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sic器件

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  • 全球SiC器件供應(yīng)商列表(按照生產(chǎn)環(huán)節(jié)分類(lèi))
    全球SiC器件供應(yīng)商列表(按照生產(chǎn)環(huán)節(jié)分類(lèi))
    今天,整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)。不過(guò)我之前的供應(yīng)商數(shù)據(jù)是按照產(chǎn)品種類(lèi)和形式進(jìn)行區(qū)分類(lèi)的,這個(gè)并不能體現(xiàn)各家供應(yīng)商的生產(chǎn)方式事實(shí)上,SiC器件供應(yīng)商的生產(chǎn)模式很多:
  • 中國(guó)車(chē)載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
    中國(guó)車(chē)載SiC器件技術(shù)部分已領(lǐng)跑 有望主導(dǎo)全球供應(yīng)鏈
    新能源汽車(chē)無(wú)疑是近年來(lái)最耀眼的行業(yè)之一,其發(fā)展速度遠(yuǎn)超預(yù)期。2023年,中國(guó)新能源汽車(chē)銷(xiāo)量預(yù)計(jì)達(dá)到950萬(wàn)輛,市場(chǎng)占比高達(dá)31.6%,即每銷(xiāo)售10輛汽車(chē)中,就有3輛是新能源汽車(chē)。展望2024年,年銷(xiāo)量有望攀升至1200-1300萬(wàn)輛,市場(chǎng)占比可能超過(guò)45%,并占據(jù)全球年產(chǎn)銷(xiāo)量的60%。這一增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)令人振奮,不禁讓人聯(lián)想到十幾年前光伏行業(yè)的崛起,新能源汽車(chē)行業(yè)的發(fā)展軌跡似乎正沿著相似的路徑加速前進(jìn)。? ? ? ?
  • 系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
    系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC器件開(kāi)關(guān)的影響分析
    本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對(duì)SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiC MOS開(kāi)關(guān)開(kāi)通時(shí)的過(guò)流機(jī)理,以及開(kāi)通電流振蕩的原因。除了寄生電感對(duì)功率器件電壓應(yīng)力的影響外,本文還討論了系統(tǒng)設(shè)計(jì)中寄生電容對(duì)開(kāi)通電流應(yīng)力、電流振蕩和開(kāi)通損耗的負(fù)面影響。
  • 今天,整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)
    今天,整理一下SiC器件產(chǎn)品供應(yīng)商的數(shù)據(jù)
    我最近主攻的行業(yè)數(shù)據(jù)整理工作方向是半導(dǎo)體檢測(cè)、量測(cè)設(shè)備和EDA軟件。不過(guò)其它領(lǐng)域的數(shù)據(jù)整理工作也沒(méi)有完全放下這兩天,有星球社區(qū)的小伙伴向我索取SiC行業(yè)的數(shù)據(jù),我也只能抽空再整理一下了幸好,我手頭已經(jīng)有一些之前積累的底稿
  • 從Si到SiC,我們?cè)撊绾谓z滑升級(jí)?
    在功率電子領(lǐng)域,一場(chǎng)技術(shù)變革正在發(fā)生:在越來(lái)越多的應(yīng)用中,GaN和SiC等第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件正在逐步替代傳統(tǒng)的硅(Si)基器件,扮演越來(lái)越重要的角色。在需要較高電壓和功率的電動(dòng)車(chē)、白色家電、通信基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域,SiC更是表現(xiàn)出強(qiáng)勁的實(shí)力。
  • 簽約/通線(xiàn)/投產(chǎn)!新增3個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目
    簽約/通線(xiàn)/投產(chǎn)!新增3個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目
