯示,在芯片尺寸相同且在不犧牲短路耐受時(shí)間的前提下,羅姆采用改進(jìn)的雙溝槽結(jié)構(gòu),使得MOSFET的導(dǎo)通電阻降低了約40%導(dǎo)通損耗相應(yīng)降低。并且無論是常溫25℃還是高溫的175℃,都能夠?qū)崿F(xiàn)比較低的低導(dǎo)通阻抗

圖 | 羅姆第四代SiC產(chǎn)品的進(jìn)化

同時(shí),羅姆還對(duì)第四代SiC MOSFET進(jìn)行了電容比的優(yōu)化,大大提高了柵極和漏極之間的電容(CGD)與柵極和源極之間的電容(CGS)之比,從而減少了寄生電容的影響。比如,可以減小在半橋中一個(gè)快速開關(guān)的SiC MOSFET施加在另一個(gè)SiC MOSFET上的高速電壓瞬變(dVDS/dt)對(duì)柵源電壓VGS的影響。這將降低由正VGS尖峰引起的SiC MOSFET意外寄生導(dǎo)通的可能性,以及可能損壞SiC MOSFET的負(fù)VGS尖峰出現(xiàn)的可能性。

耐壓方面,第三代SiC MOSFET產(chǎn)品中650V系列的耐壓,第4代產(chǎn)品從650V提高到750V,更便于客戶的方案設(shè)計(jì)。

圖 | 羅姆SiC器件路線圖

總之,相比第三代產(chǎn)品,第四代SiC MOSFET具有低損耗、使用簡單和高可靠性的特點(diǎn)。未來,羅姆計(jì)劃將在2025年、2028年分別推出第5代、第6代SiC產(chǎn)品,相較于第四代SiC產(chǎn)品,其導(dǎo)通電阻將逐代降低30%。同時(shí)為了繼續(xù)降低SiC器件的成本,羅姆將進(jìn)一步增加晶圓的直徑,在2023年實(shí)現(xiàn)200mm即8英寸襯底的量產(chǎn)。在提高電流輸出方面,羅姆將增加單個(gè)元件尺寸,從2015年開始主流的25平方毫米最大規(guī)格,擴(kuò)展至2024年的50平方毫米。

羅姆

羅姆

ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。ROHM公司采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)電子元器件,包括一些最先進(jìn)的自動(dòng)化技術(shù),因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.

ROHM公司總部在日本京都,是著名電子元件制造商。公司1958年成立,開始制造電阻器件,公司名稱源自于此。1965年進(jìn)入半導(dǎo)體領(lǐng)域。ROHM公司采用先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)生產(chǎn)電子元器件,包括一些最先進(jìn)的自動(dòng)化技術(shù),因此能夠始終處于元件制造業(yè)的最前列.收起

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電子產(chǎn)業(yè)圖譜

與非網(wǎng)副主編 通信專業(yè)出身,從事電子研發(fā)數(shù)余載,擅長從工程師的角度洞悉電子行業(yè)發(fā)展動(dòng)態(tài)。