    近日,浙江、江蘇兩地的3個(gè)SiC項(xiàng)目傳新進(jìn)展:●?晶能微電子:年產(chǎn)2.6億只功率半導(dǎo)體器件封裝項(xiàng)目已全線(xiàn)投產(chǎn)?!?華芯智能:國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體先進(jìn)封裝設(shè)備項(xiàng)目簽約落地江蘇無(wú)錫?!?長(zhǎng)電科技:車(chē)規(guī)級(jí)功率器件封裝中試線(xiàn)成功通線(xiàn),已推出SiC模塊樣品。
  • 產(chǎn)值將破5億!該SiC企業(yè)投資10億新建項(xiàng)目
    產(chǎn)值將破5億!該SiC企業(yè)投資10億新建項(xiàng)目
    近日,浙江嘉興再引進(jìn)一個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目,總投資達(dá)10億元。據(jù)“行家說(shuō)三代半”不完全統(tǒng)計(jì),今年以來(lái)該地已經(jīng)新簽了3個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目。
  • 該SiC項(xiàng)目3月底開(kāi)工!11.5億、20萬(wàn)片
    該SiC項(xiàng)目3月底開(kāi)工!11.5億、20萬(wàn)片
    近日,國(guó)內(nèi)又有3個(gè)SiC項(xiàng)目新建/即將開(kāi)工:●?同光股份;SiC襯底項(xiàng)目預(yù)計(jì)本月月底開(kāi)工,可年產(chǎn)20萬(wàn)片;●?昌龍智芯:計(jì)劃投資超10億元建造器件產(chǎn)線(xiàn),產(chǎn)品包括SiC MOSFET等;●?緯湃科技:新投資項(xiàng)目落戶(hù)天津,引入產(chǎn)品包括SiC模塊等。
  • 接著挖呀挖,全球碳化硅Foundry廠(chǎng)信息統(tǒng)計(jì)
    接著挖呀挖,全球碳化硅Foundry廠(chǎng)信息統(tǒng)計(jì)
    馬上春節(jié)了,我就偷懶發(fā)個(gè)簡(jiǎn)單一些的數(shù)據(jù)吧之前,我以產(chǎn)品形式和商業(yè)模式作為區(qū)分,先后兩次發(fā)布了碳化硅器件供應(yīng)商的數(shù)據(jù)。于是有讀者希望我把代工廠(chǎng)的數(shù)據(jù)也列一下。
  • 11億!2個(gè)SiC項(xiàng)目加速推進(jìn)
    11億!2個(gè)SiC項(xiàng)目加速推進(jìn)
    近日,國(guó)內(nèi)2家SiC企業(yè)宣布新進(jìn)展:● 誠(chéng)盛科技:SiC器件項(xiàng)目今年8月量產(chǎn),總投資9億;● 飛仕得:SiC設(shè)備獲被嘉獎(jiǎng)50萬(wàn),IGBT/SiC MOS項(xiàng)目總投資2億。
  • 超3億!新增3個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目
    超3億!新增3個(gè)SiC相關(guān)項(xiàng)目
    進(jìn)入2024年,國(guó)內(nèi)外3個(gè)SiC項(xiàng)目也在加速推進(jìn):● 西安高新區(qū):購(gòu)置600余套設(shè)備,生產(chǎn)SiC器件等項(xiàng)目?!?華潤(rùn)上華:發(fā)布SiC/GaN項(xiàng)目實(shí)施招標(biāo)公告,復(fù)制晶圓制造服務(wù)?!?Pentamaster:將在2年內(nèi)投資超3億元建設(shè)SiC工廠(chǎng),生產(chǎn)測(cè)試?yán)匣O(shè)備。
  • 關(guān)乎車(chē)規(guī)SiC可靠性!近90%的汽車(chē)主驅(qū)都用它
    關(guān)乎車(chē)規(guī)SiC可靠性!近90%的汽車(chē)主驅(qū)都用它
    好馬配好鞍!要充分發(fā)揮SiC器件優(yōu)勢(shì),還需要為電路系統(tǒng)搭配適合的電容器。從電動(dòng)車(chē)主驅(qū)電控到光伏逆變器等大功率新能源場(chǎng)景,薄膜電容逐漸成為主流,市場(chǎng)亟需高性?xún)r(jià)比的近日,上海永銘電子股份有限公司推出了直流支撐薄膜電容器,4個(gè)突出優(yōu)勢(shì)使其適用于英飛凌第七代IGBT,并且有助于解決SiC系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性、小型化和成本等難題。
  • 投用電網(wǎng)!國(guó)產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
    投用電網(wǎng)!國(guó)產(chǎn)SiC器件連破3關(guān)
    近日,國(guó)家電網(wǎng)等多家企業(yè)宣布,他們成功將SiC技術(shù)應(yīng)用在電網(wǎng)電力系統(tǒng)中,并且實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET芯片的全國(guó)產(chǎn)化,為SiC器件應(yīng)用又拓寬了應(yīng)用面,詳情請(qǐng)往下看:
  • SiC器件,中外現(xiàn)況
    SiC器件,中外現(xiàn)況
    近年來(lái),以碳化硅(SiC)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料備受關(guān)注,在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì),滿(mǎn)足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。 碳化硅器件按照電阻性能的不同,可以分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅基射頻器件。 ①導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖
  • 碳化硅二極管器件在電子領(lǐng)域中有何優(yōu)勢(shì)
    碳化硅材料的半導(dǎo)體,雖然隨著技術(shù)的發(fā)展,目前碳化硅的成本已經(jīng)下降了不少,但按市場(chǎng)性?xún)r(jià)比來(lái)看,同類(lèi)型的硅材料與碳化硅半導(dǎo)體器件的價(jià)格相差十倍以上。碳化硅單晶可用于制造晶體管(二極管和晶體管)。由于碳化硅具有較大的禁帶寬度,制成的器件可以承受高壓和高溫,是制作大功率器件的良好材料。缺點(diǎn)是其單晶的制造比較困難,器件工藝也不成熟,而且在器件中的歐姆接觸難以做好(因?yàn)槭菍捊麕О雽?dǎo)體,重?fù)诫s難以起作用)在半導(dǎo)體器件的應(yīng)用方面,隨著碳化硅生產(chǎn)成本的降低,碳化硅由于其優(yōu)良的性能而可能取代硅作芯片,打破硅芯片由于材料本身性能的瓶頸,將給電子業(yè)帶來(lái)革命性的變革。
    2818
    2023/10/10
  • 碳化硅SiC器件到底有多強(qiáng)
    碳化硅SiC器件到底有多強(qiáng)
    與目前廣泛使用的Si材料相比,KeepTops的碳化硅材料具有更高的導(dǎo)熱性,這決定了其高電流密度特性;其更高的帶隙寬度決定了SiC器件的高擊穿場(chǎng)強(qiáng)和高工作溫度。其優(yōu)點(diǎn)可歸納為以下幾點(diǎn)
    2678
    2023/10/09
  • 保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
    保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡
    在不斷發(fā)展的汽車(chē)、可再生能源和工業(yè)應(yīng)用中,工程師將能夠借助 SiC 器件的特性,解決功率密度和散熱方面的諸多挑戰(zhàn)。憑借 1700V 系列 SiC MOSFET 和二極管,安森美滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)具有更高擊穿電壓的器件的需求。此外,安森美還為新興的太陽(yáng)能、固態(tài)變壓器和固態(tài)斷路器應(yīng)用開(kāi)發(fā)了 2000V SiC MOSFET 技術(shù)。
  • SIC是否能成為光伏發(fā)電的再生能源?
    光伏發(fā)電是SIC器件除新能源汽車(chē)領(lǐng)域之外的第二個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備,主要用于將太陽(yáng)能電池組件發(fā)出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)進(jìn)入“大組件、大逆變器、大跨支架、大組串”時(shí)代,光伏電站電壓等級(jí)將從1000V提升至1500V及以上,這對(duì)物理性能提出了更高的要求功率器件。這時(shí),碳化硅進(jìn)入了公眾的視野。
  • 中國(guó)小型SiC廠(chǎng)商,難過(guò)2023
    中國(guó)小型SiC廠(chǎng)商,難過(guò)2023
    2018年,特斯拉在Model 3中首次將IGBT模塊換成了SiC模塊,成為第一家在量產(chǎn)汽車(chē)中使用SiC芯片的電動(dòng)汽車(chē)公司。特斯拉的使用結(jié)果表明,在相同功率等級(jí)下,SiC模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開(kāi)關(guān)損耗降低了75%。換算下來(lái),采用SiC模塊替代IGBT模塊,其系統(tǒng)效率可以提高5%左右。
  • 228億,意法半導(dǎo)體 x 三安光電,他們?cè)谥\劃什么?
    228億,意法半導(dǎo)體 x 三安光電,他們?cè)谥\劃什么?
    6月7日,國(guó)際半導(dǎo)體大廠(chǎng)意法半導(dǎo)體和國(guó)內(nèi)化合物半導(dǎo)體知名廠(chǎng)商三安光電宣布,雙方已簽署協(xié)議,將在重慶建立一個(gè)新的8吋碳化硅器件合資制造廠(chǎng)。

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